技术总结
本实用新型公开了一种使用弱电检测装置的整流二极管，包括封装体、二极管本体、P型半导体电极、N型半导体电极，P型半导体电极和N型半导体电极相互烧结生成与二极管本体相匹配的结界面，P型半导体电极与N型半导体电极的自由端分别设有P极弱电检测装置和N极弱电检测装置。本实用新型的有益效果是：电压从N极流向P极时芯片控制电流形成微定量电泳泳向P电极，防止电压电流过大烧毁二极管，弱电检测装置能够检测出电压和电流情况，从而掌握电路的导通情况；通过在进行P区质扩散时采用二次扩散工艺，提高了P区载流子有效浓度，提高了芯片的耐压性和可靠性；在封装体表面添加降温层，避免由于温度过高而导致损坏。
技术研发人员：刘忠玉;骆宗友
受保护的技术使用者：东莞市佳骏电子科技有限公司
文档号码：201620910799
技术研发日：2016.08.19
技术公布日：2017.02.22