大功率氮化铝100瓦21dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种大功率100瓦21dB衰减片，其包括一8.9X5.7X1mm的基片，所述基片的背面印刷有整面银浆，所述基片的正面印刷有银浆导线及电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述衰减电路上印刷有一层黑色保护膜，所述黑色保护膜上印刷有一介质层，所述介质层上加印了一层黑色保护膜。该衰减片优化了导线线路，获得了良好的驻波，提高了其与相关元器件件的匹配性，同时该衰减片在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得该衰减片能够满足目前4G网络的应用要求。
【专利说明】大功率氮化铝100瓦21 dB衰减片
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种大功率衰减片，特别涉及一种大功率100瓦21dB衰减片。
【背景技术】
[0002] 目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功 率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时 的监控，当基站工作发生故障时无法及时地做出判断，对设备没有保护作用。而衰减片不但 能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号， 对基站进行实时监控，从而对设备形成有效保护。
[0003] 衰减片作为一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说其应与两端电 路都是匹配的。目前国内l〇〇W_21dB的氮化铝陶瓷衰减片，其衰减精度不仅大多只能做到 1G频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制，输出端得到的信号 不符合实际要求。特别是在衰减片使用频段高于2G时，其衰减精度往往达不到要求，回波 损耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。
【发明内容】
[0004] 针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满 足50.8±3% Ω，在3G频段以内衰减精度为21±0.8dB，驻波要求在3G频段内满足 1. 20: lmax，能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的大功率100瓦 21dB衰减片。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
[0006] 一种大功率100瓦21dB衰减片，其包括一 8. 9*5. 7*1MM的基片，所述基片的背面 印刷有整面银浆，所述基片的正面印刷有银浆导线及电阻，所述银浆导线连接所述电阻形 成衰减电路，所述衰减电路上印刷有一层黑色保护膜，所述黑色保护膜上印刷有一介质层， 所述介质层上加印了一层黑色保护膜。
[0007] 优选的，所述基片采用高导热环保的氮化铝作为基片材料。
[0008] 优选的，所述电阻上都对应印刷有一层玻璃特性的保护膜。
[0009] 上述技术方案具有如下有益效果：该衰减片以8. 9*5. 7*1MM的氮化铝基板作为基 准，在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得 该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值50. 8 ± 3 % Ω，在3G频段以内衰减精 度为21 ±0. 8dB，驻波要求在3G频段内满足1. 20: lmax，能够满足目前4G网络的应用要求 且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰 减片能应用于4G的网络，填补了国内不能生产;l 00瓦21dB衰减片的空白。
[0010]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本发明实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012] 下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
[0013] 如图1所示，该大功率1〇〇瓦21dB衰减片包括一 8.9*5. 7*1丽的基片1，基片1的 背面印刷有正面银浆背导层，基片1的正面印刷有银浆导线2及电阻Rl、R2、R3、R4及R5, 银浆导线2连接上述电阻Rl、R2、R3、R4、R5形成衰减电路，衰减电路的接地端通过银浆与 背导层电连接，从而使衰减电路导通。背导层、导线由需要高温烧结的导电银浆印刷而成， 所述电阻由电阻浆料印刷而成。
[0014] 在电阻上R1、R2、R3、R4、R5印刷有玻璃保护膜3,玻璃保护膜3及银浆导线2上印 刷有第一黑色保护膜4,第一黑色保护膜4上印刷有一介质层6。介质层6上印刷有第二黑 色保护膜5,第二黑色保护膜5上可印刷品牌和型号。第一黑色保护膜、第二黑色保护膜可 对衰减电路起到双重保护的作用。
[0015] 该衰减片输入端和接地的阻值为50.8±3% Ω，输出端和接地端的阻值为 50·8±3% Ω。信号从输入端进入衰减片，从输出端经过虹、1?2、1?、1?3、1^4对功率的逐步吸 收，从输出端输出实际所需要的信号。
[0016] 该衰减片以8· 9*5. 7*1MM的氮化铝基板作为基准，在第一黑色保护膜上加印了一 层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得该衰减片在上述氮化铝基板的尺 寸规格下可到达阻值50·8±3% Ω，在3G频段以内衰减精度为21±〇.8dB，驻波要求在3G 频段内满足1. 20: lmax，能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受1〇〇瓦的功率的技术 要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G的网络，填补了 国内不能生产100瓦21dB衰减片的空白。 '、
[0017]以上对本发明实施例所提供的一种大功率100瓦21dB衰减片进行了详细介绍，对 于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上^会 有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所 做的任何改变都在本发明的保护范围之内。 η
【权利要求】
1. 一种大功率100瓦2ldB衰减片，其特征在于：其包括一 8. 9*5. 7* 1MM的基片，所述 基片的背面印刷有整面银浆，所述基片的正面印刷有银浆导线及电阻，所述银浆导线连接 所述电阻形成衰减电路，所述衰减电路上印刷有一层黑色保护膜，所述黑色保护膜上印刷 有一介质层，所述介质层上加印了一层黑色保护膜。
2·根据权利要求1所述的大功率100瓦21dB衰减片，其特征在于：所述基片采用高导 热环保的氮化铝作为基片材料。
3.根据权利要求1所述的大功率100瓦21dB衰减片，其特征在于：所述电阻上都对应 印刷有一层玻璃特性的保护膜。
【文档编号】H01P1/22GK104218284SQ201410231286
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年5月28日 优先权日:2014年5月28日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司