1.一种混合键合结构，包括相对设置的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第二晶圆具有第二键合面，其特征在于，
所述第一键合面上覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层中设置有多块第一金属垫，所述第二键合面上覆盖有第二绝缘层，所述第二绝缘层中设置有多块第二金属垫；以及
所述第一绝缘层中还设置有第一开关层，所述第一开关层位于所述第一金属垫和所述第一键合面之间，和/或，所述第二绝缘层中还设置有第二开关层，所述第二开关层位于所述第二金属垫和所述第二键合面之间。
2.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，当所述第一绝缘层中设置有所述第一开关层时，
所述多块第一金属垫呈阵列均匀分布于所述第一绝缘层中，所述第一开关层位于至少一个所述第一金属垫和所述第一键合面之间；以及
与所述第一开关层接触的所述第一金属垫用于连线键合。
3.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，当所述第二绝缘层中设置有所述第二开关层时，
所述多块第二金属垫呈阵列均匀分布于所述第二绝缘层中，所述第二开关层位于至少一个所述第二金属垫和所述第二键合面之间；以及
与所述第二开关层接触的所述第二金属垫用于连线键合。
4.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，当同时设置有所述第一开关层及所述第二开关层时，
所述多块第一金属垫呈阵列均匀分布于所述第一绝缘层中，所述第一开关层位于至少一个所述第一金属垫和所述第一键合面之间，与所述第一开关层接触的所述第一金属垫用于连线键合；
所述多块第二金属垫呈阵列均匀分布于所述第二绝缘层中，所述第二开关层位于至少一个所述第二金属垫和所述第二键合面之间，与所述第二开关层接触的所述第二金属垫用于连线键合；以及
所述第一开关层和所述第二开关层上下对应。
5.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，所述多块第一金属垫暴露的上表面与所述第一绝缘层的上表面齐平，以及
所述多块第二金属垫暴露的上表面与所述第二绝缘层的上表面齐平。
6.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，所述第一开关层和所述第二开关层的材质为金属。
7.如权利要求1所述的混合键合结构，其特征在于，所述第一键合面为所述第一晶圆的顶层金属层，所述第二键合面为所述第二晶圆的顶层金属层。
8.一种混合键合方法，包括提供待键合的具有第一键合面的第一晶圆和待键合的具有第二键合面的第二晶圆，其特征在于，还包括：
在所述第一键合面上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层中形成用于电连接的第一开关层以及多个第一金属垫，所述多个第一金属垫呈阵列均匀分布于所述第一绝缘层中，所述第一开关层至少位于一个所述第一金属垫与所述第一键合面之间；
在所述第二键合面上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层中形成多个第二金属垫；
将与所述第一开关层接触的所述第一金属垫与对应的所述第二金属垫连线键合。
9.一种混合键合方法，包括提供待键合的具有第一键合面的第一晶圆和待键合的具有第二键合面的第二晶圆，其特征在于，还包括：
在所述第一键合面上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层中形成多个第一金属垫；
在所述第二键合面上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层中形成用于电连接的第二开关层以及多个第二金属垫，所述多个第二金属垫呈阵列均匀分布于所述第二绝缘层中，所述第二开关层至少位于一个所述第二金属垫与所述第二键合面之间；
将与所述第二开关层接触的所述第二金属垫与对应的所述第一金属垫连线键合。
10.一种混合键合方法，包括提供待键合的具有第一键合面的第一晶圆和待键合的具有第二键合面的第二晶圆，其特征在于，还包括：
在所述第一键合面上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层中形成用于电连接的第一开关层以及多个第一金属垫，所述多个第一金属垫呈阵列均匀分布于所述第一绝缘层中，所述第一开关层至少位于一个所述第一金属垫与所述第一键合面之间；
在所述第二键合面上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层中形成用于电连接的第二开关层以及多个第二金属垫，所述多个第二金属垫呈阵列均匀分布于所述第二绝缘层中，所述第二开关层至少位于一个所述第二金属垫与所述第二键合面之间；
将与所述第一开关层接触的所述第一金属垫和与所述第二开关层接触的所述第二金属垫对应连线键合。