1.一种包含陶瓷微带的射频垂直过渡结构，包括，射频芯片、微带线以及射频同轴连接器；所述射频芯片通过所述微带线与所述射频同轴连接器连接；
其特征在于，
所述微带线为陶瓷介质微带线，其通过第一金丝与所述射频芯片输出端口连接；通过第二金丝与所述射频同轴连接器波针连接；
所述陶瓷介质微带线包括依次连接的第一匹配段、第二匹配段、第三匹配段以及第四匹配段，其中，所述第一匹配段的自由端与第一金丝连接；第四匹配段的自由端与第二金丝连接；第一匹配段用于和所述第一金丝组成第一LC等效电路以和所述输出端口进行阻抗匹配；第二匹配段的特性阻抗与所述输出端口相同；所述第四匹配段用于和第二金丝组成第二LC等效电路以和所述波针进行阻抗匹配；所述第三匹配段用于所述第二匹配段与第二LC等效电路进行阻抗匹配。
2.如权利要求1所述的射频垂直过渡结构，其特征在于，所述第一匹配段的宽度大于第二匹配段。
3.如权利要求1所述的射频垂直过渡结构，其特征在于，所述陶瓷介质微带线自上向下依次包括金属导带层、陶瓷介质层以及接地导体层。
4.如权利要求1所述的射频垂直过渡结构，其特征在于，所述射频同轴连接器的同轴结构介质为空气、聚四氟乙烯、玻璃、硅橡胶或陶瓷粉末。
5.如权利要求4所述的射频垂直过渡结构，其特征在于，所述第四匹配段的宽度大于第二匹配段。
6.如权利要求5所述的射频垂直过渡结构，其特征在于，所述第三匹配段的宽度小于第二匹配段。
7.如权利要求5所述的射频垂直过渡结构，其特征在于，所述第三匹配段，
宽度一致，或
宽度为渐变，或，
为依次连接的至少两个子匹配段，每个子匹配段拥有不同的宽度。
8.如权利要求1所述的射频垂直过渡结构，其特征在于，所述陶瓷介质微带线采用薄膜工艺制作。
9.如权利要求1所述的射频垂直过渡结构，其特征在于，所述输出端口为GSG端口、CPW端口或微带输出端口。