技术总结
本发明涉及一种ESD布局结构、电子装置。所述ESD布局结构，包括：第一掺杂类型阱区；第一掺杂类型鳍片阵列，位于所述第一掺杂类型阱区上方，包括若干行第一掺杂类型鳍片；鳍片二极管阵列，位于所述第一掺杂类型阱区上方，包括若干行鳍片二极管，所述鳍片二极管中鳍片的底部为第一掺杂类型，所述鳍片的顶部为第二掺杂类型；其中，所述第一掺杂类型鳍片阵列与所述鳍片二极管阵列并列间隔设置，并且每一行所述第一掺杂类型鳍片与每一行所述鳍片二极管相互交错设置。本发明所述ESD布局结构可以进一步提高所述ESD结构的稳健性，减小缺陷的发生。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2015.09.25
技术公布日：2019.05.17