技术特征：
技术总结
装置包括：在衬底上的非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上的栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道材料上和阻挡材料上。方法包括：在衬底上形成非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上形成栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道上和阻挡材料上。
技术研发人员：S·T·马;W·拉赫马迪;M·V·梅茨;C·S·莫哈帕特拉;G·杜威;N·M·拉哈尔-乌拉比;J·T·卡瓦列罗斯;A·S·默西;T·加尼
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2015.12.17
技术公布日：2018.07.17