技术总结
一种应用于超高压自耦变压器夹件的磁屏蔽结构，涉及一种磁屏蔽结构。超高压自耦变压器其内、外绕组间的漏磁密度高，采用通常的方法不足以有效降低损耗、消除局部过热的隐患。本发明包括折弯磁屏蔽件、第一绝缘垫板、连接折弯磁屏蔽件和第一绝缘垫板至夹件的紧固件，所述的折弯磁屏蔽件横截面呈 “L”，折弯处圆弧过渡；所述的折弯磁屏蔽件设于夹件的外端部。本技术方案通过在漏磁通密度较大的夹件的外端部加装“L”型折弯折弯磁屏蔽件，减少了漏磁通进入非磁性夹件，能够有效地降低漏磁通产生的附加损耗。
技术研发人员：柏广洲;于春梅;孙长山;魏喜柱;王伟
受保护的技术使用者：卧龙电气集团股份有限公司;卧龙电气烟台东源变压器有限公司
文档号码：201610795729
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2016.12.21