1.一种减少光刻标记图形损失的方法,其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在半导体衬底上沉积控制栅层；
步骤2，对所述控制栅层的预设位置进行刻蚀直到露出所述半导体衬底，形成至少一个凸起图形；
步骤3，在所述凸起图形上表面以及凸起图形外侧沉积介质层；
步骤4，对所述介质层的上表面进行化学机械平坦化处理，直至露出所述凸起图形的上表面。
2.根据权利要求1所述的一种减少光刻标记图形损失的方法，其特征在于，步骤2中，采用干法刻蚀方法形成所述至少一个凸起图形。
3.根据权利要求2所述的一种减少光刻标记图形损失的方法，其特征在于，所述凸起图形为长方体状凸起图形。
4.根据权利要求1～3任一所述的一种减少光刻标记图形损失的方法，其特征在于，所述控制栅层为多层结构，自下而上依次为多晶硅层和氮化硅层，所述多晶硅层沉积在半导体衬底上。
5.根据权利要求4所述的一种减少光刻标记图形损失的方法，其特征在于，所述凸起图形的宽度范围为90nm～150nm，所述凸起图形的高度范围为200nm～300nm。
6.根据权利要求5所述的一种减少光刻标记图形损失的方法，其特征在于，步骤1中，采用低压化学气相沉积方法沉积所述多晶硅层和氮化硅层。
7.根据权利要求6所述的一种减少光刻标记图形损失的方法，其特征在于，所述介质层为多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的一种减少光刻标记图形损失的方法，其特征在于，步骤3中，采用低压化学气相沉积方法沉积所述介质层。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括半导体衬底和利用权利要求1～8任一所述的减少光刻标记图形损失的方法在半导体衬底上形成的至少一个所述凸起图形，所述凸起图形的外侧沉积有介质层。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起图形为长方体状凸起图形，所述凸起图形的宽度范围为90nm～150nm，所述凸起图形的高度范围为200nm～300nm。