本发明涉及多晶硅技术领域，尤其涉及一种多晶硅硅锭的清洗方法
背景技术：
目前，铸锭生产对于硅料的清洗都是用HF和HNO3的混合酸来清洗，这种清洗方法几乎适用于每一种原料。更有甚者，需要先用NaOH浸泡后再进行酸洗。这种清洗方法不仅需要特定的酸洗设备和尾气处理设备，成本较高，而且会对环境产生很大的影响，不利于环境的可持续发展。酸洗仅适用于专业的酸处理厂家，并不适用于提倡新能源的多晶硅铸锭企业。
技术实现要素：
本发明的目的是：提供一种非酸洗的一种硅料的清洗方法，对于适用原料不仅能够达到理想的清洗效果，同时也不会对环境产生影响，成本很低。
本发明提供了一种多晶硅硅锭的清洗方法，包括以下步骤：步骤S100：清洗前要对需要清洗的硅块料进行喷砂处理，时间在20-40min之间；步骤S200：用酒精把硅块头尾的字迹，污渍擦洗干净；步骤S300：往清洗机的1号水槽中加入适量纯水后加入3L-5L硅片清洗液，加热到45-55℃，把用酒精清洗过的硅块放入水槽，超声清洗10-30min；步骤S400：往清洗机的2号水槽中加入适量纯水，鼓泡清洗5-15min分钟进行初漂洗；步骤S500：往清洗机的3号水槽中加入食用级柠檬酸5-8L，加热到65-85℃，把漂洗过的硅块放入3号水槽中，清洗5-15min，并用无尘纸擦洗表面；步骤S600：重复步骤S400后，将硅块放入已进行清洗的托盘上，硅块底部要垫上无尘纸；步骤S700：把清洗过放在烘干托盘上的硅块进行烘干处理，烘干温度150-200℃，时间为1-2h；步骤S800： 用干净的聚乙稀塑料包装袋放入周转箱内，密封好，并做好标示。
优选的，所述步骤S300：往清洗机的1号水槽中加入适量纯水后加入3L硅片清洗液，加热到50℃，把用酒精清洗过的硅块放入水槽，超声清洗10min。此举可有效清除硅锭表面附着的油污等碱溶性的杂质。
优选的，所述步骤S400：往清洗机的2号水槽中加入适量纯水，鼓泡清洗10min分钟进行初漂洗。可以清除不溶性的杂质附着。
优选的，所述步骤S500：往清洗机的3号水槽中加入食用级柠檬酸5L，加热到70℃，把漂洗过的硅块放入3号水槽中，清洗10min，并用无尘纸擦洗表面。可有效去除酸溶性杂质。
优选的，所述步骤S700：把清洗过放在烘干托盘上的硅块进行烘干处理，烘干温度150℃，时间为2h。温度适中，既不造成硅锭表面氧化，也减少烘干时间。
有益效果：这种清洗方法可以使得清洗成本从7元/kg降低为3元/kg；清洗过程中不使用严重污染的HF和HNO3，有利于环境保护。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。本发明是在没有酸洗设备和不能排酸的情况下的一种硅料的清洗方法，适用于提纯小方锭，回炉硅块和T2循环料等表面较为光滑的硅料。进入清洗室必须穿好工作衣，工作鞋，戴工作帽，清洗操作时必须佩带防酸碱手套和口罩。用专业毛巾清洗工作台，保证工作台面的清洁度。
实施例1
步骤S100：清洗前要对需要清洗的硅块料进行喷砂处理，时间在20min之间；步骤S200：用酒精把硅块头尾的字迹，污渍擦洗干净；步骤S300：往清洗机的1号水槽中加入适量纯水后加入3L硅片清洗液，加热到45℃，把用酒精清洗过的硅块放入水槽，超声清洗10min；步骤S400：往清洗机的2号水槽中加入适量纯水，鼓泡清洗5min分钟进行初漂洗；步骤S500：往清洗机的3号水槽中加入食用级柠檬酸5L，加热到65℃，把漂洗过的硅块放入3号水槽中，清洗5min，并用无尘纸擦洗表面；步骤S600：重复步骤S400后，将硅块放入已进行清洗的托盘上，硅块底部要垫上无尘纸；步骤S700：把清洗过放在烘干托盘上的硅块进行烘干处理，烘干温度150℃，时间为1h；步骤S800：用干净的聚乙稀塑料包装袋放入周转箱内，密封好，并做好标示。
实施例2
步骤S100：清洗前要对需要清洗的硅块料进行喷砂处理，时间在30min之间；步骤S200：用酒精把硅块头尾的字迹，污渍擦洗干净；步骤S300：往清洗机的1号水槽中加入适量纯水后加入4L硅片清洗液，加热到50℃，把用酒精清洗过的硅块放入水槽，超声清洗20min；步骤S400：往清洗机的2号水槽中加入适量纯水，鼓泡清洗10min分钟进行初漂洗；步骤S500：往清洗机的3号水槽中加入食用级柠檬酸6.5L，加热到75℃，把漂洗过的硅块放入3号水槽中，清洗10min，并用无尘纸擦洗表面；步骤S600：重复步骤S400后，将硅块放入已进行清洗的托盘上，硅块底部要垫上无尘纸；步骤S700：把清洗过放在烘干托盘上的硅块进行烘干处理，烘干温度175℃，时间为1.5h；步骤S800：用干净的聚乙稀塑料包装袋放入周转箱内，密封好，并做好标示。
实施例3
步骤S100：清洗前要对需要清洗的硅块料进行喷砂处理，时间在40min之 间；步骤S200：用酒精把硅块头尾的字迹，污渍擦洗干净；步骤S300：往清洗机的1号水槽中加入适量纯水后加入5L硅片清洗液，加热到55℃，把用酒精清洗过的硅块放入水槽，超声清洗30min；步骤S400：往清洗机的2号水槽中加入适量纯水，鼓泡清洗15min分钟进行初漂洗；步骤S500：往清洗机的3号水槽中加入食用级柠檬酸8L，加热到85℃，把漂洗过的硅块放入3号水槽中，清洗15min，并用无尘纸擦洗表面；步骤S600：重复步骤S400后，将硅块放入已进行清洗的托盘上，硅块底部要垫上无尘纸；步骤S700：把清洗过放在烘干托盘上的硅块进行烘干处理，烘干温度200℃，时间为2h；步骤S800：用干净的聚乙稀塑料包装袋放入周转箱内，密封好，并做好标示。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。