kW级超紧凑高隔离度共面魔T及微波功率合成方法与流程

技术特征：

1.一种kW级超紧凑高隔离度共面魔T，包括和端口、差端口、两个输入端口、波导单元、耦合探针，其特征在于：

还包括同轴-同轴波导匹配单元和同轴-矩形波导匹配单元；

所述波导单元包括一个全高矩形波导段、两个与全高矩形波导段窄边T形连接的半高矩形波导段、两个与半高矩形波导段分别连接的90度半高E面弯波导段、两个与半高E面弯波导连接的半高直波导段；

所述差端口设置在全高矩形波导段的外端面；

所述两个输入端口分别设置在与半高直矩形波导段外连接的同轴波导外端面；

所述和端口通过同轴-同轴波导匹配单元与半高矩形波导段连接；

所述同轴-矩形波导匹配单元设置在半高直波导段内且与输入端口连接。

2.根据权利要求1所述的kW级超紧凑高隔离度共面魔T，其特征在于：

所述同轴-同轴波导匹配单元包括依次同轴连接的介质匹配同轴波导段、第一空气匹配同轴波导段、第二空气匹配同轴波导段；

所述和端口设置在介质匹配同轴波导段的外端面且与之共轴；

所述耦合探针设置在半高矩形波导段内且与第二空气匹配同轴波导段共轴连接。

3.根据权利要求1所述的kW级超紧凑高隔离度共面魔T，其特征在于：

所述同轴-矩形波导匹配单元包括沿半高直波导段方向依次连接的一个底部匹配矩形金属块、至少一个中部匹配矩形金属块、一个顶部匹配矩形金属块；

所述底部匹配矩形金属块的另一端面与输入端口共轴连接；

所述至少一个中部匹配矩形金属块和所述顶部匹配矩形金属块均与半高直波导段的其中一个侧面紧贴；

两个半高直波导段内的所述至少一个中部匹配矩形金属块和所述顶部匹配矩形金属块均与半高直波导段的同一方位的侧面紧贴；

所述至少一个中部匹配矩形金属块和所述顶部匹配矩形金属块的宽度依次减小；

所述顶部匹配矩形金属块长度大于任一中部匹配矩形金属块的长度；

所述至少一个中部匹配矩形金属块和所述顶部匹配矩形金属块均设置在半高直波导段的中部且与之平行。

4.根据权利要求3所述的kW级超紧凑高隔离度共面魔T，其特征在于：所述耦合探针的半径及插入全高矩形波导段的长度用于调节和端口和差端口的匹配特性；所述底部匹配矩形金属块、中部匹配矩形金属块和顶部匹配矩形金属块的尺寸用于调节输入端口的匹配特性。

5.根据权利要求4所述的kW级超紧凑高隔离度共面魔T，其特征在于：中部匹配矩形金属块的数量为两个。

6.基于权利要求1至5所述kW级超紧凑高隔离度共面魔T的微波功率合成方法，其特征在于：包括以下几种模式：

1)TE₁₀模式的微波信号进入全高矩形波导段构成的差端口后，差端口无反射；因模式反对称特性被同轴结构的和端口高度隔离后，微波信号被等幅反相分配后分别通过两路90度半高E面弯波导段、半高矩形波导段及半高直波导段，再经同轴-矩形波导匹配单元进行TE₁₀-TEM模式转换后，最后从与半高直波导段相连的同轴结构构成的输入端口输出；

2)TEM模式的微波信号进入同轴结构的和端口后，和端口无反射，被同轴耦合探针耦合至全高矩形波导段内；因模式反对称特性被全高矩形波导结构的差端口高度隔离后，微波信号被等幅同相分配后分别通过两路90度半高E面弯波导段、半高矩形波导段及半高直波导段，再经同轴-矩形波导匹配单元进行TE₁₀-TEM模式转换后，最后从与半高直波导段相连的同轴结构构成的输入端口输出；

3)TEM模式微波信号进入其中一路与半高矩形波导段连接的输入端口后，自身无反射，另一路与半高矩形波导段连接的输入端口被高度隔离；微波信号被等幅分配至全高矩形波导结构构成的差端口和同轴结构的和端口。