1.一种高带宽有机基板天线结构的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：
步骤S1，提供上层有机基板(1)和下层有机基板(2)；
上层有机基板(1)包括第一内芯板(101)，以及分别通过第一PP层(102)和第二PP层(103)压合在第一内芯板(101)上下两个表面的第一铜层(104)和第二铜层(105)；
下层有机基板(2)包括第二内芯板(201)，以及分别通过第三PP层(202)和第四PP层(203)压合在第二内芯板(201)上下两个表面的第三铜层(204)和第四铜层(205)；
步骤S2，在上层有机基板(1)上利用第一铜层(104)刻蚀出微带天线结构(106)；
步骤S3，在上层有机基板(1)上制作第一通孔，并在第一通孔中电镀填充导电金属，形成连接微带天线结构(106)的馈线(107)；
步骤S4，在上层有机基板(1)背离微带天线结构(106)的另一面，制作出空腔结构(108)；空腔结构(108)深入第一内芯板(101)，但并不穿透第一内芯板(101)；
步骤S5，去除下层有机基板(2)上表面的第三铜层(204)；
步骤S6，在下层有机基板(2)上制作第二通孔，并在第二通孔中电镀填充导电金属，形成与上层有机基板中馈线(107)位置对应的相连端(206)；
步骤S7，在下层有机基板(2)上制作第三通孔(207)，形成通气结构；
步骤S8，将上层有机基板(1)和下层有机基板(2)对准、键合在一起，形成高带宽有机基板天线结构；键合时，上层有机基板(1)的下表面第二铜层(105)与下层有机基板(2)上表面去除第三铜层(204)后的第三PP层(202)贴合；
其中，第三通孔(207)连通上层有机基板(1)的空腔结构(108)；下层有机基板(2)的相连端(206)连接上层有机基板(1)中的馈线(107)；
所述PP层指预浸材料层。
2.如权利要求1所述的高带宽有机基板天线结构的制作方法，其特征在于，
步骤S3中，采用激光打孔的方法制作第一通孔。
3.如权利要求1所述的高带宽有机基板天线结构的制作方法，其特征在于，
步骤S4中，空腔结构(108)具体利用铣加工工艺制作。
4.如权利要求1所述的高带宽有机基板天线结构的制作方法，其特征在于，
步骤S5中，利用蚀刻工艺去除第三铜层(204)。
5.如权利要求1所述的高带宽有机基板天线结构的制作方法，其特征在于，
步骤S6中，采用激光打孔工艺制作第二通孔。
6.如权利要求1所述的高带宽有机基板天线结构的制作方法，其特征在于，
步骤S7中，采用激光打孔工艺制作第三通孔(207)。
7.一种高带宽有机基板天线结构，其特征在于，包括上层有机基板(1)和下层有机基板(2)；
上层有机基板(1)包括第一内芯板(101)，以及分别通过第一PP层(102)和第二PP层(103)压合在第一内芯板(101)上下两个表面的第一铜层(104)和第二铜层(105)；
在上层有机基板(1)上利用第一铜层(104)刻蚀出微带天线结构(106)；在上层有机基板(1)中设有贯通上层有机基板(1)的馈线(107)，馈线(107)的一端连接微带天线结构(106)；在上层有机基板(1)背离微带天线结构(106)的另一面设有空腔结构(108)；空腔结构(108)深入第一内芯板(101)，但并不穿透第一内芯板(101)；
下层有机基板(2)包括第二内芯板(201)，以及在第二内芯板(201)上表面的第三PP层(202)，和通过第四PP层(203)压合在第二内芯板(201)下表面的第四铜层(205)；
下层有机基板(2)中设有与上层有机基板中馈线(107)位置对应的相连端(206)；还设有第三通孔(207)，用以形成通气结构；
上层有机基板(1)和下层有机基板(2)对准键合在一起；上层有机基板(1)的下表面第二铜层(105)与下层有机基板(2)上表面的第三PP层(202)贴合；其中，下层有机基板(2)的第三通孔(207)连通上层有机基板(1)的空腔结构(108)；下层有机基板(2)的相连端(206)连接上层有机基板(1)中的馈线(107)；
所述PP层指预浸材料层。