1.一种推阱工艺，其特征在于，于一反应炉管内进行，所述推阱工艺包括：
第一升温阶段，通入惰性气体至所述反应炉管，以使放置于所述反应炉管内的半导体器件被所述惰性气体包围；
第二升温阶段，通入氧气至所述反应炉管，以在所述半导体器件的表面生成薄氧化层；
恒温阶段及降温阶段，继续通入所述惰性气体至所述反应炉管，以使所述半导体器件在所述惰性气体的氛围下继续所述推阱工艺；
其中，在所述第二升温阶段，还通入二氯乙烯气体至所述反应炉管，以吸附所述反应炉管内部以及所述半导体器件表面的钠离子杂质。
2.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，所述惰性气体为氮气。
3.如权利要求2所述的推阱工艺，其特征在于，在所述第一升温阶段、所述恒温阶段和所述降温阶段，所述氮气的通入流量为15 l/min。
4.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，所述第一升温阶段为所述反应炉管的温度升温至900摄氏度的阶段。
5.如权利要求4所述的推阱工艺，其特征在于，所述第一升温阶段的持续时间为75分钟。
6.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，所述第二升温阶段包括前半升温阶段、中间恒温阶段以及后半升温阶段；
其中，所述氧气和所述二氯乙烯气体于所述前半升温阶段和所述后半升温阶段通入，且在所述中间恒温阶段，通入惰性气体至所述反应炉管。
7.如权利要求6所述的推阱工艺，其特征在于，在所述前半升温阶段，所述反应炉管的温度从900摄氏度升温至1100摄氏度；
在所述后半升温阶段，所述反应炉管的温度从1100摄氏度升温至1150摄氏度。
8.如权利要求6所述的推阱工艺，其特征在于，所述前半升温阶段的持续时间为40分钟，所述中间恒温阶段的持续时间为20分钟，所述后半升温阶段的持续时间为20分钟。
9.如权利要求6所述的推阱工艺，其特征在于，在所述前半升温阶段和所述后半升温阶段，所述氧气的通入流量为15 l/min，所述二氯乙烯的通入流量为400ml/min。
10.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，在所述恒温阶段，所述反应炉管的温度维持在1150摄氏度。
11.如权利要求10所述的推阱工艺，其特征在于，所述恒温阶段的持续时间为160分钟。
12.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，所述半导体器件为TVS二极管。