方向性可重构的微电子机械天线及其制备方法与流程

技术特征：

1.方向性可重构的微电子机械天线，其特征在于，该微电子机械天线以砷化镓为衬底，在衬底上设有微带天线馈线、星型结构微带天线辐射元、MEMS悬臂梁、悬臂梁桥墩；所述星型结构微带天线辐射元的任四个辐射端分别与一个悬臂梁桥墩连接，每个悬臂梁桥墩连接一个MEMS悬臂梁，其中，在每个MEMS悬臂梁的下方在悬臂梁桥墩的两侧各设置一个悬臂梁下拉电极，每个悬臂梁下拉电极上设有介质层，每个悬臂梁下拉电极上的介质层与相应的MEMS悬臂梁之间设有牺牲层；未连接悬臂梁桥墩的星型结构微带天线辐射元的辐射端与微带天线馈线连接。

2.根据权利要求1所述的方向性可重构的微电子机械天线，其特征在于，每个悬臂梁下拉电极、悬臂梁桥墩均与衬底连接。

3.根据权利要求1所述的方向性可重构的微电子机械天线，其特征在于，所述介质层为SiN，所述牺牲层为聚酰亚胺牺牲层。

4.根据权利要求1所述的方向性可重构的微电子机械天线，其特征在于，四个所述悬臂梁桥墩相同，四个所述MEMS悬臂梁相同。

5.如权利要求1至4中任一所述的方向性可重构的微电子机械天线的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)选用未掺杂的半绝缘砷化镓作为衬底；

2)去除在悬臂梁下拉电极、微带天线馈线和星型结构微带天线辐射元处的光刻胶；

3)溅射金，形成悬臂梁下拉电极、微带天线馈线和星型结构微带天线辐射元；

4)在悬臂梁下拉电极的上方淀积氮化硅介质层；

5)光刻并刻蚀氮化硅介质层，保留位于悬臂梁及其下方的悬臂梁下拉电极之间的氮化硅介质层；

6)在砷化镓衬底上涂覆聚酰亚胺牺牲层，再光刻聚酰亚胺牺牲层，保留悬臂梁下方的牺牲层；

7)溅射钛/金/钛，形成溅射用于悬臂梁及相应的悬臂梁桥墩；

8)去除悬臂梁及相应的悬臂梁桥墩处的光刻胶；

9)电镀悬臂梁及相应的悬臂梁桥墩；

10)释放牺牲层：用显影液释放悬臂梁结构下方的聚酰亚胺牺牲层，并用无水乙醇脱水，形成悬浮的悬臂梁结构。

6.根据权利要求5所述的方向性可重构的微电子机械天线的制备方法，其特征在于，步骤3)中，金的厚度为0.3μm。

7.根据权利要求5所述的方向性可重构的微电子机械天线的制备方法，其特征在于，步骤4)中，用等离子体增强化学气相淀积法工艺生长的氮化硅介质层。

8.根据权利要求5所述的方向性可重构的微电子机械天线的制备方法，其特征在于，步骤6)中，聚酰亚胺牺牲层的厚度为1.6μm。

9.根据权利要求5所述的方向性可重构的微电子机械天线的制备方法，其特征在于，步骤7)中，

10.根据权利要求5所述的方向性可重构的微电子机械天线的制备方法，其特征在于，步骤9)中，电镀的悬臂梁的厚度为2μm。