技术特征：
技术总结
本发明的半导体装置的特征在于，具备：基板；发热部，其形成于基板之上；盖基板，其在基板的上方以在盖基板与基板之间具有中空部的方式形成；以及反射膜，其在发热部的上方对红外线进行反射。反射膜对由于发热部的温度上升而经由中空部向盖基板侧辐射的红外线进行反射，从而具有抑制盖基板侧的温度上升的作用。由于该作用，即使在模塑树脂存在于盖基板之上的情况下，也产生抑制模塑树脂的温度上升的效果。
技术研发人员：西泽弘一郎;山本佳嗣;宫胁胜巳;渡边伸介;志贺俊彦
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2016.10.24
技术公布日：2019.06.07