本发明属于半导体光电子器件制造技术领域，尤其涉及紫外发光二极管外延片的制造技术。
背景技术：
发光二极管（led，lightemittingdiode）具有长寿、节能、环保、可靠性高等优点。近年来，led在大屏幕彩色显示、交通信号灯和照明等领域发挥了越来越重要的作用。但要在全彩屏显示和照明领域上能得到更加广泛的应用，则需要进一步提升led外延产出的均一性。
多量子阱有源区作为led的核心区域，通常由多组ingan量子阱和gan垒层交替重叠构成。由于h2会令in原子在材料表面停留的时间减少，增加in原子的逃逸概率，从而影响ingan中in的并入效率。因此，在现有的生长工艺中，多量子阱一般在纯n2气氛下生长，如专利文献201210189941.5公开的在纯n2气氛下生长量子阱，采用的生长温度为：760℃和780℃。201210189941.5公开的技术方案是采用传统n2气氛生长mqw，主要适用于富in的蓝绿光led外延生长，对于紫光发光二极管外延片，纯n2气氛生长的环境，热传导较h2掺入的生长气氛差，不利于alingan体系中al的迁移，不利于形成二维平面生长，进而影响晶体质量的提升。同时，由于纯n2气氛缺少对in并入的抵御机制，不利于alingan体系mqw获得及调控紫外波段发光波长。
技术实现要素：
鉴于以上现有技术存在的缺陷，本发明目的是提出一种有利于调控紫外发光二极管的波长，并改善紫外发光二极管的波长均一性的外延方法。
本发明技术方案是：在衬底上从下到上依次外延生长缓冲层、非掺杂algan层、n型algan层、多量子阱alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn有源层、p型algan电子阻挡层和p型algan层；其特征在于：在外延生长所述多量子阱alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn有源层时，采用的生长温度为900～1000℃，并且在生长时气氛为n2，还脉冲式地通入h2。
本发明采用较高的温度生长多量子阱有源层，并在生长过程中脉冲式的通入大量的h2，通过增加h化学势（加大h分压），适当调控富in局域态的形貌及颗粒尺寸，得到紫外发光二极管外延片的波长在300～400nm，且发光波长的均一性得到改善。
优选的，所述多量子阱有源区的主要气氛为n2，脉冲式通入h2的量设定在2000～8000sccm。脉冲式通入h2的方式，一方面生长alingan体系mqw时，在此h2量下，利用h化学势增加（加大h分压），使in原子在材料表面停留的时间减少，逐渐缩小in并入的窗口，材料表面将主要以ga-al-nh3或ga-al-nh2为主，避免富in局域态形貌的形成，达到调控发光波长均一性目的，另一方面，脉冲式通入h2，可避免大量h2引入所造成的生长环境温度的波动。
具体实施方式
本发明采用aixtron公司的mocvd设备进行外延生长，使用nh3、tmga/tega、tmin分别作为n、ga、in源。
以上所述的外延层生长，具体包括如下步骤：
1、在蓝宝石衬底l1上生长一层aln低温缓冲层l2：生长温度550℃，压力为65000pa，厚度为30nm，nh3流量为15000sccm，tmal流量100sccm，生长气氛为h2。
2、在aln低温缓冲层l2上生长非掺杂algan层l3：生长温度1050℃，压力为40000pa，nh3流量为10000sccm，tmal流量30sccm，tmga流量为300sccm，厚度约3μm，生长气氛为h2。
3、在非掺杂algan层l3上生长一层n型algan层l4：生长温度1050℃，压力20000pa，厚度约为2.5μm，掺杂浓度为1×1019cm-3，nh3流量为10000sccm，tmal流量20sccm，tmga流量为200sccm，生长气氛为h2。
4、在n型algan层l4上生长8对多量子阱alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn有源层l5：压力为30000pa，阱垒生长温度均为950℃。
第一对alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn中，每一层al0.1in0.03ga0.87n的厚度为4nm，每一层al0.3in0.01ga0.69n的厚度为8nm。
阱垒层nh3流量均为20000sccm，阱层tmal流量20sccm，tega流量为400sccm，tmin流量为300sccm，垒层tmal流量60sccm，tega流量为900sccm，tmin流量为100sccm，阱垒层生长时连续通入n2，n2量为30000sccm，阱垒层生长时脉冲式地通入h2，其中h2量调控范围为2000sccm～8000sccm。
5、在多量子阱alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn有源层l5上生长6对p型al0.3ga0.7n/al0.5ga0.5n电子阻挡层（即p型algan电子阻挡层）l6：生长温度1000℃，生长压力10000pa，al0.3ga0.7n/al0.5ga0.5n生长厚度分别为10nm/2nm，mg原子掺杂浓度为2×1019cm-3，nh3流量为10000sccm,al0.3ga0.7n/al0.5ga0.5n周期中al源流量分别为60sccm及100sccm，生长气氛为n2。
6、在p型al0.3ga0.7n/al0.5ga0.5n电子阻挡层（即p型algan电子阻挡层）l6上生长p型al0.2ga0.8n空穴注入层（即p型algan层）l7：生长温度1050℃，压力为20000pa，mg掺杂浓度1×1020cm-3，厚度为50nm。