技术总结
本发明涉及一种kW级超紧凑高隔离度共面魔T及微波功率合成方法，共面魔T包括位于同一平面的和端口、差端口、两个输入端口，还包括波导单元、耦合探针、同轴‑同轴波导匹配单元和同轴‑矩形波导匹配单元；耦合探针的半径及插入全高矩形波导段的长度用于调节和端口和差端口的匹配特性。TE10信号进入差端口，被等幅反相分配后从输入端口输出；TEM信号进入和端口，被等幅同相分配后从输入端口输出。本发明共面魔T解决了现有的介质微波功率合成很难满足kW级功率容量和低插损高隔离度以及尺寸体积要求，其和差端口的共面排布，在实现较宽的带宽同时，具有紧凑的横截面积，高功率容量以及小的插损。
技术研发人员：郭乐田;黄文华;邵浩;李佳伟;巴涛
受保护的技术使用者：西北核技术研究所
文档号码：201610551499
技术研发日：2016.07.13
技术公布日：2016.12.14