1.一种多频带辐射阵列，包括：
a)至少一个垂直列的低频带偶极子元件，所述低频带偶极子元件具有第一操作频带；
b)至少一个垂直列的高频带偶极子元件，所述高频带偶极子元件具有第二操作频带，所述第二操作频带高于所述第一操作频带并且具有中间点频率，所述高频带偶极子元件具有组合成大约为第二操作频带的中间点频率的波长的四分之三的高频带偶极子臂，所述高频带偶极子元件中的相应一个高频带偶极子元件被多个高频带馈送板中的相应一个高频带馈送板支撑在平面反射器上方大约为所述第二操作频带的波长的四分之一处，所述相应一个高频带偶极子元件的高频带偶极子臂与所述相应一个高频带馈送板上的馈送线电容性地耦合；
其中所述高频带馈送板中的相应一个高频带馈送板和所述高频带偶极子臂中的相应一个高频带偶极子臂的组合在所述第一操作频带中不共振。
2.如权利要求1所述的多频带辐射阵列，所述高频带偶极子元件在所述第二操作频带中具有大约400Ω-600Ω的阻抗。
3.如权利要求1所述的多频带辐射阵列，其中所述第一操作频带是大约694MHz-960MHz。
4.如权利要求1所述的多频带辐射阵列，其中所述第一操作频带是大约790MHz-960MHz，而所述第二操作频带是大约1710MHz-2170MHz。
5.如权利要求1所述的多频带辐射阵列，其中所述第二操作频带是大约1710MHz-2170MHz。
6.如权利要求1所述的多频带辐射阵列，其中所述第二操作频带是大约1710MHz-2700MHz。
7.如权利要求1所述的多频带辐射阵列，其中所述第二操作频带是所述第一操作频带的大约两倍。
8.如权利要求1所述的多频带辐射阵列，其中所述高频带偶极子元件的偶极子臂被电容性地耦合到所述高频带馈送板上的馈送线。
9.如权利要求1所述的多频带辐射阵列，其中所述高频带馈送板包括平衡不平衡转换器和一对馈送线，其中每条馈送线被电容性地耦合到电感性部分，并且每个电感性部分被电容性地耦合到偶极子臂。
10.一种多频带辐射阵列，包括：
a)至少一个垂直列的低频带偶极子元件，所述低频带偶极子元件具有第一操作频带；
b)至少一个垂直列的高频带偶极子元件，所述高频带偶极子元件具有第二操作频带，所述第二操作频带高于所述第一操作频带并且具有中间点频率，每个高频带偶极子元件具有组合成大约为第二操作频带的中间点频率的波长的四分之三的一对高频带偶极子臂，所述高频带偶极子元件被多个高频带馈送板中的相应高频带馈送板支撑在平面反射器上方；
其中每个高频带馈送板包括平衡不平衡转换器和一对馈送线，其中每条馈送线被电容性地耦合到多个电感性部分中的相应电感性部分，并且每个电感性部分被电容性地耦合到相应高频带偶极子臂，并且
其中每个高频带偶极子臂的长度被选择为使得该高频带偶极子臂与支撑该高频带偶极子臂的高频带馈送板的组合在所述第一操作频带中不共振。
11.如权利要求10所述的多频带辐射阵列，其中所述第二操作频带是所述第一操作频带的大约两倍。
12.一种辐射元件，包括：
a.第一偶极子臂和第二偶极子臂，所述第一偶极子臂和第二偶极子臂各自具有相应的电容性耦合区域；以及
b.馈送板，具有平衡不平衡转换器和耦合到所述平衡不平衡转换器的第一匹配电路和第二匹配电路，所述第一匹配电路耦合到所述第一偶极子臂而所述第二匹配电路耦合到所述第二偶极子臂，
其中所述第一匹配电路包括电学上串联布置的第一杆、第一电容性元件、第一电感器和第二电容性元件，所述第一杆耦合到所述平衡不平衡转换器，所述第二电容性元件耦合到所述第一偶极子臂，并且
其中所述第二匹配电路包括电学上串联布置的第二杆、第三电容性元件、第二电感器和第四电容性元件，所述第二杆耦合到所述平衡不平衡转换器，所述第四电容性元件耦合到所述第二偶极子臂。
13.如权利要求12所述的辐射元件，其中所述第一电容性元件和所述第一杆的区域包括电容器的平行板，并且馈送板衬底包括电容器的电介质。
14.如权利要求12所述的辐射元件，其中所述第二电容性元件和偶极子臂电容性耦合区域组合以形成阻挡带外电流的电容器。
15.如权利要求12所述的辐射元件，其中所述辐射元件还包括交叉偶极子辐射元件。