1.一种装置，包括：
包括衬底的芯，所述衬底具有形成于其中的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均从所述衬底的第一侧延伸到所述衬底的第二侧，其中，绝缘体设置在所述衬底中的所述第一通孔和所述第二通孔之间；
设置于所述第一通孔中的第一通孔互连；
设置于所述第二通孔中的第二通孔互连；
在所述第一侧提供所述第一通孔互连和所述第二通孔互连之间的短接的第一互连结构；以及
在所述第二侧提供所述第一通孔互连和所述第二通孔互连之间的短接的第二互连结构；
其中，所述第一通孔的总体积等于或小于两千万(20·106)立方微米(μm3)，并且其中，所述第一通孔互连形成的任何孔隙的总体积等于或大于6·103μm3。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一通孔的总体积等于或小于一千三百万(13·106)μm3。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一通孔的总体积等于或小于三百五十万(3.5·106)μm3。
4.根据权利要求1和2中任一项所述的装置，其中，所述第二通孔的总体积等于或小于两千万(20·106)μm3。
5.根据权利要求1、2和4中任一项所述的装置，其中，所述衬底在所述第一侧和所述第二侧之间的厚度等于或小于400μm。
6.根据权利要求1、2、4和5中任一项所述的装置，其中，所述第一通孔的宽度等于或小于200μm。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一通孔的宽度等于或小于100μm。
8.根据权利要求1、2和4-6中任一项所述的装置，其中，所述第一通孔互连形成的任何孔隙的总体积等于或大于9·103μm3。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述第一通孔互连形成的任何孔隙的总体积在9·103μm3和17·103μm3之间的范围中。
10.根据权利要求1、2和4-6中任一项所述的装置，其中，所述第二通孔互连形成的任何孔隙的总体积等于或大于6·103μm3。
11.根据权利要求1、2和4-6中任一项所述的装置，所述衬底还具有形成于其中的从所述第一侧延伸到所述第二侧的第三通孔，所述装置还包括：
设置于所述第三通孔中的第三通孔互连；
其中，所述第一互连结构还提供所述第一通孔互连和所述第二通孔互连之一与所述第三通孔互连之间的短接；并且
其中，所述第二互连结构还提供所述第一通孔互连和所述第二通孔互连之一与所述第三通孔互连之间的短接。
12.根据权利要求1、2和4-6中任一项所述的装置，其中，所述装置的第一冗余通孔互连对被配置成接收差分信号对中的第一信号，所述第一冗余通孔互连对包括沿第一方向线彼此对准的第一通孔互连和第二通孔互连，所述装置还包括与所述第一方向线平行的彼此对准的第二冗余通孔互连对，所述第二冗余通孔互连对被配置为接收差分信号对中的第二信号。
13.根据权利要求1、2和4-6中任一项所述的装置，还包括设置于所述衬底的所述第一侧上的构建层。
14.一种方法，包括：
形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均从所述衬底的第一侧延伸到所述衬底的第二侧，其中，绝缘体设置于所述衬底中的所述第一通孔和所述第二通孔之间；
在所述第一通孔中沉积第一导体；
在所述第二通孔中沉积第二导体；
在所述第一侧处形成所述第一导体和所述第二导体之间的第一短接；以及
在所述第二侧处形成所述第一导体和所述第二导体之间的第二短接；
其中，所述第一通孔的总体积等于或小于两千万(20·106)立方微米(μm3)，并且其中，所述第一通孔互连形成的任何孔隙的总体积等于或大于6·103μm3。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一通孔的总体积等于或小于一千三百万(13·106)μm3。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一通孔的总体积等于或小于三百五十万(3.5·106)μm3。
17.根据权利要求14和15中任一项所述的方法，其中，所述第二通孔的总体积等于或小于两千万(20·106)μm3。
18.根据权利要求14、15和17中任一项所述的方法，其中，所述衬底在所述第一侧和所述第二侧之间的厚度等于或小于400μm。
19.根据权利要求14、15、17和18中任一项所述的方法，其中，所述第一通孔的宽度等于或小于200μm。
20.根据权利要求14、15、17和18中任一项所述的方法，其中，所述第一通孔互连形成的任何孔隙的总体积等于或大于9·103μm3。
21.根据权利要求14、15、17和18中任一项所述的方法，其中，所述第二通孔互连形成的任何孔隙的总体积等于或大于6·103μm3。
22.一种系统，包括：
封装装置，包括：
一个或多个集成电路(IC)芯片；
耦合到所述一个或多个IC芯片的包括衬底的芯，所述衬底具有形成于其中的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均从所述衬底的第一侧延伸到所述衬底的第二侧，其中，绝缘体设置在所述衬底中的所述第一通孔和所述第二通孔之间；
设置于所述第一通孔中的第一通孔互连；
设置于所述第二通孔中的第二通孔互连；
在所述第一侧提供所述第一通孔互连和所述第二通孔互连之间的短接的第一互连结构；以及
在所述第二侧提供所述第一通孔互连和所述第二通孔互连之间的短接的第二互连结构；
其中，所述第一通孔的总体积等于或小于两千万(20·106)立方微米(μm3)，并且其中，所述第一通孔互连形成的任何孔隙的总体积等于或大于6·103μm3；以及
耦合到所述封装装置的显示装置，所述显示装置基于与所述一个或多个IC芯片交换的信号而显示图像。
23.根据权利要求22所述的系统，其中，所述第一通孔的总体积等于或小于一千三百万(13·106)μm3。
24.根据权利要求23所述的系统，其中，所述第一通孔的总体积等于或小于三百五十万(3.5·106)μm3。
25.根据权利要求22和23中任一项所述的系统，其中，所述第二通孔的总体积等于或小于两千万(20·106)μm3。