一种多晶硅制备装置及方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种多晶硅制备装置及方法。
【【背景技术】】
[0002]随着平板显示的发展，高分辨率、低能耗的面板需求不断被提出，非晶硅电子迀移率低，低温多晶硅因可在低温下制作，且拥有高的电子迀移率，及可制作C-MOS电路，因此被广泛研究用以达到面板高分辨率、低能耗的需求。
[0003]目前制作低温多晶硅的方法包括:固相结晶(SPC)，金属诱导结晶(MIC)和准分子镭射退火(ELA)，其中准分子镭射退火是目前使用最为广泛的方法。
[0004]如图1所示；所述多晶硅制备装置包括:一支撑平台1，在所述支撑平台I表面设置有玻璃基板2，在所述玻璃基板2上设置有缓冲层3，在所述缓冲层3上设置有非晶硅层4。ELA制作低温多晶硅的方法是在玻璃上生长一缓冲层，然后生长非晶硅，接着高温去氢，再利用ELA的镭射扫描非晶硅，非晶硅受到高温熔化重结晶形成多晶硅。
[0005]低温多晶硅晶粒的大小对多晶硅的电学性能有重要影响，在ELA制程中，非晶硅受到高温后变成近似完全恪融(nearly completely melts)状态，然后重结晶形成多晶娃。重结晶时会按照低能量向高能量方向结晶，低温向高温方向结晶；所以结晶的起点和方向是凌乱的，如图2所不；导致结晶后晶粒偏小，晶粒间晶界偏多，因此影响了多晶娃的电子迀移率。
[0006]故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【
【发明内容】
】
[0007]本发明的目的在于提供一种多晶硅制备装置及方法，其能控制结晶方向，以及控制多晶娃形成时的生长方向，提尚晶粒的大小，提尚多晶娃的电子移动率。
[0008]为解决上述问题，本发明的技术方案如下:
[0009]—种多晶硅制备装置，所述多晶硅制备装置包括:一支撑平台，在所述支撑平台表面设置有反射层，所述反射层具有多个反射镜和漫反射层，所述漫反射层设置于所述反射镜与所述反射镜之间，所述反射层上设置有玻璃基板，在所述玻璃基板上设置有缓冲层，在所述缓冲层上设置有非晶硅层；当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层的激光照射在所述漫反射层区域时发生漫反射；照射在所述反射镜区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。
[0010]优选的，在所述的多晶硅制备装置中，所述反射镜为球面反射镜。
[0011]优选的，在所述的多晶硅制备装置中，所述球面反射镜等间隔设置于所述反射层中。
[0012]优选的，在所述的多晶硅制备装置中，所述反射镜为三角锥反射镜。
[0013]优选的，在所述的多晶硅制备装置中，所述三角锥反射镜等间隔设置于所述反射层中。
[0014]一种多晶硅制备方法，所述方法包括:
[0015]提供一支撑平台；
[0016]在所述支撑平台表面设置反射层，所述反射层具有多个反射镜和漫反射层，所述漫反射层设置于所述反射镜与所述反射镜之间；
[0017]所述反射层上设置有玻璃基板；
[0018]在所述玻璃基板上设置有缓冲层；
[0019]在所述缓冲层上设置有非晶硅层；
[0020]当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层的激光照射在所述漫反射层区域时发生漫反射；照射在所述反射镜区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。
[0021]优选的，在所述的多晶硅制备方法中，所述反射镜为球面反射镜。
[0022]优选的，在所述的多晶硅制备方法中，所述球面反射镜等间隔设置于所述反射层中。
[0023]优选的，在所述的多晶硅制备方法中，所述反射镜为三角锥反射镜。
[0024]优选的，在所述的多晶硅制备方法中，所述三角锥反射镜等间隔设置于所述反射层中。
[0025]相对现有技术，本发明通过在支撑平台表面设置多个反射镜和漫反射层，所述漫反射层设置于所述反射镜与所述反射镜之间，当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层的激光照射在所述漫反射层区域时发生漫反射；照射在所述反射镜区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。因此，能控制结晶方向，以及控制多晶硅形成时的生长方向，提高晶粒的大小，提高多晶硅的电子移动率。
[0026]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【【附图说明】】
[0027]图1为现有技术提供的多晶硅制备装置的结构示意图；
[0028]图2为现有技术提供的多晶硅制备装置的结构示意图；
[0029]图3为本发明实施例提供的多晶硅制备装置的结构示意图；
[0030]图4为本发明实施例提供的多晶硅制备方法的实现流程示意图。
【【具体实施方式】】
[0031]本说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为意指“一个或多个”，除非另外指定或从上下文清楚导向单数形式。
[0032]在本发明中，通过在支撑平台表面设置多个反射镜和漫反射层，所述漫反射层设置于所述反射镜与所述反射镜之间，当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层的激光照射在所述漫反射层区域时发生漫反射；照射在所述反射镜区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。因此，能控制结晶方向，以及控制多晶硅形成时的生长方向，提高晶粒的大小，提高多晶硅的电子移动率。
[0033]为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0034]请参阅图3，为本发明实施例提供的多晶硅制备装置的结构示意图；为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分。
[0035]所述多晶硅制备装置包括:一支撑平台10，在所述支撑平台10表面设置有反射层，所述反射层具有多个反射镜20和漫反射层30，所述漫反射层30设置于所述反射镜20与所述反射镜20之间，所述反射层上设置有玻璃基板40，在所述玻璃基板40上设置有缓冲层50，在所述缓冲层50上设置有非晶硅层60。
[0036]在本发明实施例中，当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层60的激光照射在所述漫反射层30区域时发生漫反射；照射在所述反射镜20区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层60上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。
[0037]作为本发明一优选实施例，所述反射镜20为球面反射镜。所述球面反射镜等间隔设置于所述反射层中。具体的，所述球面反射镜呈矩阵形式设置于所述反射层中。然而，可以理解的是，多个所述球面反射镜的尺寸可以相同或不相同。矩阵可灵活排列。
[0038]作为本发明另一优选实施例，所述反射镜20为三角锥反射镜。所述三角锥反射镜等间隔设置于所述反射层