本实用新型涉及晶闸管芯片领域，具体为一种晶闸管芯片。
背景技术：
晶闸管芯片属于硅元件，硅元件的普遍特性是过载能力差，因此在使用过程中经常会发生烧坏晶闸管芯片的现象。晶闸管芯片属于晶闸管核心主要部件，但是目前使用的晶闸管芯片普遍存在di／dt耐量偏小，触发灵敏度低，开关时间过长等问题，这些都是造成晶闸管芯片过载能力差的主要技术性问题，影响了晶闸管芯片的质量，不利于使用晶闸管的终端设备的正常工作。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种晶闸管芯片，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种晶闸管芯片，包括门极，门极辅助放大腿，门极放大腿，阴极面，所述门极设置在所述阴极面的中心位置，所述门极周围均布有一组门极辅助放大腿和一组门极放大腿，所述门极辅助放大腿和所述门极放大腿交替排列。
优选的，所述门极辅助放大腿的数量为六个。
优选的，所述门极放大腿的数量为六个。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该晶闸管芯片使用时，当门极有信号触发晶闸管芯片开通时，围绕晶闸管芯片成360度平均分布的六个门极辅助放大腿能加快导通面积，让导通面积迅速地从门极辅助放大腿经门极放大腿扩展到晶闸管芯片的阴极面，从而让整个晶闸管芯片全部快速开通，因为晶闸管芯片的开通di／dt值是晶闸管芯片的一个重要技术参数，它应当尽可能地大些，特别是为那些把快速转换作为主要要求的电路设计的器件，更应如此考虑，本装置通过门极辅助放大腿和门极放大腿实现了快速开通晶闸管芯片的目的，提高了晶闸管芯片开通时的di／dt耐量；本装置能极大提高晶闸管芯片开通时的di／dt耐量，解决了晶闸管芯片普遍存在的di／dt耐量偏小，触发灵敏度低，开关时间过长等问题，大幅度提高了晶闸管芯片的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中：1、门极，2、门极辅助放大腿，3、门极放大腿，4、阴极面。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种晶闸管芯片，包括门极1，门极辅助放大腿2，门极放大腿3，阴极面4，所述门极1设置在所述阴极面4的中心位置，所述门极1周围均布有一组门极辅助放大腿2和一组门极放大腿3，所述门极辅助放大腿2和所述门极放大腿3交替排列，所述门极辅助放大腿2的数量为六个，所述门极放大腿3的数量为六个。
工作原理：在使用该晶闸管芯片时，当门极1有信号触发晶闸管芯片开通时，围绕晶闸管芯片成360度平均分布的六个门极辅助放大腿2能加快导通面积，让导通面积迅速地从门极辅助放大腿2经门极放大腿3扩展到晶闸管芯片的阴极面4，从而让整个晶闸管芯片全部快速开通，因为晶闸管芯片的开通di／dt值是晶闸管芯片的一个重要技术参数，它应当尽可能地大些，特别是为那些把快速转换作为主要要求的电路设计的器件，更应如此考虑，本装置通过门极辅助放大腿2和门极放大腿3实现了快速开通晶闸管芯片的目的，提高了晶闸管芯片开通时的di／dt耐量。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。