技术总结
本申请提供了一种功率二极管。该功率二极管包括N型基体、至少两个P型掺杂区、N型掺杂区与金属层。其中，P型掺杂区间隔设置在N型基体中；N型掺杂区设置在各P型掺杂区的远离N型基体的表面上；金属层设置在N型掺杂区的远离N型基体的表面上，且金属层与各P型掺杂区隔离设置。该功率二极管兼具好的反向恢复性以及高的反向电压。
技术研发人员：义夫;华国安
受保护的技术使用者：丽晶美能（北京）电子技术有限公司
文档号码：201611155764
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2017.05.10