多晶硅方硅芯及其搭接结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种多晶硅方硅芯，属于多晶硅生产技术领域。
【背景技术】
[0002]目前，目前国内生产多晶硅的工艺大部分都是常规三氯氢硅氢还原法，即改良西门子法，改良西门子法或其他类似方法生产大直径多晶硅的主要设备是多晶硅还原炉，多晶硅还原炉在细长的硅芯上通上电源，使硅芯加热发红，直至表面温度达到1100摄氏度，通入高纯的三氯氢硅和氢气，使其在高温下发生氢还原反应，使三氯氢硅中的硅分子堆积在硅芯上，使其的直径不断地增大，通常，硅芯的直径在7-10毫米，可以是圆形也可以是方型，或是其他形状，最终通过氢还原反应使直径不断地增大到120-200毫米，生产出高纯太阳能级6N或电子级11N的多晶硅。
[0003]现硅芯的制备方法有二种，传统的方法是用CZ法（区熔提拉法），即把直径在20-50毫米的硅棒在充满惰性气体的真空炉膛内用高频感应加热，使其顶部局部熔化，从上部放入I根直径在5-10毫米的籽晶，然后慢慢向上提拉，使其成为直径在7-10毫米，长度在1900-3000毫米之间的细长硅芯，其缺点是提拉速度慢，一般为8-12毫米/分钟，拉制I根2米的硅芯需要4小时，生产效率低，电力消耗大，设备投资大。
[0004]另一种是用金刚石工具切割法，美国DiamondWire Technology公司研制出采用金刚石线的数控多晶硅细长硅芯多线切割机床，用于硅芯的制备。通过利用电镀上金刚石微粒的细钢丝线在被加工工件上高速地往复运动或单向移动，将硅棒压在该机床用金刚石线交叉组成的方形线网上，从而将该硅棒切割成细长的硅芯。其优点十分明显，10-12小时可以切割出200根左右2米长的7X7或8X8毫米的方形硅芯，电力消耗小，加工效率高。
[0005]目前切割后的方硅芯在实际生产过程中，由于方硅芯与横梁硅芯采用钼丝捆绑定位，来防止横梁硅芯滑落，这种方式不仅横梁硅芯容易发生位移抖动，而且钼丝也会对硅棒生产造成污染，另外在拆炉取棒时，还要从产品中分离出钼丝，提高了工作量和工作难度，降低了产品质量。
【发明内容】
[0006]本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种多晶硅方硅芯，它能够方便后续与横梁硅芯的连接，防止横梁硅芯发生位移抖动，降低了后续硅棒生产的工作量和工作难度，提尚了最终广品质量。
[0007]本实用新型的目的是这样实现的：一种多晶硅方硅芯，它包括方硅芯本体，所述方硅芯本体顶端设置有锥形凸台。
[0008]—种多晶娃方娃芯的搭接结构，它包括两个方娃芯本体，所述两个方娃芯本体左右平行布置，所述方硅芯本体上端设置有锥形凸台，所述方硅芯本体下方设置有石墨卡瓣，所述方硅芯本体下端插装于石墨卡瓣内，所述两个方硅芯本体顶端之间设置有横梁硅芯，所述横梁硅芯上开设有左右两个锥形通孔，所述方硅芯本体上端的锥形凸台插装于横梁硅芯上的锥形通孔内。
[0009]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
[0010]本实用新型一种多晶硅方硅芯，它能够方便后续与横梁硅芯的连接，防止横梁硅芯发生位移抖动，降低了后续硅棒生产的工作量和工作难度，提高了最终产品质量。
【附图说明】
[0011 ]图I为本实用新型一种多晶娃方娃芯的结构不意图。
[0012]图2为本实用新型一种多晶硅方硅芯在硅棒时的搭接结构。
[0013]其中：
[0014]方硅芯本体I，
[0015]锥形凸台2，
[0016]横梁硅芯3，
[0017]锥形通孔4，
[0018]石墨卡瓣5。
【具体实施方式】
[0019]参见图I，本实用新型一种多晶娃方娃芯，它包括方娃芯本体I，所述方娃芯本体I顶端设置有锥形凸台2。
[0020]参见图2，本实用新型一种多晶硅方硅芯的搭接结构，它包括两个方硅芯本体1，所述两个方硅芯本体I左右平行布置，所述方硅芯本体I上端设置有锥形凸台2，所述方硅芯本体I下方设置有石墨卡瓣5，所述方硅芯本体I下端插装于石墨卡瓣5内，所述两个方硅芯本体I顶端之间设置有横梁硅芯3，所述横梁硅芯3上开设有左右两个锥形通孔4，所述方硅芯本体I上端的锥形凸台2插装于横梁硅芯3上的锥形通孔4内。
【主权项】
1.一种多晶硅方硅芯，其特征在于：它包括方硅芯本体（I)，所述方硅芯本体（I)顶端设置有锥形凸台（2)。2.—种多晶硅方硅芯的搭接结构，其特征在于：它包括两个方硅芯本体（I)，所述两个方硅芯本体（I)左右平行布置，所述方硅芯本体（I)上端设置有锥形凸台（2)，所述方硅芯本体（I)下方设置有石墨卡瓣(5)，所述方硅芯本体（I)下端插装于石墨卡瓣(5)内，所述两个方硅芯本体（I)顶端之间设置有横梁硅芯（3)，所述横梁硅芯（3)上开设有左右两个锥形通孔(4)，所述方硅芯本体(I)上端的锥形凸台（2)插装于横梁硅芯(3)上的锥形通孔(4)内。
【专利摘要】本实用新型涉及一种多晶硅方硅芯及其搭接结构，属于多晶硅生产技术领域。所述多晶硅方硅芯包括方硅芯本体（1），所述方硅芯本体（1）顶端设置有锥形凸台（2）。多晶硅方硅芯的搭接结构，包括两个方硅芯本体（1），所述两个方硅芯本体（1）左右平行布置，所述方硅芯本体（1）上端设置有锥形凸台（2），所述方硅芯本体（1）下方设置有石墨卡瓣（5），所述两个方硅芯本体（1）顶端之间设置有横梁硅芯（3），所述横梁硅芯（3）上开设有左右两个锥形通孔（4）。本实用新型一种多晶硅方硅芯，它能够方便后续与横梁硅芯的连接，防止横梁硅芯发生位移抖动，降低了后续硅棒生产的工作量和工作难度，提高了最终产品质量。
【IPC分类】C01B33/035
【公开号】CN205151785
【申请号】CN201520979648
【发明人】薛荣国
【申请人】江阴东升新能源有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月1日