技术总结
本发明提供了一种降低变容器最小电容的方法，包括：进行浅沟槽隔离制作，形成有源区；利用第一光刻胶图案，对核心NMOS区域和输入输出NMOS区域进行阱注入形成P型阱；利用第二光刻胶图案，对核心NMOS区域和变容器区域执行离子注入；利用第三光刻胶图案，在变容器区域通过注入形成N型阱；制作栅极氧化层并淀积栅极多晶硅，而且进行栅极多晶硅的光刻和刻蚀以形成栅极；将刻蚀后的栅极多晶硅和栅极氧化层进行修复氧化；制作栅极侧墙；进行源漏注入以形成源漏极。
技术研发人员：卢海峰;张冬明;刘巍
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201610766363
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2016.12.07