磁控电抗器中可控硅同步信号的获取系统的制作方法

本实用新型涉及磁控电抗器，具体地指一种磁控电抗器中可控硅同步信号的获取系统。

背景技术：

可控电抗器的研究始于上世纪50年代，相继出现了调匝式可控电抗器、调气隙式可控电抗器，但调匝式可控电抗器与调气隙式可控电抗器的调节速度慢，其应用范围受到限制。随着晶闸管等电力电子器件的发展，又相继出现了晶闸管控制电抗器型(TCR)可控电抗器、晶闸管控制变压器型可控电抗器(TCT)，这两种电抗器都是交流磁通控制型可控电抗器，通过改变交流电流的通断间隔来调节电抗器的容量，TCR型可控电抗器采用在高压侧用晶闸管控制空心电抗器，其谐波含量大，TCT型可控电抗器采用高漏抗变压器，在低压侧通过晶闸管控制通断改变电抗，其成本高。在交流控制型磁控电抗器出现的同时也相继出现了一些直流控制型磁控电抗器，如磁控电抗器，磁控电抗器主要利用附加直流励磁磁化铁芯，改变铁芯的磁导率，实现电抗值的连续调节，由于其响应速度快、产生谐波极低、损耗小、可靠性低等众多技术优势已经在动态无功补偿系统和消弧线圈系统中得到了广泛应用。

可控硅又叫晶闸管，其结构简单，控制方便，价格也不高。只要在其正负极加上相应的电压，又在控制极施加导通触发信号，正负极之间就可导通，但对于晶闸管的触发控制必须获取晶闸管两端的同步电压，根据获取的同步电压来调整触发角度。磁控电抗器一般都是应用在10KV或者10KV以上的电力系统中，电压等级都比较高，对于可控硅同步信号的获取，一般采用合适的电压互感器(PT)把高电压的同步信号转化为100V以下的电压信号，然后送到控制系统中作为晶闸管触发角的调节依据。这种方式不仅接线比较复杂，增加了设备空间大小，并且增加了PT的成本，如果是针对于多个同步信号获取，结构更会更加复杂。

技术实现要素：

本实用新型目的就在于克服上述现有技术的不足而提供一种磁控电抗器中可控硅同步信号的获取系统，该系统能够获取合适的同步电压，然后直接送到控制系统做相应的处理，从而控制晶闸管的导通角，改变电抗器铁芯的磁饱和度，实现对电抗器的无级调节。

实现本实用新型目的采用的技术方案是：一种磁控电抗器中可控硅同步信号的获取系统，包括磁控电抗器，所述磁控电抗器包括铁芯，所述铁芯上绕制有与磁控电抗器中高压系统绝缘的线圈，所述线圈的两个抽头连接有电压检测器，所述电压检测器连接有处理器，所述处理器与磁控电抗器中晶闸管的触发控制模块连接。

在上述技术方案中，所述磁控电抗器包括绕组，所述绕组的两个抽头分别连接有晶闸管。

附图说明

图1为磁控电抗器的电路原理图。

图2为磁控电抗器的结构示意图。

图3为本实用新型磁控电抗器中可控硅同步信号的获取系统的结构示意图。

图4为本实施例三相同步信号的获取原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

如图1、图2所示，磁控电抗器中A、X两端为磁控电抗器一次接线端口，D1、D2为磁控电抗器的直流励磁部分，K1、K2为绕组中间的两个抽头，T1、T2为两个晶闸管，D为续流二极管，当电抗器绕组A、X两端接至电源电压，在可控硅T1、T2两端感应出1％左右的电源电压，在电源电压正半周触发导通可控硅T1，在电源负半周触发导通可控硅T2，实现在一个工频周期内轮流导通T1和T2，产生直流控制电流，使电抗器铁芯饱和，输出电流增加，而磁控电抗器输出电流大小取决于晶闸管控制角α,α越小，产生的控制电流越强，从而电抗器工作铁芯磁饱和层度越高，输出电流越大。而晶闸管的控制角α的调节需要绕组A、X两端的同步电压作为控制的依据，而A、X两端的同步电压过高，现有技术中，是通过电压互感器(PT)把高电压的同步信号转化为100V以下的电压信号，然后送到控制系统中作为晶闸管触发角的调节依据，这种方式不仅接线比较复杂，增加了设备空间大小，并且增加了PT的成本，如果是针对于多个同步信号获取，结构更会更加复杂。

如图3所示，本实用新型则在铁芯上绕制有与磁控电抗器中高压系统绝缘的线圈，A、X两端为电抗器一次接线端口，D1、D2为磁控电抗器的直流励磁部分，a、x两个抽头为磁感应产生的同步信号的获取端口。在线圈的两个抽头a、x连接电压检测器(图中未示出)，电压检测器连接有处理器，处理器与磁控电抗器中晶闸管的触发控制模块连接。电压检测器感应a、x两端电压适合作为T1、T2晶闸管的同步电压，处理器根据电压检测器检测的电压信号，送到控制系统中用于控制晶闸管触发角。

如图3所示，针对于完全对称的三相同步信号，可以获取其中任意两相同步电压信号，通过信号处理得到两相的同步信号，然后利用叠加原理得到另外一相的同步信号。