1.一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载被加工工件的基座，所述基座位于所述反应腔室的底板上方，其特征在于，在所述反应腔室的底板上沿其周向环绕设置有挡环，所述挡环用于阻挡滑落的被加工工件，以使其停留在所述反应腔室的底板上的可视范围内；所述可视范围为自所述反应腔室的内侧壁与所述基座的外周壁之间的间隙能够观察到的范围。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室内还设置有沿所述基座的周向均匀分布的至少三个支撑柱，用以支撑所述基座；并且，
所述支撑柱的下端固定在所述反应腔室的底板上，且在所述支撑柱的下端形成有定位部，用以限定所述挡环在所述底板上的位置。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述挡环的底面上设置有多个定位凹槽，所述多个定位凹槽的数量与所述定位部的数量相对应，且各个定位凹槽一一对应地与各个定位部相配合。
4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述挡环的底面上设置有多个定位凹槽，所述多个定位凹槽的数量是所述定位部的数量的整数倍，且其中一部分定位凹槽一一对应地与各个定位部相配合；在其中另一部分定位凹槽内设置有阻挡件，用以使所述滑落的被加工工件无法通过该部分定位凹槽。
5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述阻挡件包括一个或者间隔排布的多个螺钉，
所述螺钉自所述定位凹槽的底面与所述挡环螺纹连接，所述螺钉的螺帽位于所述定位凹槽内，用以阻挡所述滑落的被加工工件。
6.根据权利要求3或4所述的反应腔室，其特征在于，在所述挡环上，且位于每相邻的两个定位凹槽之间的间隙处均匀排布有贯穿所述挡环的径向厚度的多个通气孔；
所述通气孔的尺寸被设置为：使所述滑落的被加工工件无法通过。
7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述挡环采用一体式结构；或者，
所述挡环采用由多个分段组成的分体式结构，各个分段之间采用可拆卸的方式连接；并且，所述多个分段相对于所述挡环的轴向中心线对称分布，且各个分段的结构和尺寸相同。
8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述分段的数量与所述定位凹槽的数量相等；
各个定位凹槽一一对应地位于各个分段的中心位置；
所有的所述通气孔被平均分配在各个分段上，且每个分段上的通气孔对称、且均匀排布在所述定位凹槽的两侧。
9.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，每个分段的两端分别设置有上连接部和下连接部，其中，在所述上连接部上设置有沉孔；在所述下连接部上设置有螺纹孔；
在所述多个分段中，任意一个分段的上连接部和与之相邻的一个分段的下连接部相互叠置，且所述沉孔与所述螺纹孔相对应；通过将螺钉安装在所述沉孔和所述螺纹孔中，而使所述上连接部和下连接部固定连接。
10.一种半导体处理设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室为权利要求1-9任一项所述的反应腔室。