本实用新型涉及一种高强度低密度PTFE绕包带。
背景技术：
目前市场上使用的聚四氟乙烯(PTFE)绝缘同轴电缆，其耐高低温、使用频率高、柔韧性好、低驻波、低损耗、均匀性好、屏蔽性能好等，使其成为低损耗同轴射频电缆的首选，可用于军事通信、跟踪、警戒、雷达、航空航天、导航、制导、电子对抗等高要求，以及军用电子设备微波、无线电传输馈线。相对于聚四氟乙烯，低密度(微孔)聚四氟乙烯的介电常数更小，介质损耗更小，是低损耗射频同轴电缆较佳的绝缘材料。但是相对于聚四氟乙烯，薄膜内部及表面有着大量的不规则微孔，使得微孔聚四氟乙烯材料的抗拉强度差，而且耐抗压性差。在绕包电缆时容易出现变形、断裂等意外，对电缆产生了极大的影响。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种高强度低密度PTFE绕包带，其具有更好的抗拉强度、断裂伸长率及抗压性能的特性。
本实用新型是这样实现的：一种高强度低密度PTFE绕包带，其特征在于，其包括：PTFE绕包带中间为未完全烧结的PTFE微孔纤维层，PTFE微孔纤维层的上下两边为完全烧结的聚四氟乙烯薄膜层
本实用新型高强度低密度PTFE绕包带在保留比聚四氟乙烯料带更低的介电常数、介质损耗的情况下，比普通低密度微孔聚四氟乙烯有着更好的抗拉强 度、断裂伸长率及抗压性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1，本实用新型实施例提供一种高强度低密度PTFE绕包带，PTFE绕包带中间为未完全烧结的PTFE微孔纤维层2，两边为完全烧结的聚四氟乙烯薄膜层1，通过这种结构使薄膜带拥有更高的强度。
高强度低密度PTFE绕包带的制备方法，包括以下工艺步骡：将未烧结的PTFE薄膜经烘拉机拉伸烧结后形成微孔薄膜带；微孔薄膜带相对于高强度低密度PTFE绕包带有着更低的密度与更厚的厚度。
将薄膜带快速通过温度为300～400℃烘拉机，烘拉机分为四个区域，在第三个区域对表面熔融的微孔薄膜带进行轻微的压延，使表面形成完全烧结的聚四氟乙烯薄膜层2。在第四区域再次烧结后制成高强度低密度PTFE绕包带。通过改变微孔膜的结构，使得高强度低密度PTFE绕包带在保留比聚四氟乙烯生料 带更低的介电常数、介质损耗的情况下，比普通低密度微孔聚四氟乙烯薄膜带有着更好的抗拉强度、断裂伸长率及抗压性能。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。