技术总结
本发明涉及半导体混合键合领域，尤其涉及一种混合键合结构及混合键合方法，该混合键合结构包括相对设置的第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有第一键合面，第二晶圆具有第二键合面，第一键合面上覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层中设置有多块第一金属垫，第二键合面上覆盖有第二绝缘层，第二绝缘层中设置有多块第二金属垫；第一绝缘层中还设置有第一开关层，第一开关层位于第一金属垫和第一键合面之间，和/或，第二绝缘层中还设置有第二开关层，第二开关层位于第二金属垫和第二键合面之间。本发明通过引入开关层提高待键合晶圆表面平整度，不需要引进新的平坦化研磨剂和特种机台即可实现待键合晶圆表面的平整，有利于后续的连线键合。
技术研发人员：朱继锋;胡思平;陈俊
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
文档号码：201611265121
技术研发日：2016.12.30
技术公布日：2017.05.10