一种多晶硅太阳能电池组的制作方法

文档序号:7090955阅读:245来源:国知局
一种多晶硅太阳能电池组的制作方法
【专利摘要】本实用新型公布了一种多晶硅太阳能电池组,其特征在于:包括太阳能多晶电池片,太阳能多晶电池片的上部设置有若干层氮化硅减反射膜,氮化硅减反射膜均采用蜂窝状结构;所述最上层的氮化硅减反射膜的上端面上自下而上依次设置有EVA胶膜层和钢化玻璃层;所述太阳能多晶电池片的下端面上设置有背板。本实用新型能够最大限度的减少蓝光反射,提高了太阳能电池表面钝化效果,降低太阳能电池表面反射率,而且封装后不会因折射率不匹配而造成的光学损失。
【专利说明】 —种多晶硅太阳能电池组

【技术领域】
[0001]本实用新型属于太阳能电池组配件领域,尤其涉及一种多晶硅太阳能电池组。

【背景技术】
[0002]太阳能电池工艺中,表面减反膜的工艺是很重要的一步,它直接决定了太阳能电池能吸收了多少太阳光。
[0003]传统的太阳能电池表面减反膜是采用镀一层氮化硅薄膜,氮化硅作为表面减反膜的特点是,工艺简单,易于产业化生产,成本较低,但缺点也很明显是:氮化硅作为减反膜在电池和组件上,氮化硅薄膜的折射率与厚度无法同时匹配到最佳值,导致组件端在封装后存在一定的封装损失;同时,由于主要考虑氮化硅薄膜的光学性能,因此在钝化效果上也无法达到最佳,造成电池效率一定程度上的损失。传统的氮化硅减反膜在折射率与厚度的设计上,从电池角度与组件角度分别考虑存在较大的差异。
实用新型内容
[0004]为解决【背景技术】中的问题,本实用新型提供一种多晶硅太阳能电池组,能够最大限度的减少蓝光反射,提高了太阳能电池表面钝化效果,降低太阳能电池表面反射率,而且封装后不会因折射率不匹配而造成的光学损失。
[0005]本实用新型的技术方案是:
[0006]一种多晶硅太阳能电池组,其特征在于:包括太阳能多晶电池片,太阳能多晶电池片的上部设置有若干层氮化硅减反射膜,氮化硅减反射膜均采用蜂窝状结构;所述最上层的氮化硅减反射膜的上端面上自下而上依次设置有EVA胶膜层和钢化玻璃层;所述太阳能多晶电池片的下端面上设置有背板。
[0007]作为一种优化的技术方案,所述太阳能多晶电池片的上部设置有两层氮化硅减反射膜;上层的氮化硅减反射膜为折射率为2.6-3.0的氮化硅减反射膜,下层的氮化硅减反射膜为折射率为1.9-2.4的氮化硅减反射膜。
[0008]作为一种优化的技术方案,所述上层的氮化硅减反射膜厚度为35-70纳米,下层的氮化硅减反射膜厚度为30-44纳米。
[0009]由于采用了上述技术方案,与现有技术相比较,本实用新型中的两层氮化硅减反射膜采用了蜂窝状结构,能够最大限度的减少蓝光反射,提高了太阳能电池表面钝化效果,降低太阳能电池表面反射率,而且封装后不会因折射率不匹配而造成的光学损失。

【专利附图】

【附图说明】
[0010]图1为本实用新型第一种实施例的结构示意图。

【具体实施方式】
[0011]实施例
[0012]如图1所示,一种多晶硅太阳能电池组,包括太阳能多晶电池片5,太阳能多晶电池片5的上部设置有若干层氮化硅减反射膜,氮化硅减反射膜均采用蜂窝状结构。所述最上层的氮化硅减反射膜的上端面上自下而上依次设置有EVA胶膜层2和钢化玻璃层I。所述太阳能多晶电池片5的下端面上设置有背板6。
[0013]所述太阳能多晶电池片的上部设置有两层氮化硅减反射膜3、4。上层的氮化硅减反射膜4为折射率为2.6-3.0的氮化硅减反射膜,下层的氮化硅减反射膜3为折射率为1.9-2.4的氮化硅减反射膜。所述上层的氮化硅减反射膜4厚度为35-70纳米,下层的氮化硅减反射膜3厚度为30-44纳米。
[0014]本实用新型中的两层氮化硅减反射膜采用了蜂窝状结构,能够最大限度的减少蓝光反射,提高了太阳能电池表面钝化效果,降低太阳能电池表面反射率,而且封装后不会因折射率不匹配而造成的光学损失。
[0015]本实用新型不局限于上述的优选实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或者相近似的技术方案,均属于本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种多晶硅太阳能电池组,其特征在于:包括太阳能多晶电池片,太阳能多晶电池片的上部设置有若干层氮化硅减反射膜,氮化硅减反射膜均采用蜂窝状结构;所述最上层的氮化硅减反射膜的上端面上自下而上依次设置有EVA胶膜层和钢化玻璃层;所述太阳能多晶电池片的下端面上设置有背板。
2.根据权利要求1所述的多晶硅太阳能电池组,其特征在于:所述太阳能多晶电池片的上部设置有两层氮化硅减反射膜;上层的氮化硅减反射膜为折射率为2.6-3.0的氮化硅减反射膜,下层的氮化硅减反射膜为折射率为1.9-2.4的氮化硅减反射膜。
3.根据权利要求2所述的多晶硅太阳能电池组,其特征在于:所述上层的氮化硅减反射膜厚度为35-70纳米,下层的氮化硅减反射膜厚度为30-44纳米。
【文档编号】H01L31/049GK204204883SQ201420569554
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】王亚明, 刘雪松, 杨萍 申请人:江河机电装备工程有限公司
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