1.一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：包括瓷管体（1）、熔体带组合体、前接触板（2）、后接触板（3）、前盖板（4）以及后盖板（5），所述瓷管体（1）内部设有柱状空腔（6），所述熔体带组合体置于柱状空腔（6）内且在熔体带组合体与柱状空腔之间填充有石英砂，所述熔体带组合体包括四组熔体组合分体（7），四个所述熔体组合分体（7）以瓷管体（1）的中心轴线对称分布，所述熔体组合分体（7）包括多个相互平行设置且具有相同长度而宽度不同的熔体片（71），多个熔体片（71）的底端水平对齐且多个熔体片（71）的宽度沿瓷管体（1）的轴线方向依次增大，所述熔体片（71）的两端部分别与前接触板（2）以及后接触板（3）焊接固定，所述前接触板（2）、后接触板（3）分别与前盖板（4）、后盖板（5）螺钉连接固定，所述前盖板（4）以及后盖板（5）分别与瓷管体（1）的前后端管体螺钉连接固定。
2.根据权利要求1所述的一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：所述熔体片（71）的材质设置为铜银复合带，包括多个相互间隔设置的铜带段（711）以及银带段（712）。
3.根据权利要求2所述的一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：所述熔体组合分体（7）上的熔体片（71）数量设置为五个，且沿瓷管体（1）轴线方向，五个熔体片（71）的宽度依次为10mm、15mm、20mm、20mm、20mm。
4.根据权利要求3所述的一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：所述熔体片（71）上的银带段（712）上设有多个按间距设置的通孔（713）。
5.根据权利要求4所述的一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：所述熔体组合分体（7）上的五个熔体片（71）的通孔（713）数量沿瓷管体（1）轴线方向依次设为4个、6个、8个、8个、8个。
6.根据权利要求2所述的一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：所述熔体片（71）上的铜带段（711）设为折弯铜带段，所述熔体片（71）的两端部设为90度折弯铜片，两端部的折弯铜片的其中一折弯边分别与前接触板（2）以及后接触板（3）焊接固定。
7.根据权利要求3所述的一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：所述熔体组合分体（7）之间的垂直间距设置为4.2mm-4.6mm，所述熔体片（71）之间的垂直间距设置为4.0mm-4.4mm。