技术总结
本发明公开了一种短沟道半导体/石墨烯异质结光探测器的构筑方法，首先，将平均直径为100纳米的ZnS纳米线以接近90°的角度转移到石墨烯条带上，构建由石墨烯条带与单根ZnS纳米线交叉的结构；之后，使用光刻技术，在与单根ZnS纳米线交叉的石墨烯条带上镀Au薄膜并随后除去ZnS纳米线掩膜来制作有着低于100纳米间隙的Au电极；最后，将ZnSe薄膜镀在位于Au电极间隙中的石墨烯条带上，短沟道半导体/石墨烯异质结光探测器就构筑完成了。本发明工艺简单，成本低廉，具有较好的实用价值。
技术研发人员：王敏;许智豪;吴从军;蔡曹元;马杨
受保护的技术使用者：合肥工业大学
文档号码：201611164999
技术研发日：2016.12.16
技术公布日：2017.05.31