技术总结
本实用新型涉及一种具有梳状电流分布的半导体激光器，包括衬底、金属接触层和欧姆接触层，所述衬底、金属接触层和欧姆接触层之一采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底与金属接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底与欧姆接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述金属接触层与欧姆接触层采用电阻梳状分布结构，或者所述衬底、金属接触层和欧姆接触层采用电阻梳状分布结构。本实用新型通过将激光器的金属接触区或者欧姆接触区制作为电阻梳状分布结构来实现具有增益‑折射率复合耦合光栅的半导体激光器。本实用新型可以不涉及二次外延工艺，简化了器件的制作难度，同时，还保留了增益耦合光栅半导体激光器的诸多优点。
技术研发人员：林琦;林中晞;陈景源;陈阳华;苏辉;薛正群;王凌华;林乐
受保护的技术使用者：中国科学院福建物质结构研究所
文档号码：201621243081
技术研发日：2016.11.15
技术公布日：2017.06.06