波长转换部件和发光装置的制作方法

文档序号:11136748阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种发光装置,其特征在于:

具备光源和一体地覆盖所述光源的至少一部分的波长转换部,

该波长转换部具有:含有构成单元的树脂,该构成单元源自具有聚合性官能团的离子性液体;和分散于所述树脂中的半导体纳米颗粒荧光体。

2.一种波长转换部件,其特征在于,具备:

含有构成单元的树脂,该构成单元源自具有聚合性官能团的离子性液体;和

分散于所述树脂中的半导体纳米颗粒荧光体,

所述波长转换部件接收激发光而发出荧光。

3.一种发光装置,其特征在于,具备:

权利要求2所述的波长转换部件;和

与波长转换部件分体设置的向波长转换部件射出激发光的光源。

4.如权利要求1或3所述的发光装置,其特征在于:

所述聚合性官能团为(甲基)丙烯酸酯基。

5.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于:

具有所述丙烯酸酯基的离子性液体为2-(甲基丙烯酰氧基)乙基三甲基铵双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺或1-(3-丙烯酰氧基-丙基)-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。

6.如权利要求1或3所述的发光装置,其特征在于:

所述半导体纳米颗粒荧光体是发出波长380~780nm的可见光的荧光体。

7.如权利要求1或3所述的发光装置,其特征在于:

所述半导体纳米颗粒荧光体含有选自InP、InN、InAs、InSb、InBi、ZnO、In2O3、Ga2O3、ZrO2、In2S3、Ga2S3、In2Se3、Ga2Se3、In2Te3、Ga2Te3、CdSe、CdTe及CdS中的至少一种材料。

8.如权利要求1或3所述的发光装置,其特征在于:

所述半导体纳米颗粒荧光体包含发红色光的第一半导体纳米颗粒荧光体和发绿色光的第二半导体纳米颗粒荧光体。

9.如权利要求8所述的发光装置,其特征在于:

从接近光源的一侧起依次设置有第一波长转换层和第二波长转换层,第一波长转换层和第二波长转换层中的任一者含有发红色光的第一半导体纳米颗粒荧光体,第一波长转换层和第二波长转换层中的另一者含有发绿色光的第二半导体纳米颗粒荧光体。

10.如权利要求9所述的发光装置,其特征在于:

所述第一波长转换层含有发红色光的第一半导体纳米颗粒荧光体,所述第二波长转换层含有发绿色光的第二半导体纳米颗粒荧光体。

11.如权利要求8所述的发光装置,其特征在于:

所述光源发蓝色光,发光装置发白色光。

12.如权利要求1或3所述的发光装置,其特征在于:

所述半导体纳米颗粒荧光体是在其表面键合有离子性表面修饰分子的荧光体。

13.如权利要求12所述的发光装置,其特征在于:

所述离子性表面修饰分子为选自2-(二乙氨基)乙硫醇盐酸盐、十六烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基溴化铵和溴化硫代胆碱中的任一种。

14.如权利要求1或3所述的发光装置,其特征在于:

还含有所述半导体纳米颗粒荧光体以外的荧光体。

15.如权利要求14所述的发光装置,其特征在于:

所述半导体纳米颗粒荧光体以外的荧光体为CaAlSiN3红色荧光体和YAG:Ce黄色荧光体中的至少一种。

16.如权利要求1或3所述的发光装置,其特征在于:

还具备具有透光性的阻气层。

17.如权利要求16所述的发光装置,其特征在于:

所述阻气层由选自玻璃、硅酮树脂和丙烯酸树脂中的任一种材料形成。

18.如权利要求16所述的发光装置,其特征在于:

所述阻气层为分散有由无机材料构成的散射剂的层。

19.如权利要求1或3所述的发光装置,其特征在于:

所述半导体纳米颗粒荧光体在所述树脂中形成并分散有簇状的集合体。

20.如权利要求19所述的发光装置,其特征在于:

所述半导体纳米颗粒荧光体以半导体纳米颗粒荧光体彼此不相互接触的方式分散于所述树脂中。

21.如权利要求19所述的发光装置,其特征在于:

在所述簇状的集合体中,相互最接近的所述半导体纳米颗粒荧光体彼此的直线距离为10nm以下。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1