技术总结
通过包括磁芯(诸如，变压器)可以改进感应组件。然而，如果磁芯进入磁饱和，则具有磁芯的好处会丢失。避免饱和的一种方法是提供更大的磁芯，但是在集成电子电路的情况下这是昂贵的。发明人认识到，磁通密度随着磁芯在某些集成电路中的位置而变化，使得磁芯的部分比其它部分更早饱和。这降低了磁芯的最终性能。本公开提供了延迟早饱和的开始的结构，其可以例如使得变压器处理更多的功率。
技术研发人员：J·库比克
受保护的技术使用者：亚德诺半导体集团
文档号码：201611136233
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.06.20