新型多晶硅芯棒拉制方法
【专利摘要】本发明涉及一种新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中；将炉体内抽真空，通入氩气；将原料多晶硅装入炉体中形成硅填料，加热熔化形成硅熔体；使籽晶与所述硅熔体接触，进行两次拉晶。本发明控制精确，大大提高成品率。
【专利说明】
新型多晶硅芯棒拉制方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种拉制方法，具体涉及一种多晶硅芯棒拉制方法。
【背景技术】
[0002]目前，多晶硅芯棒拉制成型比较简单，要确保内部没有隐裂非常困难，正常拉晶方法是头部拉速高-逐渐降低-尾部拉速低，这种方法拉制成品率不到30%。
【发明内容】
[0003]发明目的:本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种控制精确，大大提尚成品率的新型多晶娃芯棒拉制方法。
[0004]技术方案:为了解决上述技术问题，本发明所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括以下步骤，
(1)检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中；
(2)将炉体内抽真空，通入氩气；
(3)将原料多晶硅装入炉体中形成硅填料，加热熔化形成硅熔体；
(4)使籽晶与所述硅熔体接触，在炉压2200-2500Pa，炉温300-320°C进行第一次拉晶，晶棒转速10转/分，晶棒头部拉速0.8mm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部降低25_35%，然后匀速拉制至尾部；
(5)将晶棒冷却到40-60°C后，进行第二次拉晶，炉压2200-2500Pa，炉温300-320°C，晶棒转速12转/分，晶棒头部拉速Imm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部降低25-35%，然后勾速拉制至尾部。
[0005]根据权利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:在步骤(4)中，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%。
[0006]根据权利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:在步骤(5)中，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%。
[0007]有益效果:本发明与现有技术相比，其显著优点是:本发明通过两次拉晶，生产出的晶棒品质更好，并且在两次拉晶过程中的拉速，从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%，拉制成品率高达98以上，解决了以前隐裂的问题，拉制过程中，温度压力、拉速转速控制精确，步骤严谨，符合实际生产要求。
【具体实施方式】
[0008]下面结合实施例对本发明作进一步的说明。
[0009]实施例1:
本发明所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括以下步骤，
(I)检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中；
(2)将炉体内抽真空，通入氩气；
(3)将原料多晶硅装入炉体中形成硅填料，加热熔化形成硅熔体；
(4)使籽晶与所述硅熔体接触，在炉压2300Pa，炉温310°C进行第一次拉晶，晶棒转速10转/分，晶棒头部拉速0.8mm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%，然后勾速拉制至尾部；
(5)将晶棒冷却到450C后，进行第二次拉晶，炉压2300Pa，炉温310°C，晶棒转速12转/分，晶棒头部拉速Imm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%，然后勾速拉制至尾部。
[0010]实施例2:
本发明所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括以下步骤，
(1)检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中；
(2)将炉体内抽真空，通入氩气；
(3)将原料多晶硅装入炉体中形成硅填料，加热熔化形成硅熔体；
(4)使籽晶与所述硅熔体接触，在炉压2400Pa，炉温315°C进行第一次拉晶，晶棒转速10转/分，晶棒头部拉速0.8mm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低32%，然后勾速拉制至尾部；
(5)将晶棒冷却到55°C后，进行第二次拉晶，炉压2400Pa，炉温315°C，晶棒转速12转/分，晶棒头部拉速Imm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低32%，然后勾速拉制至尾部。
[0011]本发明通过两次拉晶，生产出的晶棒品质更好，并且在两次拉晶过程中的拉速，从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%，拉制成品率高达98以上，解决了以前隐裂的问题，拉制过程中，温度压力、拉速转速控制精确，步骤严谨，符合实际生产要求。
[0012]本发明提供了一种思路及方法，具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围，本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。
【主权项】
1.新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:它包括以下步骤， (1)检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中； (2)将炉体内抽真空，通入氩气； (3 )将原料多晶硅装入炉体中形成硅填料，加热熔化形成硅熔体； (4)使籽晶与所述硅熔体接触，在炉压2200-2500Pa，炉温300_320°C进行第一次拉晶，晶棒转速10转/分，晶棒头部拉速0.8mm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部降低25_35%，然后匀速拉制至尾部； (5)将晶棒冷却到40-60°C后，进行第二次拉晶，炉压2200-2500Pa，炉温300_320°C，晶棒转速12转/分，晶棒头部拉速Imm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部降低25-35%，然后勾速拉制至尾部。2.根据权利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:在步骤(4)中，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%。3.根据权利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:在步骤(5)中，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%。
【文档编号】C30B28/10GK105970288SQ201610453071
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年6月22日
【发明人】袁玉平, 闫鹏, 袁佳斌
【申请人】江苏拜尔特光电设备有限公司