本发明是有关于一种感测单元的制造方法，且特别是有关于一种光感测阵列的光感测单元的制造方法及其结构。
背景技术：
光感测单元是一种普遍用于手机、平板计算机、笔记型计算机或医疗诊断辅助工具等电子装置的光感元件。传统上，光感测单元的制造流程是在形成氧化物半导体层后，再形成对应的光感测单元。然而，在进行光感测单元的沉积步骤时，会因为氢离子的产生而对氧化物半导体元件造成电性不稳定或电性退化的现象。基于氢离子对于氧化物半导体层的电性影响，现有的光感测单元的制造流程会衍生良率下降的问题并且造成制造成本的增加。另外，现有的氧化物半导体元件亦容易受到水气的影响，造成半导体元件的电性不稳定。因此，如何改善光感测单元的制造流程及半导体元件的结构避免氢离子及水气所带来的影响为目前极须克服的一个重要课题。
技术实现要素：
本发明提供一种光感测阵列的光感测单元的制造方法及其结构，可用以解决氢离子以及水气所带来的电性影响问题。
本发明的光感测阵列的光感测单元的制造方法，包括提供基板，基板上具有至少一单元区域。在基板上的单元区域内形成主动元件。在基板上的单元区域内形成第一电极层，所述第一电极层与主动元件电性连接。在主动元件上形成保护层。在保护层上形成遮蔽层，以遮蔽主动元件。于形成遮蔽层之后，在单元区域内的保护层上形成光感测层，以及，于光感测层上形成第二电极层。
其中，更包括于该主动元件的周围形成一阻隔墙。
其中，该主动元件的形成方法包括：
在该基板上形成一栅极；
在该栅极上形成一绝缘层；
在该绝缘层上形成一半导体层；
在该半导体层上形成一蚀刻终止层；以及
在该蚀刻终止层上形成一源极以及一漏极，该源极以及该漏极与该半导体层接触，其中于该绝缘层以及该蚀刻终止层内形成该阻隔墙，该阻隔墙包括一第一阻隔墙，且该第一阻隔墙围绕该主动元件。
其中，更包括于该保护层内形成该阻隔墙，该阻隔墙包括一第二阻隔墙，该第二阻隔墙围绕该主动元件。
其中，该第一电极层位于该保护层的下方，且该第一电极层与该源极以及漏极同时形成。
其中，该遮蔽层遮蔽该主动元件且遮蔽整个该单元区域。
其中，叠层该光感测层于该主动元件上。
其中，更包括于该保护层上形成一平坦层，且该遮蔽层位于该平坦层上。
其中，该第一电极层位于该平坦层上，且该第一电极层与该遮蔽层同时形成。
本发明另提供一种光感测阵列的光感测单元，包括基板、主动元件、第一电极层、保护层、遮蔽层、光感测层以及第二电极层。所述基板包括至少一单元区域。主动元件位于基板的单元区域内。第一电极层位于单元区域内且与主动元件电性连接。保护层覆盖主动元件以及第一电极层。遮蔽层位于保护层上，其中遮蔽层遮蔽主动元件且遮蔽整个单元区域。光感测层位于保护层上且与第一电极层电性连接。第二电极层位于光感测层上。
其中，更包括一阻隔墙，围绕该主动元件。
其中，该主动元件包括：
一栅极，位于该基板上；
一绝缘层，位于该栅极上；
一半导体层，位于该绝缘层上；
一蚀刻终止层，位于该半导体层上；以及
一源极以及一漏极位于该蚀刻终止层上，该源极以及该漏极与该半导体层接触。
其中，该第一阻隔墙位于该蚀刻终止层以及该保护层中，且该第一阻隔墙为金属材料。
其中，该第一电极层位于该保护层的下方，且该第一电极层与该源极以及该漏极属于同一膜层。
其中，该阻隔墙包括一第一阻隔墙，该第一阻隔墙位于该绝缘层以及该蚀刻终止层内，且该第一阻隔墙围绕该主动元件。
其中，该第一阻隔墙与该第一电极层属于同一膜层。
其中，该阻隔墙包括一第二阻隔墙，该第二阻隔墙位于该保护层内，且该第二阻隔墙围绕该主动元件。
其中，该第二阻隔墙与该遮蔽层属于同一膜层。
其中，更包括一平坦层，位于该保护层上，且该遮蔽层位于该平坦层上。
其中，该第一电极层位于该平坦层上，且该第一电极层与该遮蔽层属于同一膜层。
其中，该遮蔽层遮蔽整个该单元区域。
其中，叠层该光感测层于该主动元件上。
基于上述，本发明的制造方法所形成的光感测阵列的光感测单元包括了第一电极层、遮蔽层以及阻隔墙的结构。因此，在后续步骤形成光感测层时，所述结构可用以阻挡氢离子或是水气的扩散行为，避免造成对半导体元件的电性影响。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明一实施例的光感测阵列示意图。
图2A至图2F为本发明一实施例的光感测单元的制造流程的上视示意图。
图3A至图3G为本发明一实施例的光感测单元的制造流程的剖面示意图。
图4为本发明另一实施例的光感测单元示意图。
图5为本发明另一实施例的光感测单元示意图。
图6为本发明另一实施例的光感测单元示意图。
图7为本发明另一实施例的光感测单元示意图。
图8为本发明另一实施例的光感测单元示意图。
图9A为本发明另一实施例的光感测单元的半导体元件的上视示意图。
图9B为图9A延剖线A-A’的剖面示意图。
图9C为图9A延剖线B-B’的剖面示意图。
图10A为现有的半导体元件的IV曲线图。
图10B为本发明一实施例的光感测单元的半导体元件的IV曲线图。
图10C为本发明一比较例的光感测单元的半导体元件的IV曲线图。
其中，附图标记：
DL：数据线
GL：栅极线
TFT：主动元件
PS：光感测层
R：单元区域
Sub：基板
G：栅极
GI：绝缘层
AL：半导体层
ES：蚀刻终止层
V1、V2、OP：开口
T1：第一沟渠
T2：第二沟渠
S：源极
D：漏极
M1、M’1：第一电极层
M2：第二电极层
BW0:阻隔墙
BW1、BW’1：第一阻隔墙
BW2、BW’2：第二阻隔墙
PL1：第一保护层
PL2：第二保护层
PL3：第三保护层
SD：遮蔽层
PN、PLN：平坦层
CH：接触孔
具体实施方式
图1是依照本发明一实施例的光感测阵列示意图。在本实施例中，光感测阵列包括多个光感测单元。每一光感测单元位于多条数据线DL以及多条栅极线GL所定义的区域(亦即单元区域R)内。基于导电性的考虑，栅极线GL与数据线DL一般是使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其它实施例，栅极线GL与数据线DL也可以使用其它导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料、或是金属材料与其它导材料的堆栈层。另外，每一光感测单元各自包括主动元件TFT与光感测层PS，其中，主动元件TFT分别与数据线DL、栅极线GL以及光感测层PS电性连接。以下，将针对单元区域R中的一部份的光感测单元的制造流程进行说明，如图2A至图2F以及图3A至图3G所示。
图2A至图2F为本发明一实施例的光感测单元的制造流程的上视示意图。图3A至图3G为本发明一实施例的光感测单元的制造流程的剖面示意图。图3A至图3F分别为对应图2A至图2F的剖面示意图。首先，请参考图2A以及图3A，本实施例的光感测阵列的光感测单元的制造方法包括提供基板Sub，所述基板Sub上具有至少一单元区域R(如图1所标示)。基板Sub的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。
于基板Sub上的单元区域R内形成主动元件。所述主动元件的形成方法包括在基板Sub上形成栅极G以及与栅极G连接的栅极线GL，并且在栅极G以与栅极线GL上形成绝缘层GI。接着，在绝缘层GI上形成半导体层AL。特别是，半导体层AL可为氧化物半导体材料，包括例如氧化铟镓锌(Indium-Gallium-ZincOxide,IGZO)、氧化锌(ZnO)氧化锡(SnO)、氧化铟锌(Indium-ZincOxide,IZO)、氧化镓锌(Gallium-ZincOxide,GZO)、氧化锌锡(Zinc-TinOxide,ZTO)或氧化铟锡(Indium-TinOxide,ITO)等等，但不限于此。半导体层AL也可以是非晶硅、多晶硅或是其它半导体材料。
承上所述，请参考图2B以及图3B，在半导体层AL以及绝缘层GI的上方形成蚀刻终止层ES。蚀刻终止层ES中具有开口V1以及第一沟渠T1。特别是，所述第一沟渠T1是贯穿蚀刻终止层ES以及绝缘层GI以延伸至基板Sub的表面，且第一沟渠T1将半导体层AL以与栅极G包围(如图2B所示)。
接着，请参考图2C以及图3C，在蚀刻终止层ES上形成源极S以及漏极D，并且同时在基板Sub上的单元区域R内形成第一电极层M1。在本实施例中，第一电极层M1与源极S以及漏极D是同时形成，且属于同一膜层。另外，源极S以及漏极D是透过开口V1与半导体层AL接触。所述第一电极层M1是与漏极D电性连接。如图3C所标示，上述栅极G、源极S、漏极D以及半导体层AL组成主动元件TFT。于本实施例中，于主动元件TFT的周围形成阻隔墙BW0，其中阻隔墙BW0包括第一阻隔墙BW1。在形成第一电极层M1、源极S以及漏极D的同时，更包括于绝缘层GI以及蚀刻终止层ES的第一沟渠T1内形成第一阻隔墙BW1。第一阻隔墙BW1材料可包括金属氧化物导电材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝铟、氧化铟(InO)、氧化镓(galliumoxide,GaO)或其它金属氧化物导电材料、石墨烯、金属材料例如钼(Mo)、钛(Ti)或其它金属材料，金属合金例如氮化钼(MoN)、上述材料的组合、或者其它具有低阻值的导电材料。第一电极层M1为金属材料包括金属例如铝、钛/铝/钛、钼、钼/铝/钼、上述金属组成的合金或其它适合的金属或合金于本实施例中。第一阻隔墙BW1与第一电极层M1可为相同步骤形成。第一阻隔墙BW1是填入第一沟渠T1中，且所述第一阻隔墙BW1围绕主动元件TFT。本实施例中，第一阻隔墙BW1与第一电极层M1可为不同步骤形成，且材料可为不同，然此并非用以限制本发明。由于第一阻隔墙BW1围绕主动元件TFT，因此，于后续工艺步骤中，可避免氢离子以及水气扩散而使主动元件TFT的电性受到影响。在本实施例中，主动元件TFT是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。根据其它实施例，所述主动元件TFT可以是顶部栅极型薄膜晶体管。
接着，请参考图2D以及图3D，在主动元件TFT上形成第一保护层PL1，其中第一电极层M1是位于第一保护层PL1的下方。第一保护层PL1具有第二沟渠T2以及开口V2。所述第二沟渠T2是贯穿保护层PL1并延伸至第一电极层M1的表面，且第二沟渠T2围绕上述主动元件TFT(如图2D所示)。
再来，请参考图2E以及图3E，在保护层PL1上形成遮蔽层SD，以遮蔽主动元件TFT。所述遮蔽层SD遮蔽整个单元区域R中的主动元件TFT，且遮蔽层SD是由不透光金属所组成。所述金属材料包括金属例如铝、钛/铝/钛、钼、钼/铝/钼、上述金属组成的合金或其它适合的金属或合金于本实施例中。另外，在形成遮蔽层SD的同时，更包括于保护层PL1的第二沟渠T2内形成阻隔墙BW0，其中阻隔墙BW0包括第二阻隔墙BW2，且所述第二阻隔墙BW2围绕主动元件TFT。第二阻隔墙BW2的材料可包括金属氧化物导电材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝铟、氧化铟(InO)、氧化镓(galliumoxide,GaO)或其它金属氧化物导电材料、石墨烯、金属材料例如钼(Mo)、钛(Ti)或其它金属材料，金属合金例如氮化钼(MoN)、上述材料的组合、或者其它具有低阻值的导电材料。另外，第二阻隔墙BW2与遮蔽层SD可为相同步骤形成，且第二阻隔墙BW2与遮蔽层SD属于同一膜层。然而，于本实施例中，第二阻隔墙BW2与遮蔽层SD可为不同步骤形成，且材料可为不同，然此并非用以限制本发明。由于第一阻隔墙BW1以及第二阻隔墙BW2围绕主动元件TFT，因此，于后续工艺步骤中，可进一步避免氢离子以及水气的扩散而使主动元件TFT的电性受到影响。
再来，请参考图2F以及图3F，于形成遮蔽层SD之后，在单元区域R内形成光感测层PS，其中，光感测层PS是填入保护层PL1的开口V2中。光感测层PS是透过开口V2与第一电极层M1电性连接。于形成光感测层PS之后，可在光感测层PS的上方分别形成第二保护层PL2、第二电极层M2以及第三保护层PL3以形成如图3G所示的光感测单元结构。
详细来说，图3G所示的光感测单元结构可对应于本发明一实施例的半导体元件，且为对应于图2F延剖线X-X’的剖面示意图。参考图3G，半导体元件包括基板Sub、主动元件TFT、保护层PL1以及第一阻隔墙BW1。主动元件TFT位于基板Sub上。特别是，主动元件TFT包括栅极G、绝缘层GI、半导体层AL、蚀刻终止层ES、源极S以及漏极D。承上所述，绝缘层GI覆盖栅极G。半导体层AL位于栅极G上方。蚀刻终止层ES覆盖半导体层AL。源极S以及漏极D位于蚀刻终止层ES上，且与半导体层AL电性接触。
另外，保护层PL1用以覆盖主动元件TFT，且第一阻隔墙BW1围绕主动元件TFT。在图3G的实施例中，半导体元件更包括第一电极层M1、遮蔽层SD、光感测层PS、第二电极层M2以及第二阻隔墙BW2(见图3E)。承上所述，第一电极层M1与主动元件TFT电性连接，且保护层PL1覆盖第一电极层M1。第二阻隔墙BW2位于保护层PL1内，且围绕主动元件TFT。遮蔽层SD位于保护层PL1上，且遮蔽主动元件TFT。光感测层PS位于保护层PL1上，且与第一电极层M1电性连接。另外，第二电极层M2位于光感测层PL1上。
在图3G的半导体元件中，由于第一阻隔墙BW1以及第二阻隔墙BW2围绕主动元件TFT，因此，可进一步避免氢离子以及水气的扩散而使主动元件TFT的电性受到影响。
图4为本发明另一实施例的光感测单元示意图。图4的光感测单元结构与图3G的光感测单元结构类似，且同样为对应于图2F延剖线X-X’的剖面，因此，相同元件以相同标号表示，且不予赘述。图4与图3G的光感测单元差异在于，图4的光感测单元的制造方法更包括于保护层PL1上形成平坦层PN，且遮蔽层SD是位于保护层PL1以及平坦层PN上，并遮蔽主动元件TFT且遮蔽整个单元区域R。由于增加了平坦层PN，因此可以减少第一电极层M’1与主动元件TFT寄生电容的发生机会，同时也可以确保光感应层PS的平坦性。第一电极层M’1是位于平坦层PN上，且第一电极层M’1与遮蔽层SD是同时形成。换言之，第一电极层M’1与遮蔽层SD是属于同一膜层。另外，相较于图3G的光感测单元结构，光感测层PS是叠层于主动元件TFT上，因此增加了光感测层PS的感测面积。在本实施例中，由于第一电极层M’1与遮蔽层SD是同时形成于主动元件TFT的上方，因此，在形成光感测层PS时，可避免氢离子以及水气的扩散而使主动元件TFT的电性受到影响。
图5为本发明另一实施例的光感测单元示意图。图5实施例的光感测单元是以类似于图4光感测单元的制造方法所形成。图5的光感测单元结构与图4的光感测单元结构类似，且同样为对应于图2F延剖线X-X’的剖面，因此，相同元件以相同标号表示，且不予赘述。图5与图4的光感测单元差异在于，图5的光感测单元的制造方法更包括于主动元件TFT的周围形成第一阻隔墙BW’1。在本实施例中，由于第一阻隔墙BW’1围绕主动元件TFT，因此，于后续工艺步骤中，可避免氢离子以及水气的扩散而使主动元件TFT的电性受到影响。
图6为本发明另一实施例的光感测单元示意图。图6实施例的光感测单元是以类似于图5光感测单元的制造方法所形成。图6的光感测单元结构与图5的光感测单元结构类似，且同样为对应于图2F延剖线X-X’的剖面，因此，相同元件以相同标号表示，且不予赘述。图6与图5的光感测单元差异在于，图6的光感测单元的制造方法更包括于平坦层PN内形成第二阻隔墙BW’2，其中，第二阻隔墙BW’2围绕主动元件TFT。在本实施例中，由于第一阻隔墙BW’1以及第二阻隔墙BW’2围绕主动元件TFT，因此，于后续工艺步骤中，可进一步避免氢离子以及水气的扩散而使主动元件TFT的电性受到影响。
图7为本发明另一实施例的光感测单元示意图。图7实施例的光感测单元是以类似于图4光感测单元的制造方法所形成。图7的光感测单元结构与图4的光感测单元结构类似，且同样为对应于图2F延剖线X-X’的剖面，因此，相同元件以相同标号表示，且不予赘述。图7与图4的光感测单元差异在于，图7的光感测单元不包括平坦层PN，且光感测层PS直接形成于第一电极层M’1与遮蔽层SD的上方，并且叠层于主动元件TFT上。在本实施例中，由于第一电极层M’1与遮蔽层SD是同时形成于主动元件TFT的上方，因此，在形成光感测层PS时，可避免氢离子以及水气的扩散而使主动元件TFT的电性受到影响。
图8为本发明另一实施例的光感测单元示意图。图8实施例的光感测单元是以类似于图7光感测单元的制造方法所形成。图8的光感测单元结构与图7的光感测单元结构类似，且同样为对应于图2F延剖线X-X’的剖面，因此，相同元件以相同标号表示，且不予赘述。图8与图7的光感测单元差异在于，图8的光感测单元的制造方法更包括于主动元件TFT的周围形成第一阻隔墙BW’1。在本实施例中，由于第一阻隔墙BW’1围绕主动元件TFT，因此，于后续工艺步骤中，可避免氢离子以及水气的扩散而使主动元件TFT的电性受到影响。
图9A为本发明另一实施例的光感测单元的半导体元件的上视示意图。图9B为图9A延剖线A-A’的剖面示意图。图9C为图9A延剖线B-B’的剖面示意图。请同时参考图9A、图9B以及图9C。在本实施例的光感测单元的半导体元件包括基板Sub、主动元件TFT、保护层PL1以及遮蔽层SD。主动元件TFT位于基板Sub上，且主动元件TFT包括栅极G、绝缘层GI、半导体层AL、蚀刻终止层ES、源极S以及漏极D。承上所述，绝缘层GI覆盖栅极G，半导体层AL位于栅极G上方。蚀刻终止层ES覆盖半导体层AL。源极S以及漏极D位于蚀刻终止层ES上，且与半导体层AL电性接触。
在本实施例中，半导体元件更包括平坦层PLN位于保护层PL1的上方。开口OP围绕主动元件TFT，并位于平坦层PLN以及保护层PL1中。遮蔽层SD位于该保护层PL1上，其中遮蔽层SD遮蔽主动元件TFT，且遮蔽层SD遮蔽整个单元区域。遮蔽层SD是由不透光金属所组成，所述金属材料包括金属例如铝、钛/铝/钛、钼、钼/铝/钼、上述金属组成的合金或其它适合的金属或合金于本实施例中。另外，于剖线A-A’的剖面中，阻隔墙BW0会填入平坦层PLN以及保护层PL1的开口OP。但值得注意的是，于剖线B-B’的剖面中，开口OP透过平坦层PLN并延伸至保护层PL1的表面。换言之，于剖线B-B’的剖面中，遮蔽层SD仅会填入平坦层PLN的开口OP，以使其与数据线DL电性绝缘。
阻隔墙BW0的材料可包括金属氧化物导电材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝铟、氧化铟(InO)、氧化镓(galliumoxide,GaO)或其它金属氧化物导电材料、石墨烯、金属材料例如钨、钼、钛、铜、铝或银或其它金属材料，金属合金例如氮化钼(MoN)、上述材料的组合、或者其它具有低阻值的导电材料。遮蔽层SD与阻隔墙BW0可为相同步骤形成，然而，本发明不限于此。于本实施例中，阻隔墙BW0与遮蔽层SD可为不同步骤形成，且材料可为不同，然此并非用以限制本发明。
参考图9A至图9C，阻隔墙BW0是围绕主动元件TFT。也就是说，阻隔墙BW0是填入开口OP并且环绕着主动元件TFT的侧边，且遮蔽层SD覆盖主动元件TFT的上边。阻隔墙BW0借由开口OP的接触孔CH与主动元件TFT的漏极D接触。另外，遮蔽层SD的厚度是大于100奈米。在本实施例中，由于阻隔墙BW0会围绕主动元件TFT，因此，可阻挡氢离子以及水气的扩散，避免主动元件TFT的电性受到影响。另外，于图9A至图9C的所示的半导体元件中，可于阻隔墙BW0上方形成光感测层，使光感测层叠层于主动元件TFT上，以达成本发明另一实施例的光感测单元结构。
实施例
为了证明本发明光感测单元的半导体元件可用以阻挡氢离子以及水气的扩散，避免主动元件TFT的电性受到影响，特别以下列实例作为说明。
图10A为现有的半导体元件的IV曲线图(Ids-Vgscurve)。于图10A的实施例中，是在无任何氢离子以及水气的状态下，针对现有的半导体元件量测电压与电流关系的IV曲线图。由图10A可得知，在无任何氢离子以及水气的状态下，一般的半导体元件的主动元件在不同的电压VD下(0.1V与10V)，都可正常的进行开关。
图10B为本发明一实施例的光感测单元的半导体元件的IV曲线图。图10B是在具有氢离子以及水气的状态下，针对图9A至图9C的光感测单元的半导体元件，也就是具有阻隔墙BW0的半导体元件所量测的电压与电流关系的IV曲线图。由图10B的实验结果发现，即使在具有氢离子以及水气的状态下，图9A至图9C的半导体元件的IV曲线图与图10A的IV曲线图无异。也就是说，本发明的半导体元件由于包括了阻隔墙BW0用以阻挡氢离子以及水气对主动元件TFT的影响，因此，其电压与电流关系与正常状态下无异。换言之，在具有氢离子以及水气的状态下，本发明的半导体元件的主动元件TFT在不同的电压VD下(0.1V与10V)，皆可正常的进行开关。
图10C为本发明一比较例的光感测单元的半导体元件的IV曲线图。图10C是在具有氢离子以及水气的状态下，针对现有的半导体元件，也就是不包括阻隔墙BW0的半导体元件所量测的电压与电流关系的IV曲线图。由图10C的实验结果发现，在具有氢离子以及水气的状态下，现有的半导体元件的主动元件的电性特性会受到的影响。详细来说，由于现有的半导体元件不包括阻隔墙BW0，因此，无法有效的阻挡氢离子以及水气的扩散。换言之，在具有氢离子以及水气的状态下，现有的半导体元件的主动元件在不同的电压VD下(0.1V与10V)，无法正常的进行开关。
综上所述，本发明的制造方法所形成的光感测阵列的光感测单元包括了第一电极层M1(M’1)、遮蔽层SD、阻隔墙BW0(包括第一、第二阻隔墙)结构。特别是，第一电极层M1(M’1)以及遮蔽层SD是形成于主动元件TFT的上方，用以遮蔽主动元件TFT。另外，阻隔墙BW0会将主动元件TFT包围。因此，在后续形成光感测层PS的步骤时，上述结构可用以阻挡氢离子或是水气的扩散效应避免主动元件TFT的电性受到影响。另外，在上述的实施例中，由于光感测层PS是在第一电极层M1(M’1)以及遮蔽层SD之后形成，因此，可避免在光感测层PS的蚀刻过程中，所使用的电浆对主动元件TFT的通道产生的损坏。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。