技术特征：
技术总结
本发明涉及一种应变GeSn MOS器件及其制备方法、集成电路及计算机。该一种计算机包括主板、显卡、CPU和存储器，所述显卡、所述CPU和所述存储器设置于所述主板上，且所述主板包括BIOS芯片、I/O背板接口、键盘和面板控制开关接口、内存插槽、CMOS电池、南北桥芯片、PCI插槽；所述显卡、所述CPU和所述存储器包括本发明提供的NMOS器件、PMOS器件或者CMOS器件组成的集成电路，其中NMOS器件、PMOS器件或者CMOS器件通过本发明的激光晶化工艺制备而成。本发明的NMOS器件或者CMOS器件具有很高的空穴和电子迁移率，可显著提升晶体管的速度与频率特性，从而本发明的计算机较现有的芯片及设备具有更优良的特征。
技术研发人员：张洁;宋建军;任远;胡辉勇;宣荣喜;舒斌;张鹤鸣
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.02.10
技术公布日：2018.03.09