紫外光发光元件的制作方法

紫外光发光元件的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种可以抑制发光强度随时间降低的紫外光发光元件。所述紫外光发光元件具有：第1基体(10)；多个电极(20)，其位于第1基体(10)的主面上；电介质层(30)，其位于第1基体(10)的主面上，并覆盖多个电极(20)；发光层(40)，其位于电介质层(30)上，并发出紫外光，且与包含多个电极(20)正上方的区域的至少一部分的第2区域(93)相比，在不同于第2区域(93)的电介质层(30)上的区域(92)中较厚；以及第2基体(11)，其处于与发光层(40)相对置的位置；其中，在第1基体(10)和第2基体(11)之间的放电空间(12)填充有规定的气体；发光层(40)通过气体中的多个电极(20)间的放电而发出紫外光。
【专利说明】
紫外光发光元件
技术领域
[0001]本发明涉及一种紫外光发光元件。
【背景技术】
[0002]波长大约为200nm?350nm的深紫外光在杀菌、净水、光刻、照明等各种各样的领域加以利用。以前，作为深紫外光的光源，使水银产生辉光放电的水银灯得到广泛使用。但是，从环境负荷的角度考虑，例如像欧洲的WEEE&RoHS指令那样的对水银等环境有害物质的限制变得严格。因此，希望开发用于代替水银灯的光源。另外，水银灯由于为点发光，因而在利用于需要大面积且强度均匀的光的光刻等的情况下，也存在需要复杂的光源设计等问题。
[0003]作为不使用水银的深紫外光的光源，例如可以列举出能够发出深紫外光的DUV-LED(Deep Ultra V1let-Light Emitting D1de)。或者，作为深紫外光的光源，可以列举出通过阻挡放电使氯化氪(KrCl)等放电气体激发而取出深紫外光的准分子灯。
[0004]另外，作为不使用水银的深紫外光的光源，还有由阻挡放电和荧光体组合而成的深紫外光发光元件:其通过阻挡放电使氙(Xe)等稀有气体激发而产生真空紫外光，并将该真空紫外光照射于荧光体上，由此取出深紫外光(例如参照专利文献I以及专利文献2)。具体地说，专利文献I公开了一种面发光的发出紫外光的发光元件:其在基板上设置有多个电极，在设置了发出紫外光的荧光体的放电空间内，通过在电极上施加交流电压而使其放电。专利文献2公开了一种器件:其将在内部形成有发出紫外光的发光层的多个放电细长管并列配置，并将通过放电而产生的真空紫外光照射在发光层上，由此以深紫外光而进行面发光。这样的由阻挡放电和荧光体组合而成的深紫外光发光元件由于放电在局部发生，因而形状的自由度较高，有可能不需要复杂的光源设计，从而具有优势。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献I:日本特表2009-505365号公报
[0008]专利文献2:日本特开2011-193929号公报

【发明内容】

[0009]发明所要解决的课题
[0010]然而，在上述以前的深紫外光发光元件中，存在的课题是不能抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0011]于是，本发明的目的在于:提供一种可以抑制发光强度随时间降低的紫外光发光元件。
[0012]用于解决课题的手段
[0013]为了达到上述目的，本发明的一实施方式涉及一种紫外光发光元件，其具有:第I基体;多个电极，其位于所述第I基体的主面上；电介质层，其位于所述第I基体的所述主面上，并覆盖所述多个电极;第I发光层，其位于所述电介质层上，并发出紫外光，且与包含所述多个电极正上方的区域的至少一部分的第2区域相比，在不同于所述第2区域的所述电介质层上的第I区域中较厚；以及第2基体，其处于与所述第I发光层相对置的位置;其中，在所述第I基体和所述第2基体之间的空间填充有规定的气体;所述第I发光层通过所述气体中的所述多个电极间的放电而发出所述紫外光。所述第I发光层也可以在与所述第2基体相对置的面上具有凹凸形状。
[0014]另外，本发明的一实施方式还涉及一种紫外光发光元件，其具有:第I基体;多个电极，其位于所述第I基体的主面上；电介质层，其位于所述第I基体的所述主面上，并覆盖所述多个电极;第I发光层，其位于所述电介质层上，并发出紫外光，且不是位于包含所述多个电极正上方的区域的至少一部分的第2区域，而是位于与所述第2区域不同的所述电介质层上的第I区域；以及第2基体，其处于与所述第I发光层相对置的位置;其中，在所述第I基体和所述第2基体之间的空间填充有规定的气体;所述第I发光层通过所述气体中的所述多个电极间的放电也可以发出所述紫外光。
[0015]另外，本发明的一实施方式还涉及一种紫外光发光元件，其具有:第I基体;多个电极，其位于所述第I基体的主面上；电介质层，其位于所述第I基体的所述主面上，并覆盖所述多个电极;第I发光层，其位于所述电介质层上，并发出紫外光;薄膜，其位于所述第I发光层上，并含有氧化镁、氧化钙、氧化钡以及氧化锶之中的至少I种；以及第2基体，其处于与所述薄膜相对置的位置;其中，在所述第I基体和所述第2基体之间的空间填充有规定的气体；所述第I发光层通过所述气体中的所述多个电极间的放电也可以发出所述紫外光。
[0016]发明的效果
[0017]根据本发明的紫外光发光元件，可以抑制发光强度随时间的降低。
【附图说明】
[0018]图1是表示实施方式I的紫外光发光元件的构成的剖视图。
[0019]图2是表示实施方式I的紫外光发光元件的电极构造的俯视图。
[0020]图3是表示制造实施方式I的紫外光发光元件时使用的功能加热炉的概要的示意图。
[0021]图4是表示实施方式I的功能加热炉的温度轮廓的一个例子的图。
[0022]图5是表示实施方式I的密封工序的气体及其流动的图。
[0023]图6是表示发光层使用粉末状MgO时反射率和透射率的膜厚依存性的图。
[0024]图7是表示发光层所使用的每一种发光材料的发光强度的图。
[0025]图8是表示实施方式I的变形例的紫外光发光元件的构成的剖视图。
[0026]图9是表示实施方式I及其变形例和比较例的紫外光发光元件的特性的评价结果的图。
[0027]图10是表示实施方式2的紫外光发光元件的构成的剖视图。
[0028]图11是表示实施方式2以及比较例的紫外光发光元件的特性的评价结果的图。
[0029]图12是表示实施方式3的紫外光发光元件的构成的剖视图。
[0030]图13是表示实施方式3以及比较例的紫外光发光元件的特性的评价结果的图。
[0031]图14是表示实施方式4的紫外光发光元件的构成的剖视图。
【具体实施方式】
[0032](本发明的概要)
[0033]首先，就本发明的紫外光发光元件的概要进行说明。
[0034]本发明人进行调查的结果，可知正如专利文献I以及专利文献2所公开的紫外光发光元件那样，在发光层形成于覆盖电极的电介质层上的情况下，发光层通过曝露于与放电相伴的离子碰撞下而使发光层变质。因此，本发明人新近发现:如果使紫外光发光元件连续点灯，则会产生发光强度随时间降低的课题。
[0035]再者，紫外光发光元件的放电开始电压受到覆盖电极的电介质层附近的曝露于放电中的区域的二次电子放出特性的影响。因此，可知在发光层形成于覆盖电极的电介质层或者保护层的正上方的情况下，因二次电子放出特性降低而使放电开始电压上升。进而可知:覆盖电极的电介质层的电极正上方附近也是蓄积用于使放电继续的壁电荷的区域，所以如果发光层形成于电极正上方的电介质层上，则放电难以持续。
[0036]由上可知，在专利文献I以及专利文献2所公开的紫外光发光元件中，存在的课题是因连续点灯引起的发光强度随时间的降低增大。进而新近可知:存在的课题还有用于使放电开始的电压(放电开始电压)以及用于维持其放电的电压(放电维持电压)也升高，从而使紫外光发光元件的发光强度降低。
[0037]于是，本发明的目的在于解决上述以前的课题，提供一种可以抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低的紫外光发光元件。
[0038]为了达到上述目的，本发明的一实施方式涉及一种紫外光发光元件，其具有:第I基体;多个电极，其位于所述第I基体的主面上；电介质层，其位于所述第I基体的所述主面上，并覆盖所述多个电极;第I发光层，其位于所述电介质层上，并发出紫外光，且与包含所述多个电极正上方的区域的至少一部分的第2区域相比，在不同于所述第2区域的所述电介质层上的第I区域中较厚；以及第2基体，其处于与所述第I发光层相对置的位置;其中，在所述第I基体和所述第2基体之间的空间填充有规定的气体;所述第I发光层通过所述气体中的所述多个电极间的放电而发出所述紫外光。所述第I发光层的与所述第2基体相对置的面也可以具有凹凸形状。
[0039]由此，由于发光层在包含电极正上方的区域的至少一部分的第2区域较薄，因而可以减少第2区域的发光强度在整个紫外光发光元件的发光强度中所占的比例。因此，即使因连续点灯而使发光层在第2区域的发光强度随时间降低，对整个紫外光发光元件的发光强度产生的影响也较少，从而可以抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0040]另外，由于发光层在第2区域较薄，因而放电开始电压容易受到发光层的正下方方向的电介质层的影响。因此，例如通过设置二次电子放出特性比发光层好的电介质层，可以使放电开始电压降低。
[0041]另外，例如所述第I发光层在所述第2区域的厚度也可以低于ΙΟμπι。
[0042]由此，发光层在第2区域的厚度低于ΙΟμπι，因而发光层发出的紫外光容易透过。在电极侧透过的紫外光被电介质层吸收，因而可以预先使第2区域的发光强度更为降低。因此，可以进一步减小第2区域的发光强度在整个紫外光发光元件的发光强度中所占的比例，所以能够抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0043]另外，例如所述所述紫外光发光元件具有:第I基体;多个电极，其位于所述第I基体的主面上；电介质层，其位于所述第I基体的所述主面上，并覆盖所述多个电极;第I发光层，其位于所述电介质层上，并发出紫外光，且不是位于包含所述多个电极正上方的区域的至少一部分的第2区域，而是位于与所述第2区域不同的所述电介质层上的第I区域；以及第2基体，其处于与所述第I发光层相对置的位置;在所述第I基体和所述第2基体之间的空间填充有规定的气体;所述第I发光层通过所述气体中的所述多个电极间的放电也可以发出所述紫外光。
[0044]由此，在第2区域即电极正上方的区域的至少一部分没有设置发光层。因此，可以使第2区域的发光强度在整个紫外光发光元件的发光强度中所占的比例大致为0，所以能够抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0045]另外，例如所述紫外光发光元件也可以进一步具有第2发光层，该第2发光层位于所述第2区域，含有的材料或者其含量与所述第I发光层不同，而且所述紫外光的发光强度比所述第I发光层低。
[0046]由此，由于位于电极正上方的第2区域的第2发光层的发光强度比位于不在电极正上方的第I区域的第I发光层的发光强度低，因而可以减小第2区域的发光强度在整个紫外光发光元件的发光强度中所占的比例。因此，可以抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0047]另外，例如所述第I发光层以及所述第2发光层也可以分别含有卤素原子和发出所述紫外光的粉末状氧化镁，而且所述第2发光层所含有的齒素原子的量比所述第I发光层所含有的卤素原子的量少。
[0048]由此，通过调整卤素原子的含量，可以变更第2发光层的发光强度。
[0049]另外，例如所述第I发光层以及所述第2发光层也可以分别含有发出所述紫外光的粉末状氧化镁，所述第I发光层进一步含有卤素原子，而所述第2发光层不含有卤素原子。
[0050]由此，与第I发光层的发光强度相比，可以更充分地减小第2发光层的发光强度。因此，可以进一步减小第2区域的发光强度在整个紫外光发光元件的发光强度中所占的比例，所以能够抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0051]另外，例如所述紫外光发光元件也可以进一步具有薄膜，该薄膜位于所述第I发光层和所述电介质层之间，含有氧化镁、氧化钙、氧化钡以及氧化锶之中的至少I种。
[0052]由此，通过设置保护层，可以减小因连续点灯产生的二次电子放出特性的变化，从而可以抑制放电强度的降低。
[0053]另外，例如所述紫外光发光元件具有:第I基体;多个电极，其位于所述第I基体的主面上；电介质层，其位于所述第I基体的所述主面上，并覆盖所述多个电极;第1发光层，其位于所述电介质层上，并发出紫外光;薄膜，其位于所述第I发光层上，并含有氧化镁、氧化钙、氧化钡以及氧化锶之中的至少I种；以及第2基体，其处于与所述薄膜相对置的位置;其中，在所述第I基体和所述第2基体之间的空间填充有规定的气体;所述第I发光层通过所述气体中的所述多个电极间的放电也可以发出所述紫外光。所述薄膜也可以位于包含所述多个电极正上方的区域的至少一部分的第3区域，而不位于与所述第3区域不同的所述第I发光层上的第4区域。所述第2区域或者第3区域也可以包含所述多个电极正上方的全部区域。
[0054]由此，由于在第I发光层上设置有保护层，因而可以抑制第I发光层直接曝露于放电之下。因此，可以抑制第I发光层的变质，从而能够抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0055]另外，例如所述第I发光层也可以含有发出所述紫外光的粉末状氧化镁。
[0056]由此，例如氧化镁由于是二次电子放出特性较高的材料，因而可以降低放电开始电压。另外，氧化镁由于是耐离子碰撞较高的材料，因而可以抑制由与放电相伴的离子碰撞引起的发光层的变质。
[0057]另外，例如所述第I发光层也可以进一步含有卤素原子。
[0058]由此，通过在粉末状氧化镁中含有卤素原子，可以增强紫外光的发光。
[0059]另外，例如所述卤素原子也可以为氟。
[0060]由此，通过在粉末状氧化镁中含有氟，可以增强紫外光的发光。
[0061]另外，例如紫外光发光元件也可以进一步具有位于所述第2基体的主面或者该主面的相反侧、且发出所述紫外光的第3发光层。
[0062]由此，由于可以进一步减小第2区域的发光强度的比例，因而可以进一步减小紫外光发光元件的发光强度随时间的变化。
[0063]另外，例如规定的气体也可以含有氖和氙。
[0064]由此，氖和氙的混合气体通过放电而放出大约147nm的激发光。因此，例如MgO粉末由于以大约150nm的激发光高效率地发光，因而可以提高发光强度。
[0065]另外，例如所述紫外光的峰值波长也可以存在于200nm?300nm的范围。
[0066]由此，在杀菌、净水、光刻等中可以特别有效地利用紫外光发光元件。
[0067]以下参照附图，就实施方式进行具体的说明。
[0068]此外，以下说明的实施方式均示出了概括的或者具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态、步骤、步骤的顺序等为一个例子，并不是限定本发明的主旨。另外，在以下的实施方式的构成要素中，对于在表示最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。
[0069]另外，各图为示意图，未必是严格的图示。另外，在各图中，对于相同的构成部件标注相同的符号。
[0070]另外，在本说明书中，“上方”或者“上”、以及“下方”或者“下”这样的术语并不是指绝对的空间认识中的上方向(垂直上方)以及下方向(垂直下方)，而是以层叠结构的层叠顺序为基础，作为由相对的位置关系规定的术语使用。具体地说，将与第I基体的主面正交、且从第I基体朝向第2基体的方向设定为“上方”或者“上”，将其相反方向设定为“下方”或者“下”。另外，“上方”或者“上”、以及“下方”或者“下”这样的术语不仅适用于2个构成要素相互隔开间隔而配置的、且2个构成要素并不接触的情况，而且也适用于2个构成要素相互紧密接触而配置的、且2个构成要素相接触的情况。
[0071](实施方式I)
[0072][1.构成]
[0073][H.概要]
[0074]以下使用图1，就本发明的实施方式I的紫外光发光元件的构成进行说明。图1是表示本实施方式的紫外光发光元件I的构成的剖视图。
[0075]紫外光发光元件I是将阻挡放电和荧光体组合而成的紫外光发光元件。在本实施方式中，紫外光发光元件I如图1所示，具有第I基体10、第2基体11、多个电极20、电介质层30、发光层40、保护层50、发光层60、密封材70以及排气管(exhaust tube)81。
[0076]具体地说，在紫外光发光元件I中，经由密封材70而将第I基体10和第2基体11接合在一起，从而形成放电空间12。在第I基体10上，配设有施加用于产生放电90的电压的多个电极20，并以覆盖电极20的方式层叠有电介质层30。在电介质层30上的放电空间12侧，形成有保护电介质层30免受离子碰撞的保护层50和发出紫外光的发光层40。
[0077]发光层40以及发光层60所发出的紫外光从第2基体11侧向元件外部射出(该图中的紫外光91)。此外，紫外光91具体地说，是峰值波长存在于200nm?350nm的范围的深紫外光。例如，紫外光91的峰值波长存在于200nm?300nm的范围。
[0078]下面就紫外光发光元件I所具有的各构成要素进行详细的说明。
[0079][1-2.基体]
[0080]第I基体10以及第2基体11处于主面彼此之间相互对置的位置。在本实施方式中，第2基体11处于与发光层40相对置的位置。具体地说，第I基体10和第2基体11相隔规定的距离而配置。例如，规定的距离为1mm。在本实施方式中，第I基体10以及第2基体11各自为平板。例如，第I基体10以及第2基体11各自的形状以及大小大致相同。
[0081]第I基体10和第2基体11通过密封材70等而将各自的外周部分进行气密密封。由此，在第I基体1和第2基体11之间形成放电空间12。在放电空间12内，以规定的压力封入有氙(Xe)、氯化氪(KrCl)、氟(F2)、氖(Ne)、氦(He)、一氧化碳(CO)、氮(N2)等放电气体。在本实施方式中，例如在放电空间12内填充有包含氖和氙的气体。
[0082]第I基体10以及第2基体11的至少一方为了将在发光层40以及发光层60产生的紫外光取出到元件外部，由可透过紫外光的材料形成。作为可透过紫外光的材料，例如可以使用容易透过紫外光的特殊玻璃、石英玻璃(S12)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锂(LiF)或者蓝宝石玻璃(Al2O3)等。这些材料既可以用于第I基体10和第2基体11两方，也可以只用于单方。在只用于单方的情况下，作为另一方的基体的材料，可以使用通常的高应变点玻璃。
[0083]在本实施方式中，第2基体11为了将在发光层40以及发光层60产生的深紫外光取出到外部，由可透过深紫外光的蓝宝石形成。另外，第I基体10使用通常的低熔点高应变点玻璃。例如，作为第I基体10或者第2基体11，在使用通常热膨胀系数的玻璃、或者使用热膨胀系数接近于形成为保护层50的MgO薄膜等的蓝宝石的情况下，可以抑制保护层50以及密封材70的开裂和龟裂的发生。
[0084][1-3.电极]
[0085]多个电极20位于电介质层30和第I基体10之间。具体地说，多个电极20位于第I基体10的主面上。此外，该主面是第I基体10所具有的主面，是第2基体11侧即放电空间12侧的表面(上表面)。
[0086]多个电极20被电介质层30所覆盖。在本实施方式中，多个电极20处于与第I基体10的主面接触的位置，但并不局限于此。在多个电极20和第I基体10的主面之间，也可以设置绝缘膜等缓冲层。
[0087]如图1所示，多个电极20各自具有一对电极即第I电极21和第2电极22。对第I电极21和第2电极22施加相互不同的电压。
[0088]图2是表示本实施方式的紫外光发光元件I的电极20的构造的俯视图。如图2所示，多个电极20以带状(规定宽度的线状)的2个电极为一对而各自平行地多对配置。具体地说，平行的2个带状的第I电极21与平行的2个带状的第2电极22交互配置。多个第I电极21各自在一个端部电连接在一起，以便施加相同电位的电压。具体地说，多个第I电极21形成为梳状。对于多个第2电极22也同样。
[0089]作为电极20所使用的材料，可以列举出Ag厚膜、Al薄膜、Cr/Cu/Cr层叠薄膜等金属薄膜。多个电极20的膜厚例如为几μπι。另外，相邻的第I电极21和第2电极22之间的距离例如大约为0.1mm?几mm。
[0090]通过驱动电路(未图示)对电极20施加矩形波或者正弦波等交流波形。一般地说，通过对一对第I电极21和第2电极22各自施加相位相反的电压，便可以获得强的发光。另外，例如即使对第I电极21施加矩形波电压，并使第2电极22接地，也可以进行放电。此外，电极20也可以未必是2个为一对，为了变更放电区域或者为了降低开始放电的电压，也可以将3以上的多个构成为一对。
[0091][1-4.电介质层]
[0092]电介质层30位于第I基体10和第2基体11之间。在本实施方式中，电介质层30位于第I基体10的主面上，覆盖多个电极20。具体地说，电介质层30被设置为与第I基体10的主面接触而覆盖多个电极20。
[0093]电介质层30是采用丝网印刷法等，以大约30μπι的膜厚形成例如以氧化铅(PbO)、氧化铋(Bi2O3)或者氧化磷(P04)为主成分的低熔点玻璃。由于在电介质层30的作用下，电极20被绝缘材料所覆盖，因而放电的形态成为阻挡放电。阻挡放电由于不会使离子直接曝露于电极20上，因而因连续点灯产生的发光强度随时间的变化较小，从而适于连续点灯时间较长的杀菌器件和光刻等的用途。另外，电介质层30的膜厚由于对放电空间12的电场强度产生影响，因而可以根据元件的尺寸(例如第I基体10以及第2基体11的大小)和所要求的特性而进行适当的设计变更。
[0094][1-5.发光层]
[0095]发光层40位于电介质层30上，是发出紫外光的第I发光层的一个例子。在本实施方式中，发光层40在形成于电介质层30上的保护层50上形成。此外，发光层40也可以形成为:不形成保护层50而使其与电介质层30接触。
[0096]发光层60位于第2基体11的主面上，是发出紫外光的第3发光层的一个例子。此外，该主面是第2基体11所具有的主面，是第I基体10侧即放电空间12侧的表面(下表面)。通过在第2基体11上也设置发光层，可以提高发光强度。此外，发光层60也可以位于第2基体11的主面的相反侧。也就是说，发光层60也可以设置于紫外光发光元件I的放电空间12的外侧。此外，在将粉末状MgO用作发光层60的情况下，粉末状MgO由于具有在大气中容易碳酸盐化的性质，因而优选形成于放电空间12内的放电面侧。
[0097]发光层40以及发光层60所使用的材料从发光效率和制作工艺的容易程度的角度考虑，可以使用发出紫外光的荧光体。作为这些荧光体，可以使用对稀土类发光中心进行了掺杂的 YPO4: Pr、YPO4: Nd、LaPO4: Pr、LaPO4: Nd、YF3: Ce、SrB6O1: Ce、YOBr: Pr、Li SrAlF6: Ce、LiCaAlF6: Ce、LaF3: Ce、Li6Y(BO3)3: Pr、BaY2F8: Nd、YOCl: Pr、YF3: Nd、LiYF4: Nd、BaY2F8: Pr、K2YF5: Pr、LaF3: Nd。或者，作为荧光体，可以使用以结晶中的缺陷或者带隙发光的MgO、ZnO、A1N、金刚石、BN等。
[0098]在本实施方式中，发光层40以及发光层60含有发出紫外光的粉末状氧化镁(MgO)。具体地说，发光层40以及发光层60进一步含有卤素原子。卤素原子例如为氟(F)。
[00"]发光层40以及发光层60通过多个电极20间在填充于放电空间12内的气体中的放电而发光。具体地说，发光层40以及发光层60通过因放电而产生的激发光照射在所含有的荧光体上，从而使荧光体发出紫外光。例如，发光层40以及发光层60发出在200nm?300nm的范围存在峰值波长的紫外光(深紫外光)。此外，激发光例如为真空紫外光或者深紫外光。
[0100]在发光层40中，在多个电极20正上方的第2区域93比不在多个电极20正上方的第I区域92薄。由此，发光层40在与第2基体11相对置的面上具有凹凸形状。此外，第I区域92俯视看来为多个电极20各自之间的区域。第2区域93俯视看来的形状与多个电极20俯视看来的形状一致。也就是说，第I区域92以及第2区域93各自俯视看来的形状如图2所示，为相隔规定的间隔而平行配置的多个带状。此外，考虑到制作工艺，第2区域93不用说没有必要与多个电极20俯视看来的形状准确一致。也就是说，第2区域93既可以比多个电极20俯视看来的区域狭窄，也可以比多个电极20俯视看来的区域宽广。换句话说，第2区域93为包含多个电极20正上方的区域的至少一部分的区域。特别地，在第2区域93包含多个电极20正上方的全部区域的情况下，可以提高本实施方式的效果。另外，第I区域92是与所述第2区域93不同的电介质层30上的区域。
[0101]在本实施方式中，如图1所示，发光层40包括位于第I区域92的第I发光部41、和位于第2区域93的第2发光部42。第2发光部42的膜厚比第I发光部41的膜厚小。例如，第I发光部41的膜厚大约为20μπι?30μπι，与此相对照，第2发光部42的膜厚低于ΙΟμπι。
[0102]在本实施方式中，第I发光部41以及第2发光部42各自所含有的材料及其含量大致相同。此外，所谓材料的含量，不是指绝对的量，而是指每单位体积的量。例如，在第I发光部41以及第2发光部42各自含有多种材料的情况下，其材料的比率(例如成分比(或者组成比))相互大致相同。也就是说，第I发光部41以及第2发光部42使用相同的材料来形成。
[0103][1-6.保护层]
[0104]保护层50是位于发光层40和电介质层30之间的薄膜。保护层50具有使形成放电的电压(放电开始电压)下降的作用、和保护电介质层30以及电极20免受与放电相伴的离子碰撞的作用。
[0105]保护层50是含有氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)以及氧化锶(SrO)之中的至少I种的薄膜。保护层50也可以是含有Mg0、Ca0、Ba0以及SrO的2种以上的混合相薄膜。特别地，薄膜MgO由于具有较高的耐离子碰撞性，因而可以得到放电强度随时间的降低非常小的紫外光发光元件。保护层50的厚度例如为Ιμπι。
[0106]此外，保护层50和发光层40分别含有MgO作为主成分，但膜质各自不同。也就是说，发光层40例如含有粉末状MgO，缺陷能级较多，膜质较差。因此，发光层40容易放出电子，可以发出紫外光。另一方面，保护层50例如由薄膜MgO形成，因而膜质比发光层40好。由此，可以保护电介质层30免受通过发光层40的离子等的侵害。
[0107][1-7.密封材]
[0108]密封材70使第I基体10和第2基体11相隔规定的距离而进行固定。密封材70沿着第I基体10和第2基体11各自的外周而设置为环状。由环状的密封材70、第I基体10、第2基体11围成的空间为放电空间12。
[0109]作为密封材70，例如可以使用以Bi2O3或者V2O5为主成分的玻璃料(frit)。作为以Bi2O3为主成分的玻璃料，例如可以使用在Bi2O3-B2O3-RO-MO系(这里R为Ba、Sr、Ca、Mg之中的任一种，M为Cu、Sb、Fe之中的任一种)的玻璃材料中添加由Al203、Si02、堇青石等氧化物构成的填料而成的玻璃料。另外，作为以V2O5为主成分的玻璃料，例如可以使用在V2O5-BaO-TeO-WO系玻璃材料中添加由Al2O3、S12、堇青石等氧化物构成的填料而成的玻璃料。
[0110][1-8.排气管]
[0111]排气管81是将放电空间12内的气体排出时和将放电气体封入放电空间12时使用的管。对排气管81进行加热密封，以便在封入后使放电气体不会泄漏到元件外部。排气管81例如为玻璃管等。
[0112]排气管81使用密封材82而与第I基体10或者第2基体11接合在一起。在第I基体10或者第2基体11的接合排气管81的部分设置有贯通孔80。经由贯通孔80以及排气管81，可以从外部封入放电气体，或者将放电空间12内的气体排出到外部。此外，密封材82例如由与密封材70相同的材料形成。
[0113]此外，也可以设置多个贯通孔80和多个排气管81。例如，可以将多个贯通孔80以及多个排气管81分别利用于排气和封入各自的工序。
[0114][2.工作]
[0115]在此，就本实施方式的紫外光发光元件I的工作进行说明。
[0116]在多个电极20中，向邻接的一对第I电极21和第2电极22各自施加相位相反的矩形波或者正弦波的电压。由此，在第I电极21和第2电极22之间产生非常高的电场，从而使放电空间12内含有的放电气体放电。此外，图1示意表示了在放电空间12内的放电90。
[0117]放电气体中含有的Xe或者KrCl通过与放电相伴的激发而发出真空紫外光或者深紫外光的激发光。激发光通过照射在发光层40上，可以由发光层40发出深紫外光。
[0118]另外，第I基体10或者第2基体11的至少一方由可透过紫外光的材料形成。在本实施方式中，第2基体11由可透过深紫外光的蓝宝石玻璃形成。因此，由发光层40发出的深紫外光透过第2基体11而向元件之外放出。也就是说，如图1所示，紫外光发光元件I向外部放出紫外光91。
[0119][3.制造方法]
[0120][3-1.概要]
[0121]接着，就本实施方式的紫外光发光元件I的制造方法进行说明。
[0122]首先，在第I基体10上形成多个电极20。多个电极20可以通过使用曝光工艺、印刷工艺或者蒸镀工艺等公知的形成法而进行金属膜的布图来形成。
[0123]接着，采用模具涂布法(diecoating method)等在第I基体10的主面上涂布电介质浆料而形成电介质浆料(电介质材料)层，以便覆盖在第I基体10的主面上形成的多个电极20。此外，电介质浆料为浆料状的电介质材料，例如为含有玻璃粉末等电介质材料、粘结剂以及溶剂的涂料。
[0124]在涂布电介质浆料之后，通过放置规定的时间，使涂布的电介质浆料的表面流平而成为平坦的表面。然后，通过对电介质浆料层进行烧成固化，便形成覆盖多个电极20的电介质层30。
[0125]接着，在电介质层30上形成保护层50。保护层50例如采用以Mg0、Ca0、Sr0或者BaO的单独材料的粒料(pe 11 e t)或者将这些材料混合而成的粒料为原料的薄膜成膜方法来形成。作为薄膜成膜方法，可以利用电子束蒸镀法、溅射法、离子镀法等公知的方法。作为一个例子，可以认为在溅射法中IPa为实际上取得的压力的上限，在作为蒸镀法的一个例子的电子束蒸镀法中0.1Pa为实际上取得的压力的上限。
[0126]此外，保护层50也可以不形成。
[0127]接着，在保护层50上形成发光层40。此外，在不形成保护层50的情况下，在电介质层30上形成发光层40。发光层40通过在任意的区域涂布含有发光材料的浆料，然后进行干燥和烧成来形成。此外，发光材料例如含有卤素原子和粉末状氧化镁。
[0128]此时，使不在电极20正上方的第I区域92与在电极20正上方的第2区域93在浆料的涂布量方面有所不同。具体地说，在第I区域92，涂布多于第2区域93的浆料。
[0129]例如，对于电介质层30(具体地说为保护层50)上的第I区域92和第2区域93(例如整个面)，涂布第2发光部42的厚度(例如低于ΙΟμπι)的浆料并使其干燥。进而仅在第I区域92，涂布与第I发光部41的厚度和第2发光部42的厚度之差相当的厚度(例如20μπι)的浆料并使其干燥。然后，通过对浆料进行烧成，便可以形成图1所示的厚度不同的发光层40。此外，作为仅在第I区域92涂布浆料的方法，可以使用能够仅在第I区域92进行涂布这一图案的印网掩模等。
[0130]另外，与发光层40的形成同样，在第2基体11上形成发光层60。此外，发光层60的厚度以在面内均匀为宜。此时，发光层60的厚度例如比发光层40的第I发光部41的膜厚更小。由此，可以削减发光层40所发出的紫外光被发光层60所吸收的量。
[0131]接着，在第I基体10以及第2基体11的至少一方上涂布密封材料。在本实施方式中，密封材料沿着第I基体10的外周而涂布成环状。此外，密封材料例如为浆料状玻璃料。然后，为了除去密封材料的树脂成分等，在350°C左右的温度下进行煅烧。由此，便形成煅烧过的密封材70。
[0132]接着，贴附制作的第I基体10和第2基体11而进行密封。下面使用图3，首先就密封工序中使用的功能加热炉进行说明。
[0133][3-2.功能加热炉]
[0134]图3是表示制造本实施方式的紫外光发光元件I时使用的功能加热炉100的概要的示意图。
[0135]功能加热炉100是在密封工序中使用的加热炉。功能加热炉100可以在密封工序中进行气体的供给和排气。
[0136]功能加热炉100如图3所示，在内部装备了具有加热器111的加热炉112。示出了在加热炉112的内部，于第2基体11之上重合第I基体10的情况。在第I基体10上，设置有煅烧过的密封材70、和排气管81a以及81b。第I基体10和第2基体11例如通过夹子等固定机构(未图示)进行固定。同样，第I基体10和排气管81a以及81b通过固定机构(未图示)进行固定。此夕卜，排气管81a以及81b各自经由设置在第I基体10上的贯通孔80a以及80b而与放电空间12连通。
[0137]如图3所示，配管113与排气管81a连接。配管113经由阀121而与设置在加热炉112外部的干燥气体供给装置131进行连接。在配管113上设置有气体放气阀122。
[0138]在排气管81b上连接有配管114。配管114经由阀123而与设置在加热炉112外部的排气装置132进行连接。另外，配管114经由阀124而与设置在加热炉112外部的放电气体供给装置133进行连接。再者，配管114经由阀125也与配管113进行连接。另外，在配管114上设置有压力计126。
[0139][3-3.密封工序]
[0140]接着，使用图4以及图5就密封工序进行说明。
[0141]图4是表示本实施方式的功能加热炉100的温度轮廓的一个例子的图。图5是表示本实施方式的密封工序的气体及其流动的图。
[0142]具体地说，密封工序包括粘接工序、排气工序以及放电气体供给工序。密封工序为了说明的方便，如图4所示，从功能加热炉100的温度的角度考虑，被分割为第I期间?第5期间共5个期间。
[0143]第I期间是从室温上升至软化点(软化点温度)的期间。第2期间是从软化点上升至密封温度的期间。第3期间是在密封温度以上的温度下保持一定时间后，降低至软化点的期间。此外，以上的第I期间?第3期间与粘接工序相当。第4期间是在软化点温度附近或者比其稍低的温度下保持一定时间后，降低至室温的期间。第4期间与排气工序相当。第5期间是在降低至室温后的期间。第5期间与放电气体供给工序相当。
[0144]在此，所谓软化点，是指密封材料发生软化的温度，例如Bi2O3系密封材料的软化点温度为430°C左右。
[0145]另外，所谓密封温度，是指第I基体10和第2基体11通过密封材料、且第I基体10和排气管81通过密封材料而处于密闭状态的温度。本实施方式的密封温度例如为490°C左右。此外，密封温度例如可以采用如下的方法预先确认。
[0146]例如，首先，使第I基体10和第2基体11重合，关闭阀121、124以及125，并仅打开阀123。然后，通过排气装置132并经由排气管81b而排出元件内部(放电空间12内)的气体，同时打开加热器111而使加热炉112内部的温度上升。于是，在某一温度下由压力计126确认的元件内部的压力呈阶梯状减少(decreases stepwise)，而且即使关闭阀123，元件内部的压力也不会大大上升。此时的温度为将元件密封的密封温度。
[0147]在此，使用图5就密封工序的详细情况进行说明。图5(a)?(e)分别表示图4所示的第I期间?第5期间的元件内部(放电空间12内)的气体及其流动。
[0148]<粘接工序>
[0149]首先，对第I基体10和第2基体11进行定位而使其重合。然后，如图5(a)所示，打开阀121和阀125而使干燥气体经由两方的贯通孔80吹入元件内部，同时打开加热器111而使加热炉112内部的温度上升至密封材70的软化点温度(第I期间)。
[0150]此时，吹入元件内部的干燥气体190如图5(a)所示，处于从第2基体11与密封材70之间的间隙向元件外部漏出的状态。
[0151]此外，作为干燥气体，例如可以使用露点为-45°C以下的干燥氮气。另外，干燥气体的流量例如为5L/min。
[0152]接着，在加热炉112内部的温度达到密封用玻璃料的软化点温度以上时，如图5(b)所示，关闭阀125，同时调节阀121而使干燥氮气的流量为第I期间的一半以下(例如2L/min)。然后，打开气体放气阀122，使得元件内部的压力比加热炉112内部的压力稍稍上浮。然后，使加热炉112内部的温度上升至密封温度(第2期间)。
[0153]接着，在加热炉112内部的温度到达密封温度以上的温度、密封材70发生熔融、从而进行第I基体10和第2基体11的密封、以及第I基体10和排气管81的接合时，如图5(c)所示，使排气装置132工作并调整阀123，从而使元件内部的压力成为微小的负压(例如8.0 X14Pa)。这样一来，由排气管81a供给干燥氮气，同时由排气管81b使干燥氮气排出，由此使元件内部的压力保持为微小的负压，而且在元件内部使干燥氮气持续流动。
[0154]然后，控制加热器111而使加热炉112内部的温度在密封温度以上的温度下维持大约30分钟。在此期间熔融的密封材70稍稍流动，元件内部的压力保持为微小的负压，因而第I基体10和第2基体11的密封、以及第I基体10和排气管81的粘接得以高精度地进行。然后，关闭加热器111而使加热炉112的温度下降至软化点以下的温度(第3期间)。
[0155]<排气工序>
[0156]排气工序是使元件内部的气体排出的工序。在加热炉112内部的温度达到软化点温度以下时，如图5 (d)所示，关闭阀121并打开阀123以及阀125，从而由多个贯通孔80通过排气管81而对元件内部进行排气。然后，控制加热器111而使加热炉112内部的温度保持规定的时间，同时继续进行排气。然后，关闭加热器111而使加热炉112内部的温度降低至室温。此外，在此期间也继续进行排气(第4期间)。
[0157]<放电气体供给工序>
[0158]放电气体供给工序是向进行了真空排气的元件内部供给以Ne和Xe等为主成分的放电气体的工序。在加热炉112内部的温度降低至室温后，如图5(e)所示，关闭阀123，并打开阀124以及阀125，从而由排气管81通过多个贯通孔80而供给放电气体，使其达到规定的压力(第5期间)。
[0159 ]这样一来，便可以制造本实施方式的紫外光发光元件I。
[0160][4.效果等]
[0161]下面就本实施方式的紫外光发光元件I说明其特征以及效果。
[0162]如上所述，在将发光层设置于电极正上方的紫外光发光元件中，连续点灯时存在发光强度随时间降低的课题。本发明人新近发现，该课题的主要原因在于以下2种现象同时发生:因放电产生的离子碰撞而使电极正上方的发光层的发光强度降低，以及电极正上方的发光层的二次电子放出特性发生变化而使放电强度减小。
[0163]作为该课题的解决方法，本实施方式的紫外光发光元件I具有:第I基体10;多个电极20，其位于第I基体10的主面上；电介质层30，其位于第I基体10的主面上，并覆盖多个电极20;发光层40，其位于电介质层30上，并发出紫外光，且在多个电极20正上方的第2区域93比不在多个电极20正上方的第I区域92薄;第2基体11，其处于与发光层40相对置的位置。在第I基体10和第2基体11之间的放电空间12内填充有规定的气体，发光层40通过多个电极20间在气体中的放电而发出紫外光。
[0164]由此，由于发光层40在多个电极20正上方的第2区域93较薄，因而可以减少第2区域93的发光强度在整个紫外光发光元件I的发光强度中所占的比例。因此，即使第2区域93中的发光层40的发光强度随时间降低，也可以减小对整个紫外光发光元件I的发光强度所产生的影响。也就是说，可以抑制紫外光发光元件I的紫外光的发光强度随时间的降低。
[0165]另外，由于第2区域93中的发光层40较薄，因而电介质层30或者保护层50的覆盖率下降。因此，放电开始电压容易受到处在发光层40下层的电介质层30或者保护层50的二次电子放出特性的影响。电介质层30或者保护层50与发光层40相比，二次电子放出特性随时间的变化更小。因此，因连续点灯产生的二次电子放出特性的变化也减小，从而放电强度的降低也可以受到抑制。
[0166]此外，在本实施方式的多个电极20正上方的第2区域93中，由于发光层40较薄，因而容易受到发光层40下层的二次电子放出特性的影响。因此，如图1所示，在发光层40的下层设置保护层50是非常有效的。作为保护层50，优选使用具有较高的二次电子放出特性和耐离子碰撞性的材料。例如，薄膜MgO由于具有稳定且较高的耐离子碰撞性，因而可以得到放电强度随时间的变化非常小、且发光强度较高的紫外光发光元件。
[0167]另外，在将粉末发光材料用作发光层40的情况下，第2区域93中的发光层40的膜厚优选为低于lOwn。图6是表示发光层40使用粉末状MgO时透射率和反射率的膜厚依存性的图。
[0168]如图6所示，可知在膜厚低于ΙΟμπι时，透射率急剧升高。因此，在发光层40的膜厚为ΙΟμπι以下时，发光层40的表面产生的紫外光的一部分在电极20侧透过，在电介质层30处开始吸收。因此，可以更加减小第2区域93的发光强度在紫外光发光元件I发出的紫外光的强度中所占的比例。
[0169]另外，如果第2区域93中的发光层40减薄，则发光层40所发出的紫外光在电极20侧透过的比例增加，因而发光强度具有降低的倾向。因此，如果减薄，则发光强度随时间降低的抑制效果升高，而另一方面，发光强度本身具有降低的关系。
[0170]在此，图7示出了对稀土类发光中心进行了掺杂的荧光体材料即YBO3= Gd和在230nm附近具有发光的粉末状MgO的发光光谱的一个例子。
[0171]如图7所示，粉末状MgO(以下记载为“MgO粉末”)由于发出在230nm附近具有峰值的深紫外光，因而能够作为发光层40的材料使用。再者，MgO是二次电子放出特性较高的材料，因而可以实现比发光层40使用对稀土类发光中心进行了掺杂的荧光体材料时较低的放电开始电压。再者，MgO由于耐离子碰撞较高，因而可以认为发光层40因离子碰撞引起的变质也较小。因此，可以认为在紫外光发光元件I中，发光层40使用MgO粉末是非常有效的。
[0172]然而，本发明人发现了以下新的课题:在使用MgO粉末作为发光层的情况下，与发出通常紫外光的荧光体相比，因连续点灯产生的放电强度的降低非常大。可以认为其主要原因在于:MgO粉末与发出通常紫外光的荧光体相比，由于具有更高的二次电子放出特性，所以即使因连续点灯而使MgO粉末稍稍变质，二次电子放出特性的降低量也较大。因此，没有变质的区域和变质过的区域的二次电子放出特性之差相对增大，从而发光强度的降低增大。
[0173]因此，在使用MgO粉末的情况下，正如本实施方式的紫外光发光元件I那样，将容易受到多个电极20正上方的离子碰撞的影响的第2区域93的发光层40的膜厚减薄是特别有效的。
[0174]另外，通过在MgO粉末中含有氟，可以使放电开始电压降低。具体地说，在MgO粉末所含有的卤素原子为氟的情况下，因放电的离子碰撞而使氟从发光层40向保护层50移动。由此，因为氟起着使保护层50的二次电子放出特性随时间提高的作用，所以能够抑制放电强度的降低。因此，如图7所示，通过使MgO粉末含有作为卤素原子的氟，可以增大发光层40的发光强度。
[0175]此外，MgO粉末(发光层40)所含有的卤素原子或者从MgO粉末(发光层40)向保护层50移动的卤素原子可以通过X射线光电子能谱方法(XPS)或者高频电感耦合等离子体(ICP)发射光谱分析法进行测定。
[0176]此外，作为填充于放电空间12内的气体，如上所述，可以列举出Ne、KrCl、N2、C0、Xe等。此时，在发光层40使用MgO粉末的情况下，Ne和Xe的混合气体是合适的JgO粉末由于是带隙宽的材料，因而以150nm附近的激发光最高效率地发光。在放电气体使用KrCl或者Xe单质的情况下，激发光的波长长于172nm的波长的比例增多。另一方面，在Ne和Xe的混合气体中，由于147nm的激发光的比例较高，因而可以有效地促进MgO粉末的激发。
[0177]此外，在使用粉末状材料作为发光层40的情况下，膜的附着力成为较大的问题。因此，也可以在形成发光层40的面(具体地说为保护层50的上表面)上设置凹凸，以便容易维持成为发光层40材料的粉末的膜形状。由此，可以提高发光层40和保护层50的附着力。此夕卜，对于发光层60也同样，因而例如通过在第2基体11的主面(放电空间12侧)上设置凹凸，可以提高发光层60和第2基体11的附着力。
[0178][5.变形例]
[0179]在此，使用图8，就本实施方式的紫外光发光元件I的变形例进行说明。图8是表示本变形例的紫外光发光元件201的构成的剖视图。
[0180]紫外光发光元件201与图1所示的紫外光发光元件I相比较，在具有发光层240以代替发光层40这一点上是不同的。具体地说，如图8所示，在紫外光发光元件201中，第2区域93中的发光层240的厚度为O。也就是说，在多个电极20的正上方没有设置发光层240。
[0181]根据本变形例，在多个电极20正上方的第2区域93，保护层50(在不设置保护层50时为电介质层30)相对于放电空间12成为最表面。因此，放电特性由电介质层30或者保护层50的二次电子放出特性来决定。因此，因连续点灯产生的二次电子放出特性的局部变化进一步减小，从而可以大幅度抑制放电强度的降低。
[0182]此外，作为电介质层30和保护层50的二次电子放出特性的变化比发光层240更小的理由，可以认为如下。也就是说，发光层240由于是粉体的凝集，因而比表面积非常大。因此，可以认为其原因在于:因与放电相伴的离子碰撞而由发光层240产生大量的杂质气体，从而在该杂质气体的作用下，促进由离子碰撞引起的发光层240的变质。
[0183][6.实施例]
[0184]以下，试制上述实施方式及其变形例的紫外光发光元件I以及201和以前构成的紫外光发光元件，并就进行特性比较的结果加以说明。
[0185]试制的紫外光发光元件的电极构造如图2所示。也就是说，交错地形成2个梳型的电极。具体地说，在多个电极20上，采用电阻加热蒸镀来形成Ag。第I电极21和第2电极22的间隔、以及各自的电极宽度均设定为1mm。
[0186]另外，作为第I基体10，使用市售的高应变点玻璃，作为第2基体11，使用可透过深紫外光的蓝宝石玻璃。另外，在第2基体11的主面(放电空间12侧的面)上设置发光层60。此时，蓝宝石玻璃只是对单面(外侧的主面)进行研磨，将形成发光层60的放电空间12侧的主面设定为未研磨面。由此，使发光层60的膜的附着力得以提高。
[0187]在放电空间12内，封入20kPa的Ne (95%)和Xe (5%)的混合气体作为放电气体。
[0188]测定的紫外光发光元件的特性为刚试制后不久的发光强度以及放电开始电压、和连续点灯后的发光强度。另外，以刚试制后不久的发光强度和连续点灯后的发光强度为基础，算出劣化率。劣化率是连续点灯后的发光强度与刚试制后不久的发光强度之比。
[0189]此外，向多个电极20施加的电压为30kHz的矩形波交流电压。对第I电极21以及第2电极22分别施加相位相反的矩形波电压。另外，连续点灯时间设定为1000小时。
[0190]作为放电开始电压的测定方法，首先，将向电极施加的矩形波电压上升至950V，从而使紫外光发光元件发光。然后，使电压下降至OV而将整个元件暂且关掉后，再度使电压上升而使放电在整个放电空间12扩展，将此时的电压作为放电开始电压而进行测定。
[0191]另外，发光强度用与以前(膜厚均匀的发光层)的紫外光发光元件的发光强度的相对值来表示。关于发光强度，采用多通道光谱仪(Hamamatsu Photonics生产:C10027-01)对紫外光发光元件的可透过紫外光的构造物(具体地说为第2基体11)上的最表面进行测定，并对发光的波长区域进行积分而使其数值化。例如，在发光层使用MgO粉末的情况下，由于在230nm附近具有发光峰值，因而通过对200nm?280nm的发光强度进行积分而求出。此外，相对值是将以前的紫外光发光元件即比较例I的刚试制后不久的发光强度设定为100时的值。
[0192]连续点灯后的发光强度是在测定放电开始电压后，测定在测定电压下对紫外光发光元件进行1000小时的连续点灯后的发光强度。此外，初期的发光强度和连续点灯后的发光强度的测定在放电开始电压下进行。
[0193]图9是表示本实施方式及其变形例和比较例的紫外光发光元件的特性的评价结果的图。
[0194]如图9所示，作为以前的紫外光发光元件，试制了比较例I以及比较例2。此外，在发光层40下，采用真空蒸镀并以Ιμπι的厚度形成作为保护层50的MgO薄膜。
[0195]作为发光层40以及发光层60所使用的材料，比较例I使用YB03:Gd，比较例2使用在200nm?300nm的范围存在峰值波长的MgO粉末。发光层40的膜厚为30μπι，发光层60的膜厚为5μπι。此外，采用XPS已经确认:发光层40以及发光层60所使用的MgO粉末含有作为卤素原子的氟。
[0196]实施例1是本实施方式的紫外光发光元件，除了将在电极20正上方的第2区域93中的发光层40的膜厚(即第2发光部42的膜厚)设定为8μπι以外，具有与比较例I相同的构成。
[0197]实施例2是本实施方式的紫外光发光元件，除了将在电极20正上方的第2区域93中的发光层40的膜厚(即第2发光部42的膜厚)设定为12μπι以外，设计为与比较例2相同的构成。
[0198]实施例3是本实施方式的紫外光发光元件，除了将在电极20正上方的第2区域93中的发光层40的膜厚(即第2发光部42的膜厚)设定为8μπι以外，具有与比较例2相同的构成。
[0199]实施例4是本实施方式的变形例的紫外光发光元件，除了将在电极20正上方的第2区域93中的发光层240的膜厚设定为O以外，具有与比较例2相同的构成。
[0200]如图9所示，可知通过使第2区域93中的发光层40的膜厚比第I区域92中的发光层40的膜厚小，可以大幅度改善劣化率。可以认为这是因为:通过减薄第2区域93中的发光层40的膜厚，可以受到发光层40下层的保护层50的二次电子放出特性的影响，因而二次电子放出特性的变化减小，从而放电强度的降低受到抑制。进而可以认为其原因在于:由于第2区域93的发光强度在紫外光发光元件I的发光强度中的比例降低，因而即使第2区域93的发光强度降低，对紫外光发光元件I的发光强度所产生的影响也减小。
[0201]另外，如图9所示，可知初期的紫外光发光元件I的发光强度通过减薄第2区域93中的发光层40的膜厚而减小。但是，可知连续点灯后的发光强度与不减薄发光层40的膜厚的情况相比更加提高。
[0202]另外，例如由比较例2和实施例2的结果可知:第2区域93中的发光层40的膜厚即便为12μπι，劣化率也得以改善。因此，第2区域93中的发光层40的膜厚也可以为ΙΟμπι以上。
[0203]另外，对比较例I和实施例1进行比较可知:作为发光层4O的材料，即使在使用YB03:Gd的情况下，劣化率也得以改善。因此，发光层40的材料并不局限于粉末状MgO等。
[0204](实施方式2)
[0205][1.构成]
[0206]以下使用图10，就本发明的实施方式2的紫外光发光元件301的构成进行说明。图10是表示本实施方式的紫外光发光元件301的构成的剖视图。
[0207]在本实施方式中，对于与实施方式I的变形例同样的部分标注同一符号，其详细的说明往往予以省略。
[0208]本实施方式的紫外光发光元件301与实施方式I的变形例的紫外光发光元件201的不同点在于:紫外光发光元件301进一步具有发光层340。
[0209]具体地说，紫外光发光元件301具有的发光层所含有的发光材料包含2种，一是发光层240所含有的第I发光材料，二是发光层340所含有的、与第I发光材料不同的第2发光材料。第I发光材料的发光光谱和第2发光材料的发光光谱不同。具体地说，对于在230nm附近的深紫外光的发光强度，第I发光材料比第2发光材料更高。
[0210]发光层340位于多个电极20正上方的第2区域93，是发出紫外光的第2发光层的一个例子。发光层340所含有的材料或者其含量与发光层240不同，紫外光的发光强度比发光层240低。此外，在本实施方式中，发光层340的厚度和发光层240的厚度大致相同。
[0211]具体地说，发光层340含有粉末状氧化镁(MgO粉末)，但不含有卤素原子。此外，如实施方式I所示，发光层240含有MgO粉末和卤素原子。卤素原子例如为氟。由此，如图7所示，发光层340的发光强度比发光层240的发光强度低。
[0212][2.制造方法]
[0213]接着，就本实施方式的紫外光发光元件301的制造方法进行说明。此外，除了发光层240以及340的形成以外，其余与实施方式I的紫外光发光元件I的制造方法相同。以下示出本实施方式的发光层240以及340的形成方法。
[0214]最初，使用具有能够涂布于多个电极20正上方的第2区域93的图案(多个电极20俯视看来的形状)的印网掩模，涂布含有发光强度较低的第2发光材料的浆料并使其干燥。然后，使用具有能够涂布于除多个电极20正上方以外的第I区域92的图案的印网掩模，涂布含有发光强度较高的第I发光材料的浆料并进行干燥和烧成。
[0215]此外，也可以在涂布第2发光材料之后，再涂布第I发光材料。
[0216][3.效果等]
[0217]下面就本实施方式的紫外光发光元件301说明其特征以及效果。
[0218]本实施方式的紫外光发光元件301进一步具有发光层340，该发光层340位于第2区域93，所含有的材料或者其含量与发光层240不同，而且紫外光的发光强度比发光层240低。
[0219]由此，在维持较高的发光强度的状态下，可以抑制发光强度随时间的降低。
[0220]作为其主要原因，可以认为如下。230nm的深紫外光的发光较弱的MgO粉末与230nm的深紫外光的发光较高的MgO粉末相比，二次电子放出特性更低。因此，可以认为在将230nm的深紫外光的发光较弱的MgO粉末用于第2区域93的发光层340时，由于从连续点灯前开始，二次电子放出特性较低，因而局部变化的比例也相对减小，从而可以抑制放电强度随时间的降低。另外，由于可以减小第2区域93的发光强度在整个紫外光发光元件301的深紫外光的发光强度中所占的比例，因而紫外光发光元件301的发光强度随时间的降低也可以受到抑制。
[0221]这样一来，根据本实施方式的紫外光发光元件301，能够实现使因连续点灯产生的第2区域93的二次电子放出特性的局部变化的比例相对减小，并使第2区域93的发光强度降低。因此，可以抑制紫外光发光元件301的发光强度随时间的降低。
[0222]另外，发光层240以及340由于含有MgO粉末作为主成分，因而孔隙率非常高，容易受到发光层240以及340下层的二次电子放出特性的影响。因此，与实施方式I同样，将由二次电子放出特性和耐离子碰撞性较高的材料形成的保护层50设置在发光层240以及340的下层是非常有效的。
[0223][4.变形例]
[0224]在此，就本实施方式的紫外光发光元件301的变形例进行说明。在本实施方式中，示出了发光层340不含有卤素原子的例子，但在本变形例中，发光层340含有卤素原子。
[0225]通过使MgO粉末中含有的卤素原子的量不同，可以使深紫外光的发光强度不同。因此，使发光层340所含有的卤素原子的量比发光层240所含有的卤素原子的量有所减少。由此，可以使位于多个电极20正上方的第2区域93的发光层340的发光强度比位于与多个电极20正上方不同的第I区域92的发光层240的发光强度有所减小。这样一来，通过调整卤素原子(氟)的含量，可以变更发光层340的发光强度。
[0226][5.实施例]
[0227]以下试制本实施方式的紫外光发光元件301，并使用图11就进行特性比较的结果进行说明。图11是表示本实施方式以及比较例的紫外光发光元件的特性的评价结果的图。
[0228]图11所示的比较例2与实施方式I所说明的比较例2相同。
[0229]实施例5是本实施方式的紫外光发光元件301，其位于除电极20正上方以外的第I区域92的发光层240的材料与位于电极20正上方的第2区域93的发光层340的材料不同。具体地说，发光层240含有氟作为卤素原子，与此相对照，发光层340不含有氟。由此，如图11所示，位于第2区域93的发光层340的发光强度比位于第I区域92的发光层240的发光强度低4成。除此以外，具有与比较例2相同的构成。
[0230]如图11所示，可知通过降低位于第2区域93的发光层340的发光强度，劣化率得以大幅度改善。可以认为其原因在于:由于第2区域93的发光强度在整个紫外光发光元件301的发光强度中的比例降低，因而紫外光发光元件301的发光强度随时间的降低减小。
[0231]另外，如图11所示，可知通过降低位于第2区域93的发光层340的发光强度，初期的紫外光发光元件301的发光强度得以减小。但是，还可知连续点灯后的发光强度比第2区域93的发光强度与第I区域92的发光强度相同的情况(S卩比较例2)更高。
[0232](实施方式3)
[0233][1.构成]
[0234]以下使用图12，就本发明的实施方式3的紫外光发光元件401的构成进行说明。图12是表示本实施方式的紫外光发光元件401的构成的剖视图。
[0235]在本实施方式中，对于与实施方式I同样的部分标注同一符号，其详细的说明往往予以省略。
[0236]本实施方式的紫外光发光元件401与实施方式I的紫外光发光元件I的不同点在于:具有发光层440以及保护层450以代替发光层40以及保护层50。
[0237]发光层440位于电介质层30上，是发出紫外光的第I发光层的一个例子。发光层440位于电介质层30和保护层450之间。在本实施方式中，发光层440并不取决于与多个电极20正上方不同的第I区域92、以及多个电极20正上方的第2区域93，而是膜厚大致均匀。例如，发光层440的膜厚为20μηι?30μηι。
[0238]发光层440所含有的材料例如与实施方式I的发光层40相同。具体地说，发光层440含有发出紫外光的粉末状氧化镁、和卤素原子。卤素原子例如为氟。发光层440发出在200nm?300nm的范围存在峰值波长的深紫外光。
[0239]保护层450是位于发光层440上的薄膜。具体地说，保护层450处于与第2基体11相对置的位置。保护层450在放电空间12露出。也就是说，保护层450通过自身直接曝露于在放电空间12产生的放电中而保护发光层440。具体地说，保护层450以不使发光层440在放电空间12露出的方式覆盖发光层440。由此，保护层450可以抑制发光层440直接曝露于在放电空间12产生的放电中。
[0240]保护层450是含有氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)以及氧化锶(SrO)之中的至少I种的薄膜。保护层450也可以是含有Mg0、Ca0、Ba0以及SrO的2种以上的混合相薄膜。保护层450的厚度例如为Ιμπι。
[0241][2.制造方法]
[0242]接着，就本实施方式的紫外光发光元件401的制造方法进行说明。此外，除了发光层440以及保护层450的形成以外，其余与实施方式I的紫外光发光元件I的制造方法相同。以下示出本实施方式的发光层440以及保护层450的形成方法。
[0243]首先，将含有发光材料的浆料涂布于电介质层30上的任意区域(例如整个面)上，然后进行烧成，从而形成发光层440。此时，例如以大致均匀的厚度涂布含有发光材料的浆料。此外，发光材料例如含有卤素原子和粉末状氧化镁。
[0244]接着，在形成的发光层440上形成保护层450。例如，保护层450采用以Mg0、Ca0、Sr0或者BaO的单独材料的粒料或者将这些材料混合而成的粒料为原料的薄膜成膜方法来形成。作为薄膜成膜方法，可以使用电子束蒸镀法、溅射法、离子镀法等公知的薄膜成膜方法。
[0245][3.效果等]
[0246]下面就本实施方式的紫外光发光元件401说明其特征以及效果。
[0247]本实施方式的紫外光发光元件401具有:第I基体10;多个电极20，其位于第I基体10的主面上；电介质层30，其位于第I基体10的主面上，并覆盖多个电极20;发光层440，其位于电介质层30上，并发出紫外光;保护层450，其位于发光层440上，含有氧化镁、氧化钙、氧化钡以及氧化锶之中的至少I种；以及第2基体11，其处于与保护层450相对置的位置。在第I基体10和第2基体11之间的放电空间12内填充有规定的气体，发光层440通过多个电极20间在气体中的放电而发出紫外光。
[0248]由此，因为在发光层440上设置有保护层450，所以能够抑制因连续点灯产生的紫外光发光元件401的发光强度随时间的降低。
[0249]其主要原因可以认为如下。保护层450由于使用耐离子碰撞性较高的材料，因而通过保护层450可以保护发光层440免受由放电引起的离子碰撞。因此，可以抑制发光层440的变质。
[0250]另外，保护层450所使用的Mg0、Ca0、Ba0、Sr0或者这些混合相材料在深紫外光区域的透射率较高。因此，发光层440产生的深紫外光难以被保护层450吸收。因此，可以抑制紫外光发光元件401的发光强度的降低，而且可以抑制紫外光发光元件401的发光强度随时间的降低。
[0251]再者，由二次电子放出特性较高的材料构成的保护层450由于直接曝露于放电空间12内，因而可以使放电开始电压下降。
[0252]这样一来，通过将保护层450设置在发光层440上，可以抑制发光强度随时间的降低，而且可以获得发光强度较高的紫外光发光元件。
[0253]此外，图12所示的构造仅在发光层440上形成保护层450，但本发明并不局限于此。例如，也可以与实施方式I同样，在发光层440和电介质层30之间设置保护层50。
[0254]由此，可以提高二次电子放出特性，可以使放电开始电压进一步降低。这是因为:发光层440是由粉末状MgO形成的，所以对放电产生影响的二次电子放出特性不仅受到来自发光层440的上层的影响，而且也受到来自下层的影响。
[0255][4.实施例]
[0256]以下试制本实施方式的紫外光发光元件401，并使用图13就进行特性比较的结果进行说明。图13是表示本实施方式以及比较例的紫外光发光元件401的特性的评价结果的图。
[0257]图13所示的比较例I以及比较例2与实施方式I所说明的比较例I以及比较例2相同。
[0258]实施例6以及实施例7是本实施方式的紫外光发光元件401，在发光层440上形成有MgO薄膜作为保护层450。除此以外，实施例6与比较例1、实施例7与比较例2分别具有相同的构成。此外，保护层450是采用溅射法在发光层440上形成膜厚为Ιμπι的MgO薄膜。
[0259]如图13所示，可知通过在发光层440上设置由MgO薄膜形成的保护层450，可以使劣化率得以改善。另外，可知由于二次电子放出特性较高的MgO薄膜曝露于放电空间12内，因而放电开始电压降低。再者，还可知尽管在发光层440上形成有保护层450，但初期的发光强度的降低受到抑制。
[0260]此外，在本实施方式中，使用MgO作为保护层450，但即便使用Ca0、Ba0、Sr0或者它们的混合相层之中的任一种，也可以实现较高的二次电子放出特性。因此，可以抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0261](实施方式4)
[0262][1.构成]
[0263]以下使用图14，就本发明的实施方式4的紫外光发光元件501的构成进行说明。图14是表示本实施方式的紫外光发光元件501的构成的剖视图。
[0264]在本实施方式中，对于与实施方式3同样的部分标注同一符号，其详细的说明往往予以省略。
[0265]本实施方式的紫外光发光元件501与实施方式3的紫外光发光元件401的不同点在于:具有保护层550以代替保护层450。如图14所示，在紫外光发光元件501中，在多个电极20正上方的第3区域96设置有保护层550，但在不处于多个电极20正上方的第4区域97没有设置保护层550。此外，考虑到制作工艺，第3区域96不用说没有必要与多个电极20俯视看来的形状准确一致。也就是说，第3区域96既可以比多个电极20俯视看来的区域狭窄，也可以比多个电极20俯视看来的区域宽广。换句话说，第3区域96为包含多个电极20正上方的区域的至少一部分的区域。此外，第3区域96不仅设置在多个电极20的正上方，而且也可以设置在包含靠近的2个电极20之间的区域上。特别地，如图14所示，在第3区域96包含多个电极20正上方的全部区域的情况下，可以提高本实施方式的效果。另外，第4区域97是与所述第3区域96不同的发光层440上的区域。
[0266][2.制造方法]
[0267]接着，就本实施方式的紫外光发光元件501的制造方法进行说明。使用具有能够涂布于包含多个电极20正上方的区域的第3区域96上的图案的印网掩模来形成保护层550。例如，保护层450采用以Mg0、Ca0、Sr0或者BaO的单独材料的粒料或者将这些材料混合而成的粒料为原料的薄膜成膜方法来形成。作为薄膜成膜方法，可以使用电子束蒸镀法、溅射法、离子镀法等公知的薄膜成膜方法。其它工序与实施方式3同样。
[0268][3.效果等]
[0269]下面就本实施方式的紫外光发光元件501说明其特征以及效果。在本实施方式的紫外光发光元件501中，由于在多个电极20正上方的第3区域96设置有保护层550，因而可以得到与实施方式3同样的效果。再者，由于在不处于多个电极20正上方的第4区域97没有设置保护层550，因而能够获得如下的效果:可以将由保护层引起的发光层的发光强度的降低抑制在最低限度，而且可以维持发光强度。
[0270](其它实施方式)
[0271]以上基于实施方式而就I个或者多个方式的紫外光发光元件进行了说明，但本发明并不局限于这些实施方式。只要不脱离本发明的主旨，对本实施方式施加本领域技术人员想出的各种变形而成的方式、以及将不同实施方式的构成要素组合而构筑的方式也包含在本发明的范围内。
[0272]例如，在上述的实施方式I以及2中，在发光层40的下层使用MgO薄膜作为保护层50，但本发明并不局限于此。也可以使用Ca0、Ba0、Sr0或者它们的混合相层之中的任一种以代替MgO。即使在保护层50为它们的薄膜的情况下，也可以实现较高的电子放出特性，所以能够抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0273]另外，在上述的实施方式I?3中，在第2基体11上以例如5μπι的膜厚形成有发光层60，但本发明并不局限于此。在第2基体11上即使不设置发光层60，也可以抑制因连续点灯产生的发光强度随时间的降低。
[0274]另外，在上述的实施方式I?3中，将含有作为卤素原子的氟的MgO粉末用作发光层的材料，但也可以含有例如Cl之类的除氟以外的卤素原子。或者，发光层也可以不含有卤素原子。即使在此情况下，如图7所示，MgO粉末也可以发出在200nm?300nm的范围具有峰值的紫外光。
[0275]另外，在上述的实施方式I?3中，第2基体11使用单面研磨的蓝宝石玻璃而在发光层60的形成面设置有凹凸，但本发明并不局限于此。例如，也可以采用喷砂等进行加工，从而给第2基体11的表面赋予凹凸。
[0276]另外，在上述的实施方式I?3中，放电气体使用Ne和Xe的混合气体，但本发明并不局限于此，也可以使用Xe的单质气体或者内等其它气体。
[0277]另外，在上述的实施方式2中，示出了在多个电极20正上方的第2区域93设置有发光层340而没有设置发光层240的例子，但本发明并不局限于此。例如，也可以在发光层340的下层设置含有与发光层240材料相同的发光层。具体地说，发光层340也可以在实施方式I所示的发光层40的第2发光部42上形成。
[0278]另外，在上述的实施方式I?3中，示出了第I基体10以及第2基体11均为平板即紫外光发光元件呈面板状的例子，但本发明并不局限于此。第I基体10以及第2基体11各自的主面也可以是弯曲的弯曲板。例如，第I基体10以及第2基体11各自也可以是筒体。具体地说，也可以是第2基体11的内径比第I基体10的外径小，第I基体10配置于第2基体11的内部。由此，例如可以沿着第2基体11的侧面而全方位地射出紫外光。
[0279]另外，上述的各实施方式可以在权利要求书或者其等同置换的范围进行各种的变更、置换、附加、省略等。
[0280]产业上的可利用性
[0281]本发明可以实现因连续点灯产生的发光强度随时间的降低较小的紫外光发光元件，例如可以在杀菌、净水、光刻、照明等中加以利用。
[0282]符号说明:
[0283]1、201、301、401紫外光发光元件
[0284]10第I基体
[0285]11第2基体
[0286]12放电空间
[0287]20 电极
[0288]21第I电极
[0289]22第2电极
[0290]30电介质层
[0291]40、60、240、340、440 发光层
[0292]41第I发光部
[0293]42第2发光部
[0294]50、450 保护层
[0295]70、82 密封材
[0296]80、80a、80b 贯通孔
[0297]81、81a、81b 排气管
[0298]90 放电
[0299]91紫外光
[0300]92第I区域
[0301]93第2区域
[0302]100功能加热炉
[0303]111加热器
[0304]112加热炉
[0305]113,114 配管
[0306]121、123、124、125 阀
[0307]122气体放气阀
[0308]126压力计
[0309]131干燥气体供给装置
[0310]132排气装置
[0311]133放电气体供给装置
[0312]190干燥气体
【主权项】
1.一种紫外光发光元件，其具有: 第I基体； 多个电极，其位于所述第I基体的主面上； 电介质层，其位于所述第I基体的所述主面上，并覆盖所述多个电极； 第I发光层，其位于所述电介质层上，并发出紫外光，且与包含所述多个电极正上方的区域的至少一部分的第2区域相比，在不同于所述第2区域的所述电介质层上的第I区域中较厚；以及 第2基体，其处于与所述第I发光层相对置的位置;其中， 在所述第I基体和所述第2基体之间的空间填充有规定的气体； 所述第I发光层在与所述第2基体相对置的面上具有凹凸形状，且通过所述气体中的所述多个电极间的放电而发出所述紫外光。2.根据权利要求1所述的紫外光发光元件，其中，所述第I发光层在所述第2区域的厚度低于ΙΟμπι。3.一种紫外光发光元件，其具有: 第I基体； 多个电极，其位于所述第I基体的主面上； 电介质层，其位于所述第I基体的所述主面上，并覆盖所述多个电极； 第I发光层，其位于所述电介质层上，并发出紫外光，且不是位于包含所述多个电极正上方的区域的至少一部分的第2区域，而是位于不同于所述第2区域的所述电介质层上的第I区域；以及 第2基体，其处于与所述第I发光层相对置的位置;其中， 在所述第I基体和所述第2基体之间的空间填充有规定的气体； 所述第I发光层通过所述气体中的所述多个电极间的放电而发出所述紫外光。4.根据权利要求3所述的紫外光发光元件，其中，所述紫外光发光元件进一步具有第2发光层;该第2发光层位于所述第2区域，含有的材料或者其含量与所述第I发光层不同，而且所述紫外光的发光强度比所述第I发光层低。5.根据权利要求4所述的紫外光发光元件，其中， 所述第I发光层以及所述第2发光层分别含有齒素原子和发出所述紫外光的粉末状氧化镁； 所述第2发光层所含有的卤素原子的量比所述第I发光层所含有的卤素原子的量少。6.根据权利要求5所述的紫外光发光元件，其中，所述卤素原子为氟。7.根据权利要求5所述的紫外光发光元件，其中， 所述第I发光层以及所述第2发光层分别含有发出所述紫外光的粉末状氧化镁； 所述第I发光层进一步含有卤素原子； 所述第2发光层不含有卤素原子。8.根据权利要求1所述的紫外光发光元件，其中，所述紫外光发光元件进一步具有薄膜;所述薄膜位于所述第I发光层和所述电介质层之间，含有氧化镁、氧化钙、氧化钡以及氧化锶之中的至少I种。9.根据权利要求1?8中任一项所述的紫外光发光元件，其中，所述第2区域包含所述多个电极正上方的全部区域。10.一种紫外光发光元件，其具有: 第I基体； 多个电极，其位于所述第I基体的主面上； 电介质层，其位于所述第I基体的所述主面上，并覆盖所述多个电极； 第I发光层，其位于所述电介质层上，并发出紫外光； 薄膜，其位于所述第I发光层上，并含有氧化镁、氧化钙、氧化钡以及氧化锶之中的至少I种；以及 第2基体，其处于与所述薄膜相对置的位置;其中， 在所述第I基体和所述第2基体之间的空间填充有规定的气体； 所述第I发光层通过所述气体中的所述多个电极间的放电而发出所述紫外光。11.根据权利要求1所述的紫外光发光元件，其中，所述第I发光层含有发出所述紫外光的粉末状氧化镁。12.根据权利要求11所述的紫外光发光元件，其中，所述第I发光层进一步含有卤素原子。13.根据权利要求12所述的紫外光发光元件，其中，所述卤素原子为氟。14.根据权利要求1所述的紫外光发光元件，其中，所述紫外光发光元件进一步具有第3发光层;所述第3发光层位于所述第2基体的主面或者该主面的相反侧，且发出所述紫外光。15.根据权利要求1所述的紫外光发光元件，其中，所述规定的气体含有氖和氙。16.根据权利要求1所述的紫外光发光元件，其中，所述紫外光的峰值波长存在于200nm?300nm的范围。17.根据权利要求10?16中任一项所述的紫外光发光元件，其中，所述薄膜位于包含所述多个电极正上方的区域的至少一部分的第3区域，而不位于与所述第3区域不同的所述第I发光层上的第4区域。18.根据权利要求17所述的紫外光发光元件，其中，所述第3区域包含所述多个电极正上方的全部区域。
【文档编号】H01J65/04GK106057632SQ201610081976
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年2月5日 公开号201610081976.5, CN 106057632 A, CN 106057632A, CN 201610081976, CN-A-106057632, CN106057632 A, CN106057632A, CN201610081976, CN201610081976.5
【发明人】头川武央, 佐佐木良树, 长尾宣明
【申请人】松下知识产权经营株式会社