中。具体的，所述三角锥反射镜呈矩阵形式设置于所述反射层中。然而，可以理解的是，多个所述三角锥反射镜的尺寸可以相同或不相同。矩阵可灵活排列。
[0039]作为本发明再一优选实施例，所述反射镜包括球面反射镜和三角锥反射镜，所述球面反射镜和所述三角锥反射镜交替设置于所述反射层中，所述漫反射层设置于所述球面反射镜和所述三角锥反射镜之间。然而，可以理解的是，所述球面反射镜和所述三角锥反射镜的尺寸可以相同或不相同。所述球面反射镜和所述三角锥反射镜等间隔的设置于所述反射层中。
[0040]请参阅图4，为本发明实施例提供的多晶硅制备方法的实现流程示意图。所述多晶硅制备方法包括以下步骤:
[0041]在步骤SlOl中，提供一支撑平台；
[0042]在步骤S102中，在所述支撑平台表面设置反射层，所述反射层具有多个反射镜和漫反射层，所述漫反射层设置于所述反射镜与所述反射镜之间；
[0043]在步骤S103中，所述反射层上设置有玻璃基板；
[0044]在步骤S104中，在所述玻璃基板上设置有缓冲层；
[0045]在步骤S105中，在所述缓冲层上设置有非晶硅层；
[0046]当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层的激光照射在所述漫反射层区域时发生漫反射；照射在所述反射镜区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。
[0047]作为本发明一优选实施例，所述反射镜为球面反射镜。所述球面反射镜等间隔设置于所述反射层中。具体的，所述球面反射镜呈矩阵形式设置于所述反射层中。然而，可以理解的是，多个所述球面反射镜的尺寸可以相同或不相同。矩阵可灵活排列。
[0048]作为本发明另一优选实施例，所述反射镜为三角锥反射镜。所述三角锥反射镜等间隔设置于所述反射层中。具体的，所述三角锥反射镜呈矩阵形式设置于所述反射层中。然而，可以理解的是，多个所述三角锥反射镜的尺寸可以相同或不相同。矩阵可灵活排列。
[0049]作为本发明再一优选实施例，所述反射镜包括球面反射镜和三角锥反射镜，所述球面反射镜和所述三角锥反射镜交替设置于所述反射层中，所述漫反射层设置于所述球面反射镜和所述三角锥反射镜之间。然而，可以理解的是，所述球面反射镜和所述三角锥反射镜的尺寸可以相同或不相同。所述球面反射镜和所述三角锥反射镜等间隔的设置于所述反射层中。
[0050]综上所述，本发明提供的多晶硅制备装置及方法，通过在支撑平台表面设置多个反射镜和漫反射层，所述漫反射层设置于所述反射镜与所述反射镜之间，当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层的激光照射在所述漫反射层区域时发生漫反射；照射在所述反射镜区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。因此，能控制结晶方向，以及控制多晶硅形成时的生长方向，提高晶粒的大小，提尚多晶娃的电子移动率。
[0051]尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本发明，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本发明包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在【具体实施方式】或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
[0052]综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1.一种多晶硅制备装置，其特征在于，所述多晶硅制备装置包括:一支撑平台，在所述支撑平台表面设置有反射层，所述反射层具有多个反射镜和漫反射层，所述漫反射层设置于所述反射镜与所述反射镜之间，所述反射层上设置有玻璃基板，在所述玻璃基板上设置有缓冲层，在所述缓冲层上设置有非晶硅层；当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层的激光照射在所述漫反射层区域时发生漫反射；照射在所述反射镜区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。2.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其特征在于，所述反射镜为球面反射镜。3.根据权利要求2所述的多晶硅制备装置，其特征在于，所述球面反射镜等间隔设置于所述反射层中。4.根据权利要求1所述的多晶硅制备装置，其特征在于，所述反射镜为三角锥反射镜。5.根据权利要求4所述的多晶硅制备装置，其特征在于，所述三角锥反射镜等间隔设置于所述反射层中。6.一种多晶硅制备方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一支撑平台； 在所述支撑平台表面设置反射层，所述反射层具有多个反射镜和漫反射层，所述漫反射层设置于所述反射镜与所述反射镜之间； 所述反射层上设置有玻璃基板； 在所述玻璃基板上设置有缓冲层； 在所述缓冲层上设置有非晶硅层； 当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层的激光照射在所述漫反射层区域时发生漫反射；照射在所述反射镜区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。7.根据权利要求6所述的多晶硅制备方法，其特征在于，所述反射镜为球面反射镜。8.根据权利要求7所述的多晶硅制备方法，其特征在于，所述球面反射镜等间隔设置于所述反射层中。9.根据权利要求6所述的多晶硅制备方法，其特征在于，所述反射镜为三角锥反射镜。10.根据权利要求9所述的多晶硅制备方法，其特征在于，所述三角锥反射镜等间隔设置于所述反射层中。
【专利摘要】本发明公开了一种多晶硅制备装置包括：一支撑平台，在所述支撑平台表面设置有反射层，所述反射层具有多个反射镜和漫反射层，所述漫反射层设置于所述反射镜与所述反射镜之间，所述反射层上设置有玻璃基板，在所述玻璃基板上设置有缓冲层，在所述缓冲层上设置有非晶硅层；当进行激光退火时，穿透所述非晶硅层的激光照射在所述漫反射层区域时发生漫反射；照射在所述反射镜区域时，反射的激光能汇聚在所述非晶硅层上，以使该区域的非晶硅能吸收到能量，与其他区域形成能量梯度。本发明能控制结晶方向，以及控制多晶硅形成时的生长方向，提高晶粒的大小，提高多晶硅的电子移动率。
【IPC分类】C30B28/02, C30B29/06, C30B30/00
【公开号】CN105088336
【申请号】CN201510444194
【发明人】余威
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月24日