一种并联接触式rf mems开关的制作方法
【专利摘要】一种并联接触式RF?MEMS开关，其特征在于：包括包括衬底，设于衬底上的CPW地线，与CPW地线连接的金属桥膜，在金属桥膜的下方设有下拉电极与CPW信号线，在CPW信号线上设有接触点。并联接触式RFMEMS开关具有较低的工作频率，甚至可以控制直流信号；并且利用低应力电镀Au桥膜作为上电极，实现了接触电极之间的Au--Au接触，使其具有较低的插入损耗。
【专利说明】一种并联接触式RF MEMS开关
【技术领域】
[0001] 本设计涉及一种并联接触式RF MEMS开关，属于射频电子【技术领域】。
【背景技术】
[0002] 目前，对接触式RF MEMS开关的研究主要集中在对串联接触式RF MEMS开关的研 究，而对并联接触式RF MEMS开关的研究相对较少。作为接触式RF MEMS开关的一种，并联 接触式RF MEMS开关利用并联于信号线与地线之间的开关来控制射频信号的导通与断开。 当金属一金属直接接触时，射频信号从信号线导通到地，RFMEMS开关处于隔离状态。与串 联接触式RFMEMS开关相比，并联接触式RF MEMS开关通常具有更宽的应用频率范围。
【发明内容】
[0003] 本设计的目的是提供一种并联接触式RF MEMS开关，使RF开关具有更宽的应用频 率范围。
[0004] 为实现上述目的，本设计是通过以下技术手段来实现的：
[0005] -种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：包括包括衬底3,设于衬底3上的CPW 地线6,与CPW地线6连接的金属桥膜2,在金属桥膜2的下方设有下拉电极4与CPW信号 线5,在CPW信号线5上设有接触点1。
[0006] 优选的，所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：在CPW信号线5的两 侦牝设有两个下拉电极4。
[0007] 优选的，所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：所述金属桥膜2与接 触点1的材料为Au。
[0008] 优选的，所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：所述衬底3的材料为 Borofloat? 玻璃。
[0009] 本发明的有益效果是：并联接触式RF MEMS开关具有较低的工作频率，甚至可以 控制直流信号；并且利用低应力电镀Au桥膜作为上电极，实现了接触电极之间的Au-Au接 触，使其具有较低的插入损耗。
【专利附图】
【附图说明】
[0010] 图1为本设计结构示意图。
[0011] 附图标号的含义如下：1接触点，2金属桥膜，3衬底，4下拉电极，5CPW信号线， 6CPW信号线。
【具体实施方式】
[0012] 下面将结合说明书附图，对设计作进一步的说明。
[0013] 如图1所示，一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：包括包括衬底3,设于衬 底3上的CPW地线6,与CPW地线6连接的金属桥膜2,在金属桥膜2的下方设有下拉电极 4与CPW信号线5,在CPW信号线5上设有接触点1。
[0014] 优选的，所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：在CPW信号线5的两 侦牝设有两个下拉电极4。
[0015] 优选的，所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：所述金属桥膜2与接 触点1的材料为Au。
[0016] 优选的，所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：所述衬底3的材料为 Borofloat? 玻璃。
[0017] 并联接触式RF MEMS开关的工作原理与并联电容式RF MEMS开关的工作原理类 似，都是通过控制信号线与地线之间的导通与断开来控制射频信号的通断。不同的是，并联 电容式RFMEMS开关是通过增大信号线与地线之间的耦
[0018] 合电容来控制射频信号的，而并联接触式RFMEMS开关是利用信号线与地线之间 的金属一金属接触来控制射频信号，因此，与并联电容式RF MEMS开关相比，并联接触式RF MEMS开关具有较低的工作频率，甚至可以控制直流信号。
[0019] 本发明设计与制造了一种全金属结构的并联接触式RF MEMS开关，在共面波导 (CPW)上实现了上电极桥膜，完成了 Au?Au接触。使用Borofloat?玻璃作为衬底，使其 具有较低的插入损耗，获得了很好的射频性能。
[0020] 当下拉电极未加驱动电压时，金属桥膜与CPW信号线之间的耦合电容很小，射频 信号可以通过CPW的信号线；当驱动电压施加在下拉电极与地线之间时，金属桥膜与下电 极之间产生静电力，金属桥膜在静电力的作用下发生下塌，实现金属桥膜与CPW信号线之 间的金属--金属接触，射频信号通过金属桥膜耦合到地，从而实现射频信号的隔离；当下 拉电极与地之间的驱动电压撤销时，金属桥膜由于弹性力的作用回复到初始的导通状态。
[0021] 工艺上以Borofloat?玻璃作为衬底.这样可以减少RF MEMS开关导通状态下由 于射频信号在衬底中引起的涡流所产生的损耗。
[0022] 以上显示和描述了本设计的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该 了解，本设计不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本设计的原 理，在不脱离本设计精神和范围的前提下，本设计还会有各种变化和改进，这些变化和改进 都落入要求保护的本设计范围内。本设计要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界 定。
【权利要求】
1. 一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：包括包括衬底，设于衬底上的CPW地 线，与CPW地线连接的金属桥膜，在金属桥膜的下方设有下拉电极与CPW信号线，在CPW信 号线上设有接触点。
2. 如权利要求1所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：在CPW信号线的 两侧，设有两个下拉电极。
3. 如权利要求1所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：所述金属桥膜与 接触点的材料为Au。
4. 如权利要求1所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：所述衬底的材料 为 Borofloat? 玻璃。
【文档编号】H01H59/00GK203910941SQ201420153389
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年4月1日 优先权日:2014年4月1日
【发明者】杨俊民 申请人:苏州锟恩电子科技有限公司