技术总结
本发明设计半导体制造领域，尤其涉及一种金属电迁移测试结构。测试结构分为电迁移被测结构、电迁移阻挡结构、测试端口和探测端口。电迁移被测结构与电迁移阻挡结构相连，位于测试端口之间。测试结构具有三个探测端口，其中两个探测端口用来精确的确定电迁移被测结构是否失效，另一个探测端口用来探测精确的电迁移被测结构的温度，从而提升测试的准确度。
技术研发人员：刘洋;李明洋;张坤宁
受保护的技术使用者：刘洋;李明洋;张坤宁
文档号码：201510578327
技术研发日：2015.09.14
技术公布日：2017.03.22