用于集成电路、作为集成电路的一部分的变压器和电感器的电感元件的制作方法

本公开涉及使用微电子技术制造的改进电感器或改进变压器，以及包括这种电感组件的集成电路。

背景技术：

已知磁性组件(诸如，电感器和变压器)具有许多用途。例如，电感器可以用在滤波器和谐振电路的制造中，或者可以用在开关模式功率转换器中以升高或降低输入电压，用于产生不同的输出电压。变压器可以用于将功率或信号从一个电路传送到另一个电路，同时提供高水平的电流隔离。

电感器和变压器可以在集成电路环境内制造。例如，已知通常形成螺旋或螺旋的近似的间隔开的导体可以形成在半导体衬底上或内部，以形成作为电感器或变压器的一部分的线圈。这种间隔开的螺旋形电感器可以并排放置或以堆叠构型放置。

还可以在集成电路内的“线圈”周围形成铁磁芯。然而，这种布置在其行为上表现出非线性。在集成电路内提供改进的组件将是有益的。

技术实现要素：

所描述的技术的方法和设备各自具有若干方面，其中没有单独一个仅仅负责其期望的属性。

感应组件(诸如，变压器)可以通过包括磁芯来改进。然而，如果磁芯进入磁饱和，则具有磁芯的优势可能会丢失。避免饱和的一种方法是提供更大的磁芯，但是在集成电子电路的情况下这是昂贵的。发明人认识到，磁通密度随着磁芯在某些集成电路内的位置而变化，使得磁芯的部分比其它部分更早饱和。这典型地降低了磁芯的最终性能。本公开提供延迟早饱和的开始的结构，其可以例如使变压器处理更多的功率。

根据本公开的第一方面，提供了一种用于集成电路中的电感组件，包括：至少一个导体，其布置在螺旋路径中以形成第一线圈；布置在所述至少一个导体的第一侧的至少一部分上或邻近所述导体的第一侧的第一磁性材料层，其中所述第一磁性材料层包括在至少一个磁芯；以及用于补偿至少一个磁芯的芯饱和非均匀性的补偿结构。

因此，可以在集成电路上或作为集成电路的一部分提供磁性组件，其中磁芯更均匀地饱和。这又可以在基本上没有磁芯已经达到磁饱和的操作区域内产生更大的线性度和改进的功率传递。这可以实现，而不会在其上承载磁性组件的衬底(例如半导体)上产生增加的磁性组件的占用面积。

补偿结构可以包括改变第一线圈的参数。该参数可以是第一线圈的匝密度，其可以通过如下来实现：在导体从线圈的一侧穿越到另一侧时改变导体的间距；导体之间的间距；或导体的宽度。两个或更多个参数可以组合地变化。在电感组件包括多个线圈的情况下，例如因为其是变压器，则第二线圈的参数也可以如上所述地变化。

有利地，在本公开的实施例中，形成第一线圈的导体的导体宽度随着距螺旋路径的边缘的距离增大而增加，并且优选地从螺旋路径的两个边缘增加。这种布置具有降低位于远离螺旋的边缘的磁芯的部分周围的线圈的有效匝密度，同时避免线圈的电阻的不必要的增加的优点。

有利地，电感组件形成在承载其他集成电路组件的衬底上。衬底可以是半导体衬底，其最常见的示例是硅。然而，可以使用其它衬底并且可以选择用于在相对高的频率下操作。这种衬底可以包括玻璃或其他半导体，诸如锗。

根据本公开的第二方面公开一种形成电感组件的方法，所述方法包括：形成布置在螺旋路径中的至少一个导体以形成第一线圈；和围绕所述第一线圈的至少一部分形成磁芯；其中第一线圈被布置为补偿所述磁芯的芯饱和非均匀性。

本公开的另一方面公开一种集成电路包括：包括平面螺旋线圈的，其中，所述平面螺旋线圈的瞬时匝密度在所述平面螺旋线圈的宽度上从所述平面螺旋线圈的边缘到所述平面螺旋线圈的中心变化。

附图说明

现在将参照附图仅通过非限制性示例来描述本公开的实施例，其中：

图1是在集成电路内形成的变压器的示意性平面图；

图2是通过图1的变压器的示意性横截面；

图3是在集成电路内形成的变压器的透视图；

图4是穿过图3的变压器的横截面；

图5是示出用于测量作为线圈电流的函数的通量密度的电路的电路图；

图6示出了集成电路上的典型变压器的通量密度对线圈电流的曲线图；

图7是为了解释本公开的优点的目的，具有与添加到其上的线圈的响应的直线近似的通量密度对线圈电流的曲线图；

图8是表示围绕矩形磁芯的线圈的线圈密度作为沿着线圈轴的位置的函数的曲线图；

图9是根据本公开的电感器或变压器的示意图；

图10是根据本公开的实施例的设备的示意性截面图；

图11是根据本公开的实施例的变压器的示意性截面图；

图12是根据本公开的实施例的变压器的示意性平面图；

图13是根据本公开的实施例的变压器的示意性平面图；和

图14是根据本公开的实施例的变压器的示意性透视图。

具体实施方式

在下文中参考附图更全面地描述新颖的系统、装置和方法的各个方面。然而，本公开的方面可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于贯穿本公开呈现的任何具体结构或功能。相反，提供这些方面使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。基于本文的教导，本领域技术人员应当理解，无论是独立实现还是与任何其它方面组合，本公开的范围旨在覆盖本文公开的新颖系统，装置和方法的任何方面。例如，可以使用本文所阐述的任何数量的方面来实现装置或者实现方法。此外，该范围旨在包括使用除了本文所阐述的各种方面之外或不同于本文所阐述的各种方面的其他结构，功能或结构和功能来实践的这种装置或方法。应当理解，本文公开的任何方面可以通过权利要求的一个或多个元件来体现。

尽管本文描述了特定方面，但这些方面的许多变化和改变落入本公开的范围内。虽然提及了优选方面的一些益处和优点，但是本公开的范围不旨在限于特定的益处、用途或目的。相反，本公开的各方面旨在广泛地适用于各种电子系统，包括例如汽车系统和/或不同的有线和无线技术，系统配置，包括光网络、硬盘和传输协议的网络。详细描述和附图仅仅是对本公开的说明而不是限制，本公开的范围由所附权利要求及其等同物限定。

本发明提供补偿结构以补偿磁芯的芯饱和非均匀性。该结构可以包括线圈，其中匝密度在线圈上变化。匝数密度可以定义为每单位长度的匝数。通过增加形成线圈的导体的宽度，可以减小匝密度。通过使线圈的每匝具有不同厚度的导体，可以改变线圈密度。因此，可以在集成电路上或作为集成电路的一部分提供磁性组件，其中磁芯更均匀地饱和。这又可以在基本上没有磁芯已经达到磁饱和的操作区域内产生更大的线性度和改善的功率传输。这可以实现，而不会在其上承载磁性组件的衬底(例如半导体)上产生增加的磁性组件的占用面积。

图1示意性地示出了变压器1的示例。变压器1具有两部分磁芯。第一磁芯通常由附图标记2表示，而第二磁芯通常由附图标记3表示。磁芯形成为矩形管，其中定位变压器线圈，如下面将更详细地解释的。第一和第二磁芯2和3形成在衬底4的一部分上方。有利地，衬底4可以是半导体衬底(例如，硅衬底)，使得其它组件(诸如，与变压器1的主和次级绕组相关联的驱动电路和接收器电路)可以形成在衬底4上或在同一集成电路封装内的物理分离衬底上。然而，在一些应用中，非半导体衬底材料可用于其电性质，例如更高的阻抗。这种非半导体衬底可根据本文所讨论的任何合适的原理和优点来实现。

变压器1包括两个线圈或绕组。在图1中，示出了初级绕组10。初级绕组10由在衬底4上形成的导电轨道形成。初级绕组10由线性轨道部分12、14、16、18、20、22、24、26、28、30和32形成。衬垫轨道部分12、14、16、18和20基本上彼此平行并且在X方向上形成。线性轨道部分22、24、26、28、30和32基本上彼此平行并且在Y方向上形成。X方向轨道部分基本上垂直于Y方向轨道部分。线性轨道部分在其端部连接，如图1所示，以便形成初级绕组10。所示的线性轨道部分由第一金属层形成。在初级线圈10的任一端，形成连接垫34、36以使变压器1能够连接到其它组件。次级绕组(其大部分未在图1中示出)可以由位于第一金属层下方的第二金属层中的另外的线性轨道部分形成。这些部分在图1中未示出，因为它们形成在初级绕组10的轨道部分下方。然而，次级线圈的端部具有连接垫38、40，这可以在图1中看到。

初级和次级绕组形成为平面螺旋。初级绕组10的螺旋处于与由X和Y轴形成的平面相同的平面中。初级和次级绕组与第一和第二磁芯2和3绝缘，并且彼此绝缘。因此，在初级绕组10和次级绕组之间没有电流路径，并且将线圈耦合在一起的主要机构是磁性的。较小的寄生电容也可以在初级和次级绕组之间形成信号流路径，但是这些信号流明显不太重要。图1中的Z方向平行于线圈轴。

图2是变压器1的端视图。在该图中，示出了次级绕组50。该图更清楚地示出了初级和次级绕组10、50的第一和第二金属层。还示出了连接焊盘34、36、38和40。第一和第二金属层基本上平行于衬底4形成。图2还示出了第一和第二磁芯2、3的进一步细节。每个磁芯由上磁性层52、54和下磁性层56、58形成。这些层被示出为矩形形状，并且基本平行于衬底4和第一和第二金属层。每个磁芯2、3延伸超过初级和次级绕组10、50的外部和内部线性轨道的边缘。上部和下部磁性层的较长边缘通过通孔60、62、64和66连接，通孔60、62、64和66形成从磁性材料。因此，每个磁芯2、3形成矩形管，通过该矩形管形成初级和次级绕组10、50。

在上述示例中，磁通孔60、62、64、66还连接上部52、54和下部56、58磁性层。在替代示例中，通孔可以不完全桥接层之间的空间。相反，可以在通孔和例如下层之间形成间隙。该间隙可以通过使用诸如氧化物、氮化物或聚酰亚胺的材料在通孔的端部和下层之间提供绝缘材料层来形成。间隙可以在10nm至500nm的范围内。这种布置的好处是在芯中形成具有相对高的磁阻的区域。这降低了渗透性并有助于减少和/或防止过早饱和。

在上述示例中，当从上方观察时，线圈的平面性质使它们具有跑道的外观。因此，变压器1可以被称为跑道变压器。

为了说明的目的，已经省略了磁芯2、3周围的结构，诸如绝缘材料层，例如聚酰亚胺。因此，图1和图2所示的结构是衬底4，第一和第二磁芯2和3以及形成初级和次级绕组10、50的导电轨道。

图3和图4分别示出了可以形成在集成电路上的图1和图2所示类型的变压器的透视图和端视图。可以看出，初级绕组10和次级绕组50在磁芯2和3之间旋转。在图3和图4所示的变压器中，形成绕组的每个导体的宽度是均匀的，相邻绕组或导体的任一金属层中的导体。一般来说，一层中相邻导体之间的空间可以大大减小，这与减小线圈的欧姆电阻一致，同时提供足够的间隔以避免由于制造缺陷而导致的线圈匝之间的短路。所示的均匀绕组可以增加和/或最大化给定占用面积的匝数。

当形成诸如变压器的装置时，作为在磁芯饱和之前可以通过变压器的初级绕组的最大电流的饱和电流是变压器及其铁磁芯的特性，并且链接到变压器的总功率额定值。因此，非常期望使给定尺寸的变压器的饱和电流和功率传递最大化。

磁性材料可以在其变得磁饱和之前取得一定的磁通量，并且其相对磁导率急剧下降(如果材料完全饱和，则其磁导率下降到1)。相对磁导率结合线圈匝密度和饱和磁通密度确定器件饱和电流。然而，磁场朝向绕组10、50穿过磁芯2、3的部分的边缘下降。另一个问题是存在退磁场。退磁场产生在磁芯主体内部的磁场，并且其沿与来自线圈的施加场相反的方向作用。去磁场朝向磁芯2、3的长边缘是最强的。退磁场的空间变化可以根据相对磁导率的空间变化来描述。因为退磁场朝向磁芯的长边缘变得更强，所以相对磁导率朝向长边缘下降，并且它需要更高的电流来使磁芯的长边缘比磁芯的中心磁饱和。

一般来说，当绕组10、50变窄时，退磁场变得更强。此外，施加和退磁的磁场存在于三维中。因此，虽然磁芯基本上是平面的，但是它们可以在它们的端部处经历一些场，这些端部在平面核心的平面之外。这导致作为磁芯内的位置的函数的不同的内部磁场强度。

作为这些因素的结果，铁磁变压器磁芯可能由于磁芯内的磁通密度的不均匀分布而遭受中央磁芯区域的早期饱和。随着偏置电流增加，在空间范围上增长的饱和的开始可以引入变压器的早期非理想行为，并且因此可以限制可用的饱和电流。

图5示出了可以用于测量变压器的性能的装置。如图所示，可以是电流源的直流(DC)电流偏置100用于施加通过变压器的初级绕组10的DC电流。通常包括与DC偏置源100串联的电感器102，以便对交流(AC)信号呈现高阻抗。与隔直流电容器106串联的AC信号发生器104用于将AC信号叠加到DC偏置上。然后测量出现在次级绕组50的输出上的电压，然后与由AC激励源104提供的电压进行比较。这允许将变压器的瞬时AC功率传递作为DC偏置电流的函数来测量。

图6示出了对于具有均匀绕组的变压器的这种关系的测量的曲线图。可以看出，在相对低的偏置电流下，Vout与Vin的比率相对较高，并且可以被认为是在其芯不饱和的区域中操作变压器。因此，初级电流的小变化的有效磁导率表示相对磁导率μr的高值。相反，当DC偏置电流变得相对较大并且磁芯完全饱和时，输出减小到更小的值，这更类似于空心磁芯变压器的值，因为铁磁芯不能再提供磁通密度的增强电流变化小的结果。

图7重新绘制图6的数据以标记饱和和非饱和区域，并且还对图的部分应用直线近似。在非饱和区域和完全饱和区域之间是过渡区域，其通常标示为110，其中磁导率从非饱和值过渡到完全饱和值。数学建模表明，铁磁芯内的磁通密度B是不均匀的，并且在磁芯的边缘或端部较弱，并且朝向磁芯的中心更强。结果，随着DC偏置电流增加，磁芯的中心部分开始饱和，如图7中所示，在该点处，比率开始在通常标记为112的图的区域周围降低。饱和区域继续从中间到末端生长直到核变得完全饱和。

优选地，铁芯向饱和状态的转变将从较高的偏置电流开始，并且其将从非饱和操作突然转变为饱和操作。这将使得给定尺寸的磁芯在饱和发生之前处理更多的功率和电流，尽管其性能然后将更快地降级。

发明人认识到，可以采取步骤以减少磁芯的中心部分比磁芯的边缘部分更早饱和的趋势。这可以通过磁性组件的结构特征来实现，并且在一个实施例中，这是通过作为径向跨过绕组平面的距离的函数来改变线圈的匝密度来实现的(例如，图1中的X方向)。在图7中，虚线114用于具有恒定匝密度的线圈。虚线116用于具有变化和/或优化的匝密度的线圈的预期结果。

图8是示意性地示出作为跨越具有一个任意单位Wc的宽度的芯2的X方向上的距离的函数的匝密度的变化的曲线图。可以看出，匝密度可以朝向芯的边缘增加，如由x＝0和x＝1的值表示的，并且朝向芯的中心减小，以便减少中央部分早期饱和的趋势。

集成电路内的磁芯内的线圈的尺寸相当紧凑，因此不太可能以图8中的优化曲线表示的平滑变化的方式来修改匝，而逐步逼近是可能的，如图8所示。

作为对匝密度应用逐步近似的结果，可以实现如图9所示的绕组密度，其中线圈可以包括间隔开的导体，其中示出了初级绕组10，但是对应的图案也可以形成在初级绕组10下面的次级绕组50上。导体条布置成给出具有相对较低的绕组密度(指定密度D1)的线圈朝向线圈的中心部分，密度D2，在线圈中心区域的任一侧。与中心和中间密度相比，线圈的任一边缘具有更高的绕组密度，指定的密度D3。在所示的实施例中，通过改变线圈的不同部分处的导体宽度来实现不同的密度。线圈的第一部分包括具有宽度w1和导体间间隙距离g1的相对宽的导电材料条200、202和204。线圈密度的中间区域，密度D2由具有导体宽度w2和导体间间距g2的导体206和208组成。具有最高绕组密度，即密度D3的端部由具有宽度w3和导体间间距g3的导体210和212组成。因此，线圈是补偿磁芯的磁芯饱和非均匀性的补偿结构。

可以改变导体之间的间隙，并且保持导体宽度相同，使得w1＝w2＝w3和g3＞g2＞g1。然而，与通过保持相邻导体之间的间隙相同，使得g1＝g2＝g3，然后提供通常期望的磁性能的这种布置可以产生线圈的电阻的增加，然后改变导电元件w1、w2和w3的相对宽度，使得w1＞w2＞w3。改变形成线圈的导体的宽度，而不是改变介电间隙，增加和/或最大化了在通过线圈的电流传送中涉及的导体的量(对于给定的导体厚度)，从而降低电阻。

图10是通过包括具有磁芯的变压器的集成电路的示意性横截面，该磁芯通常由附图标记2表示。如图10所示，集成电路包括衬底4，其上沉积有最低磁性层300。在沉积之后，对磁性层300进行掩模和蚀刻，以便形成芯2的下侧。应当理解，图10的结构可以与关于图9描述的匝密度变化组合。绝缘然后例如聚酰亚胺的层302沉积在磁性层300上方以使磁芯与变压器绕组绝缘。然后例如通过跨越整个衬底的电镀来沉积次级线圈50的绕组304、306、308。然后掩蔽该结构，然后蚀刻，以便在绝缘层302上形成隔离的金属线圈区域。然后可以沉积附加的绝缘材料以填充相邻线圈之间的间隙，以将它们封装在电介质内。这种绝缘层在图10中表示为310。然后，例如通过在整个衬底上进行电镀来沉积初级线圈10的绕组312、314、316。然后掩蔽该结构，然后蚀刻，以便在绝缘层310上形成隔离的金属线圈区域。然后可以沉积附加的绝缘材料以填充相邻线圈之间的间隙，以将它们封装在电介质内。这种绝缘层在图10中标记为318。

然后可以对绝缘层318进行平面化，以便形成集成电路的基本上平坦的上表面。当制造每个绝缘体层时，可以使用诸如聚酰亚胺的材料来掩蔽其表面，并且可以对其表面进行蚀刻，以便在每个绝缘层302、310、318中形成间隙。一旦所有的层都已经该间隙可以形成向下延伸到最低磁性层300的凹陷320。然后，绝缘层318的上表面可以具有沉积在其上的磁性层322。磁性层也可以沉积到V形凹陷320中，从而在最下面的磁性层300和最上面的磁性层322之间形成连接。然后可以掩蔽和蚀刻层322，以便尤其形成上部部分。

最低磁性层300可以形成在绝缘层330上，例如二氧化硅或任何其它合适的电介质材料，其本身可以覆盖通过将施主或受主杂质注入到半导体器件中而形成的各种半导体器件(未示出)衬底4。如本领域技术人员已知的，可以在绝缘层302、310、318中形成孔，以便在各种电路组件之间形成器件互连。

磁芯300、322的每个层可以包括多个子层。例如，每个层可以包括四个子层。磁芯2还可以包括以交替的顺序与磁性功能材料的子层排列的多个第一绝缘层。在该示例中，四层绝缘材料位于交替叠层中的磁性材料的四个子层上方。应当注意，可以使用更少或更多的磁性功能材料和绝缘材料层来形成磁芯2。磁芯3以类似的方式形成。例如，这些子层可以帮助防止或减少涡流的形成。

绝缘材料的子层可以是氮化铝(但是其他绝缘材料，例如氧化铝可以用于绝缘材料的一些或全部层)，并且可以具有在3至20纳米范围内的厚度。磁活性层可以由镍铁，镍钴或钴或铁与一种或多种元素锆，铌，钽和硼的复合物形成。磁活性层通常可以具有在50至300纳米范围内的厚度。磁通量在箭头334和336所示的方向上围绕芯部2流动。因此，通过上述子层显着减小沿箭头332所示的方向移动的涡流。这是因为子层基本上垂直于涡流流动路径的至少一部分的流动方向而形成。

尽管已经描述了矩形双绕组双芯变压器，但是其他平面变压器设计也是可能的。例如，可以提供附加的金属层，或者可以在给定层中提供附加的线圈，以便增加线圈的数量。还可以使用单个抽头绕组来形成自耦变压器，或者可以使用单个绕组来形成电感器。此外，绕组可以以共同缠绕的布置形成在单层中。这样的示例在图11中示出。在图11中，示出了变压器400，其包括初级线圈402和次级线圈404。线圈402、404共同缠绕在单层金属中。在另一替代方案中，当从上方观察时，绕组可以是正方形。这在图12和13中示出。在图12中，示出了变压器500。变压器500包括四个磁芯502、504、506和508。在图13中，示出了方形变压器600。在该示例中，芯602、604、606和608延伸到角部中，并且是梯形形状。作为另一替代方案，如图14所示，可以形成所谓的双轨道变压器700。重叠部分可以包裹在第一磁芯702中，而非重叠部分可以包裹在第二和第三磁芯704、706中。任何和所有这些示例可以与图9所示的变化的匝密度。

在前述实施例中，已经描述了补偿结构的一个示例，其中线圈的匝密度通过调节导电元件的厚度而变化。作为替代，补偿结构可以包括芯自身。例如，磁芯的长度(在图1中的Y方向)可以在磁芯上(在图1中的X方向)变化。因此，在邻近内导体210和外导体212的区域中的芯的边缘处的芯的长度短于邻近内导体200、202、204的区域中的芯的长度。这种布置将以类似的方式补偿磁芯饱和非均匀性以改变线圈的匝密度。

所公开的技术可以在任何应用中或在需要具有减小的磁芯饱和非均匀性的磁芯的任何设备中实现。本公开的各方面可以在各种电子设备中实现。电子设备的示例可以包括但不限于消费电子产品，电子产品的组件，电子测试设备，蜂窝通信基础设施等。电子设备的示例可以包括但不限于精密仪器，医疗设备，无线设备，诸如智能电话的移动电话，电话，电视，计算机监视器，计算机，调制解调器，手持计算机，膝上型计算机，平板计算机，可穿戴计算设备作为智能手表，个人数字助理(PDA)，车载电子系统，微波炉，冰箱，诸如汽车电子系统的车载电子系统，立体声系统，DVD播放器，CD播放器，数字音乐播放器例如MP3播放器，收音机，摄像机，相机，数码相机，便携式存储器芯片，洗衣机，烘干机，洗衣机/烘干机，手表，时钟等。此外，电子设备包括未完成的产品。

除非上下文明确要求，否则在整个说明书和权利要求书中，词语“包括”，“包含”等应以包括的意义来解释，而不是排除或穷尽的意义；也就是说，在“包括但不限于”的意义上。如这里一般使用的词语“耦合”是指两个或更多个元件，其可以直接连接或通过一个或多个中间元件。同样，如本文中通常使用的词语“连接”是指可以直接连接或通过一个或多个中间元件连接的两个或更多个元件。另外，当在本申请中使用时，词语“本文”，“上方”，“下方”和类似含义的词语应当是指本申请的整体，而不是本申请的任何特定部分。在上下文允许的情况下，在上面的使用单数或复数的某些实施例的具体实施方式中的单词也可以分别包括复数或单数。在上下文允许的情况下，涉及两个或更多个项目的列表的词语“或”旨在覆盖该词语的所有以下解释：列表中的任何项目，列表中的所有项目，以及列表中的项目的任何组合。

此外，本文中使用的条件语言，诸如“可以”、“可”、“可能”、“可以”、“例如”、“比如”、“诸如”等等之类的(除其他之外)特定地另外说明或在所使用的上下文中另外理解，通常旨在表达某些实施例包括某些特征，元件和/或状态，而其他实施例不包括某些特征，元件和/或状态。以任何方式需要一个或多个实施例的特征，元件和/或状态，或者一个或多个实施例必然包括用于在有或没有作者输入或提示的情况下决定是否包括这些特征、元件和/或状态的逻辑，将在任何特定实施例中执行。

短语“相邻”可以被理解为第一材料可以被放置为非常接近第二材料，这可以在第三材料的相对薄的层被放置在第一和第二材料之间时发生，例如绝缘体。在本文中，第一材料“邻近”第二材料。

尽管已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅通过示例的方式给出，并且不旨在限制本公开的范围。实际上，本文描述的新颖的装置、方法和系统可以以各种其它形式实施；此外，在不脱离本公开的精神的情况下，可以进行在此描述的方法和系统的形式的各种省略、替换和改变。例如，虽然以给定的布置呈现所公开的实施例，但是备选实施例可以用不同的组件和/或电路拓扑来执行类似的功能，并且一些元件可以被删除，移动、添加、细分、组合和/或修改。这些元件中的每一个可以以各种不同的方式实现。可以组合上述各种实施例的元件和动作的任何合适的组合以提供另外的实施例。所附权利要求及其等同物旨在覆盖落入本公开的范围和精神内的这些形式或修改。

尽管这里提出的权利要求是以用于在USPTO提交的单相关性格式，但是应当理解，任何权利要求可以取决于相同类型的任何前述权利要求，除非其在技术上显然不可行。