一种水冷式高频变压器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种水冷式高频变压器，其解决了现有高频开关电源的成本高、损耗大、不节能环保的技术问题，其包括副边低端导电散热铝壳体、副边高端导电散热铝壳体和原边线圈组件，副边低端导电散热铝壳体设有半圆形凹槽，副边低端导电散热铝壳体的半圆形凹槽中间设有半圆柱体；副边高端导电散热铝壳体设有半圆形凹槽，副边高端导电散热铝壳体的半圆形凹槽中间设有半圆柱体；副边低端导电散热铝壳体和副边高端导电散热铝壳体组成一个正方体，副边低端导电散热铝壳体的半圆形凹槽和副边高端导电散热铝壳体的半圆形凹槽形成一个圆形凹槽，原边线圈组件设于圆形凹槽上。本实用新型广泛应用于变压器。
【专利说明】一种水冷式高频变压器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种变压器，特别是涉及一种水冷式高频变压器。
【背景技术】
[0002]目前，在电镀或电解工艺中使用的大功率高频开关电源设备都是由多台功率相对小的一定功率的高频开关电源并联组成，其冷却方式有风冷或水冷两种方式。不论是哪一种冷却方式，决定一台开关电源设备功率的最主要因素是高频变压器的功率。
[0003]在大功率水冷式高频开关电源【技术领域】，使用的高频变压器，其功率都比较小，输出电压低。在这种情况下，要设计制造大功率的开关电源，就需要增加并联开关电源的数目，从而使整个设备的制造成本增加，电源设备的损耗增加。同时在实际使用中使得设备的维护成本增加，维护的技术复杂程度增加。
[0004]因此，提高单台高频开关电源的功率，减少开关电源的并联数目，降低设备的成本，节能降耗是大功率开关电源的发展方向，也就是说如何提高高频变压器的功率成本本领域亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]本实用新型为了解决现有高频开关电源的成本高、损耗大、不节能环保的技术问题，提供一种能够降低高频开关电源成本和损耗，有利节能环保的水冷式高频变压器。
[0006]本实用新型提供一种水冷式高频变压器，包括副边低端导电散热铝壳体、副边高端导电散热铝壳体和原边线圈组件，副边低端导电散热铝壳体设有半圆形凹槽，副边低端导电散热铝壳体的半圆形凹槽中间设有半圆柱体；副边高端导电散热铝壳体设有半圆形凹槽，副边高端导电散热铝壳体的半圆形凹槽中间设有半圆柱体；
[0007]副边低端导电散热铝壳体和副边高端导电散热铝壳体组成一个正方体，副边低端导电散热铝壳体的半圆形凹槽和副边高端导电散热铝壳体的半圆形凹槽形成一个圆形凹槽，原边线圈组件设于圆形凹槽上，副边高端导电散热铝壳体的半圆柱体的高度低于副边低端导电散热铝壳体的半圆柱体的高度；
[0008]副边低端导电散热铝壳体和副边高端导电散热铝壳体之间设有E形绝缘片；
[0009]原边线圈组件包括O形纳米非晶铁芯，O形纳米非晶铁芯上设有原边线圈；
[0010]副边低端导电散热铝壳体和副边高端导电散热铝壳体上分别设有用于散热的水路。
[0011]优选地，水冷式高频变压器内设有导热硅脂层；原边线圈组件的外径的尺寸是205mm,内径尺寸是100mm,高度是100mm ；E形绝缘片由环氧玻璃布板制成；原边线圈为
0.1mm漆包线。
[0012]优选地，副边低端导电散热铝壳体的外方部分的高度为145mm，副边低端导电散热铝壳体的半圆柱体的高度为195mm;副边高端导电散热铝壳体的外方部分的高度为165mm，副边高端导电散热铝壳体的半圆形凹槽的底面到副边低端导电散热铝壳体的底面的尺寸为30mm ;副边低端导电散热铝壳体和副边高端导电散热铝壳体组成的正方体的边长为250mm,副边低端导电散热招壳体的半圆形凹槽的宽度为125mm。
[0013]本实用新型的有益效果是，一次输入电压为500v，一次输入电流为120A，功率为60KVA，工作频率为20KHz，功率很高，应用到高频开关电源时只需一台，成本低、损耗小、节能环保。
[0014]本实用新型进一步的特征，将在以下【具体实施方式】的描述中，得以清楚地记载。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本实用新型的结构示意图；
[0016]图2是本实用新型水路的结构示意图；
[0017]图3是本实用新型的原理图；
[0018]图4是本实用新型的尺寸图；
[0019]图5是原边线圈的结构示意图。
[0020]附图符号说明:
[0021]10.副边低端导电散热铝壳体，11.半圆形凹槽，12.半圆柱体，20.副边高端导电散热铝壳体，21.半圆形凹槽，22.半圆柱体，30.原边线圈组件，31.原边线圈进线，32.0形纳米非晶铁芯，33.原边线圈，40.E形绝缘片，50.水路，51.进水口，52.出水口。
【具体实施方式】
[0022]如图1所示，本实用新型包括副边低端导电散热铝壳体10、副边高端导电散热铝壳体20和原边线圈组件30。原边线圈组件30设有原边线圈进线31。
[0023]副边低端导电散热铝壳体10和副边高端导电散热铝壳体20是用铝材料浇注后加工而成的，控制浇注工艺保证壳体不能有气孔。副边低端导电散热铝壳体10加工有半圆形凹槽11,半圆形凹槽11中间设有半圆柱体12,半圆柱体12从半圆形凹槽11的底面突出。副边高端导电散热铝壳体20同样加工有半圆形凹槽21，半圆形凹槽21中间设有半圆柱体22，半圆柱体22从半圆形凹槽21的底面突出。副边低端导电散热铝壳体10和副边高端导电散热铝壳体20对接匹配在一起形成一个正方体，副边高端导电散热铝壳体20的半圆柱体22的高度低于副边低端导电散热铝壳体10的半圆柱体12的高度。
[0024]如图5所示,原边线圈组件30为O形结构,包括O形纳米非晶铁芯32,0.1mm漆包线合股绕制在O形纳米非晶铁芯32上形成原边线圈33，O形纳米非晶铁芯32使用纳米非晶体材料制成。
[0025]原边线圈组件30的外径尺寸是205mm,内径尺寸是100mm,高度是100mm。
[0026]副边低端导电散热铝壳体10和副边高端导电散热铝壳体20匹配组合时，两者之间用E形绝缘片40隔离，这样，半圆柱体12和半圆柱体22就组成了一个圆柱体，半圆形凹槽11和半圆形凹槽21就组成了一个圆形凹槽，该圆形凹槽上放置原边线圈组件30。E形绝缘片40使用环氧玻璃布板制成。在副边低端导电散热铝壳体10、副边高端导电散热铝壳体20和原边线圈组件30组合后，其内部填充高性能的导热硅脂，形成导热硅脂层。
[0027]如图2所示，副边低端导电散热铝壳体10和副边高端导电散热铝壳体20上分别设有用于散热的水路50，并设有进水口 51和出水口 52。水从进水口 51流入从出水口 52流出，以实现对本产品的散热。
[0028]参考图3所示的本实用新型的原理图，副边低端导电散热铝壳体10的外方部分为
02,半圆柱体为a-;副边高端导电散热招壳体20的外方部分为a+,半圆柱体22为01。半圆柱体22与副边低端导电散热铝壳体10的外方部分的高度相同。在使用01和02连接，作为本实用新型变压器的中点，a+和a-作为二次输出端。A和X表示原边线圈组件30的一次输入端。
[0029]如图4所示，副边低端导电散热铝壳体10的外方部分的高度Hl为145mm，半圆柱体12的高度H2为195mm，副边高端导电散热铝壳体20的外方部分的高度H3为165mm，副边高端导电散热铝壳体20的半圆形凹槽21的底面到副边高端导电散热铝壳体20的底面的尺寸H4为30mm ;副边低端导电散热铝壳体10和副边高端导电散热铝壳体20组成的正方体的边长L2为250mm,半圆形凹槽11的宽度LI为125mm,半圆形凹槽21的宽度与半圆形凹槽11的宽度相同。
[0030]本实用新型的主要技术参数是，一次输入电压为500v, —次输入电流为120A,功率为60KVA，工作频率为20KHz。
[0031]以上所述仅对本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡是在本实用新型的权利要求限定范围内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种水冷式高频变压器，其特征在于，包括副边低端导电散热铝壳体、副边高端导电散热铝壳体和原边线圈组件，所述副边低端导电散热铝壳体设有半圆形凹槽，所述副边低端导电散热铝壳体的半圆形凹槽中间设有半圆柱体；所述副边高端导电散热铝壳体设有半圆形凹槽，所述副边高端导电散热铝壳体的半圆形凹槽中间设有半圆柱体； 所述副边低端导电散热铝壳体和所述副边高端导电散热铝壳体组成一个正方体，所述副边低端导电散热铝壳体的半圆形凹槽和所述副边高端导电散热铝壳体的半圆形凹槽形成一个圆形凹槽，所述原边线圈组件设于所述圆形凹槽上，所述副边高端导电散热铝壳体的半圆柱体的高度低于所述副边低端导电散热铝壳体的半圆柱体的高度； 所述副边低端导电散热铝壳体和所述副边高端导电散热铝壳体之间设有E形绝缘片；所述原边线圈组件包括O形纳米非晶铁芯，所述O形纳米非晶铁芯上设有原边线圈；所述副边低端导电散热铝壳体和所述副边高端导电散热铝壳体上分别设有用于散热的水路。
2.根据权利要求1所述的水冷式高频变压器，其特征在于，所述水冷式高频变压器内设有导热硅脂层；所述原边线圈组件的外径的尺寸是205mm，内径尺寸是100mm，高度是IOOmm ;所述E形绝缘片由环氧玻璃布板制成；所述原边线圈为0.1mm漆包线。
3.根据权利要求2所述的水冷式高频变压器，其特征在于，所述副边低端导电散热铝壳体的外方部分的高度为145mm，所述副边低端导电散热铝壳体的半圆柱体的高度为195mm ;所述副边高端导电散热铝壳体的外方部分的高度为165mm，所述副边高端导电散热铝壳体的半圆形凹槽的底面到所述副边低端导电散热铝壳体的底面的尺寸为30mm ;所述副边低端导电散热铝壳体和所述副边高端导电散热铝壳体组成的正方体的边长为250mm，所述副边低端导电散热招壳体的半圆形凹槽的宽度为125mm。
【文档编号】H01F27/16GK203721423SQ201420025750
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年1月16日 优先权日:2014年1月16日
【发明者】张忠 申请人:张忠