本发明属于LED芯片
技术领域：
，特别是一种背裂式裂片方法。
背景技术：
：LED芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试→分选→外观测试→打标入库。外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极(P极，N极)，接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀)，制造成芯片后。1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。2、晶圆切割成芯片后，100％的目检(VI/VC)，操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。4、最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片(目前市场上统称方片)。晶圆经过切割后，并未完全分开。需要经过划片后的晶圆上覆盖一层玻璃纸，然后白膜向上，玻璃纸向下，放入裂片机台，进行裂片。为了更好的提升光提取效率，背镀DBR层数由30层，提升到了48层。使用传统的正裂方法，机台CCD收集到的光强较暗，出现很多无法识别芯片模板的现象，导致无法作业，故，尝试采用背裂方式完成裂片作业。裂片时CCD处于载台下方，IR光源和劈刀处于载台上方，通常将芯片正面朝上放入载台上(正裂位)。48层DBR反射光谱带宽约为400～850nm，而IR光源波长约为810nm。正裂时，IR光依次穿过SPV224白膜、SiO2、ITO、外延层、蓝宝石衬底层、DBR(布拉格反射层为Ti3O5和SiO2的高低折射率层叠加的ABAB…结构的增反膜)和PET膜，记作“光程1”，最后被CCD接收信号，IR光穿过DBR时，光强损失较为严重。带宽约为810nmIR光难以从正面穿透DBR层。技术实现要素：为解决上述技术问题，本发明提供了一种背裂式裂片方法，其包括以下步骤：将芯片通过背裂位放入机台的载台，IR光依次穿射PET膜、DBR、蓝宝石衬底层、外延层ITO、SiO2、SPV224白膜；通过CCD获取芯片的模板图像，进行模板图像保存时，背面图像相对亮一些，达到机台所要求的灰阶，保存模板图像，并完成建档；将IR光经过DBR背面穿过，DBR失去增强型反射膜的效果，光强损失减少，CCD接收到的光强相对较强，达到机台识别模板的灰度要求，通过劈刀完成劈裂作业。本发明具有以下有益效果：1.裂片作业方面：背裂方式可以缓解由于科技日新月异，DBR增厚等方面给老机台带来无法作业的压力，成功完成裂片作业；此外，对于芯片IR良率和AOI良率均未产生不良影响；2.建档方面：由于光源较弱，无法满足机台灰阶要求，正裂位芯片无法完成建档所需的模板图像保存，而背裂位可以轻松完成参数档建立；3.选取背裂方式作业的芯片，扩张后，观察效果显微图，外观良好，参数经过仔细优化后，较少出现崩边和裂碎等不良现象；4.裂片速度上，并未更改马达速度，粗对和精对刀数，故对裂片速度并未有影响。当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。具体实施方式下面将结合本发明实施例对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。实施例选取48层DBR芯片，由于机台原因，裂片机台难以观测到芯片版图，故此无法完成裂片作业，故此，采用背裂方式作业。以48层DBR30BC为例：裂片时，光源调制最大。分别进行30BC48层DBR芯片参数档建立；正裂、背裂方式的裂片作业；并分析芯片外观、点测数据和AOI数据。30BC48层DBR芯片参数档建立：裂片机台参数档的建立时根据模板图像的灰阶进行抓图比对的，当载入图像过暗时，灰阶无法达到机台要求，不能保存模板图像，将无法完成建档。正裂位放入机台，当进行模板图像保存时，正面图像偏暗，无法达到机台所要求的灰阶，无法保存模板图像。故建档失败；背裂位放入机台，进行模板图像保存时，背面图像相对亮一些，达到机台所要求的灰阶，可以保存模板图像，故建档成功。采用背裂方式时，将芯片通过背裂位放入机台的载台，通过CCD获取芯片的模板图像，进行模板图像保存时，背面图像相对亮一些，达到机台所要求的灰阶，保存模板图像，并完成建档；将IR光经过DBR背面穿过，IR光依次穿射PET膜、DBR、蓝宝石衬底层、外延层ITO、SiO2、SPV224白膜，DBR失去增强型反射膜的效果，光强损失减少，CCD接收到的光强相对较强，达到机台识别模板的灰度要求，通过劈刀完成劈裂作业。芯片外观、点测数据和AOI数据：优化参数后，30BC裂片效果，裂片外观良好，较少未出现崩边或裂碎等现象出现。如表1所示，IR良率范围在95.94～97.32之间，IR良率平均值为96.62；AOI良率范围在94.74％～97.95％，AOI良率平均值为96.44；MESA良率也属于正常范围。sWaferIDiTotalQtyfIrYield片号OK数量(％)MESA线(％)C05922W30BC23001942196.82C05922W30BC2300196.351.41C05922W30BC23002946096.56C05922W30BC2300295.91.18C05922W30BC23003951596.72C05922W30BC2300396.660.96C05922W30BC23004947297.23C05922W30BC2300496.251.43C05922W30BC23005948995.98C05922W30BC2300594.781.53C05922W30BC23006951095.49C05922W30BC2300697.080.97C05922W30BC23007946897.53C05922W30BC2300797.710.93C05922W30BC23008950696.91C05922W30BC2300896.670.63C05922W30BC23009948197.39C05922W30BC2300996.990.55C05922W30BC23010942396.89C05922W30BC2301097.630.63C05922W30BC23011948396.25C05922W30BC2301196.530.5C05922W30BC23012939897.21C05922W30BC2301297.950.45C05922W30BC23013939797.31C05922W30BC23013951.77C05922W30BC23014943597.32C05922W30BC2301495.530.98C05922W30BC23015922497.18C05922W30BC2301596.90.49C05922W30BC23016942596.93C05922W30BC2301695.861.04C05922W30BC23017945596.66C05922W30BC2301796.150.53C05922W30BC23018946796.44C05922W30BC2301896.590.99C05922W30BC23019946296.77C05922W30BC2301996.411C05922W30BC23020945496.32C05922W30BC2302096.990.45C05922W30BC23021943196.87C05922W30BC2302194.741.26C05922W30BC23022947496.37C05922W30BC2302297.020.94C05922W30BC23023944094.94C05922W30BC2302397.160.78C05922W30BC23024961595.83C05922W30BC2302496.421.52C05922W30BC23025947595.66C05922W30BC2302595.662.12表1本发明具有以下有益效果：1.裂片作业方面：背裂方式可以缓解由于科技日新月异，DBR增厚等方面给老机台带来无法作业的压力，成功完成裂片作业；此外，对于芯片IR良率和AOI良率均未产生不良影响；2.建档方面：由于光源较弱，无法满足机台灰阶要求，正裂位芯片无法完成建档所需的模板图像保存，而背裂位可以轻松完成参数档建立；3.选取背裂方式作业的芯片，扩张后，观察效果显微图，外观良好，参数经过仔细优化后，较少出现崩边和裂碎等不良现象；4.裂片速度上，并未更改马达速度，粗对和精对刀数，故对裂片速度并未有影响。以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属
技术领域：
技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。当前第1页1 2 3