可伸展的显示设备的制作方法

本申请要求于2016年3月18日提交的第10-2016-0032904号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

一个或更多个实施例涉及一种可伸展的显示设备。

背景技术：

发光二极管(“led”)是一种半导体器件，其中当将电压在正向方向上施加到pn结二极管时，空穴和电子被注入，空穴和电子复合以产生被转换为光能的能量。

通过使用无机化合物发光的无机led被广泛用作液晶显示(“lcd”)装置的背光源、照明和电子显示板。通过使用有机化合物发光的有机led被广泛用于从诸如移动电话的电子设备到大型电视机。

近来，已经提出了使用led的柔性和可伸展的显示设备。

技术实现要素：

一个或更多个实施例包括一种当被拉伸时具有较小的亮度变化的可伸展显示设备。

另外的方面将在随后的描述中部分地被阐述，部分地将通过所述描述而清楚，或者可通过对所提出的实施例的实践来获知。

根据一个或更多个实施例，显示设备包括：多个发光二极管(“led”)；可伸展基底，包括平坦部和从平坦部突出的多个突起，每个突起具有弯曲的表面，发光二极管中的至少一些设置在突起上；多个薄膜晶体管，设置在可伸展基底中并且连接到led。

在实施例中，突出中的每个的弯曲的表面可以包括倾斜的表面，led中的一个led可以设置在倾斜的表面上。

在实施例中，可伸展基底还可以包括设置在led之间的阻挡壁。

在实施例中，阻挡壁可以设置在平坦部上并且位于突起中的两个相邻的突起之间。

在实施例中，阻挡壁可以设置在突起中的一个突起的中心上。

在实施例中，阻挡壁可以包括反射板或吸收板。

在实施例中，显示设备还可以包括可伸展膜，可伸展膜位于可伸展基底上并且与突起的表面相接触，其中，led可以设置在可伸展膜上。

在实施例中，突起中的每个可以包括相对于平坦部具有倾斜角度并且彼此间隔开的两个侧表面，以及连接两个侧表面的上平坦表面。

在实施例中，led可以包括：第一发光二极管，位于上平坦表面上；第二发光二极管，位于两个侧表面中的至少一个上。

在实施例中，第一led可以作为响应于图像信息而导通或截止的显示像素进行操作，而与可伸展基底的拉伸程度无关。

在实施例中，第二led可以在可伸展基底未被拉伸或被拉伸得比预定的拉伸程度小的状态下，不作为显示像素进行操作，并且在可伸展基底被以预定的拉伸程度或更大的拉伸程度而拉伸的状态下，作为显示像素进行操作。

在实施例中，第二led中的一个或更多个限定一个像素，在一个像素中的第二发光二极管的数量可以根据可伸展基底的拉伸程度而变化。

在实施例中，led还可以包括第三led，设置在平坦部上并且位于突起中的两个相邻的突起之间。

在实施例中，第一led和第三led可以作为响应于图像信息而导通或截止的显示像素进行操作，而与可伸展基底的拉伸程度无关。

在实施例中，第二led可以在可伸展基底未被拉伸或被拉伸得比预定的拉伸程度小的状态下，不作为显示像素进行操作，并且在可伸展基底被以预定的拉伸程度或更大的拉伸程度拉伸的状态下，作为显示像素进行操作。

在实施例中，突起中的每个的截面形状可以是上表面大于下表面的倒梯形形状。

在实施例中，led可以包括：第一led，位于上平坦平面上；第二led，位于平坦部上并且位于突起中的两个相邻的突起之间。

在实施例中，第一led可以作为响应于图像信息而导通或截止的显示像素进行操作，而与可伸展基底的拉伸程度无关。

在实施例中，第二led可以在可伸展基底未被拉伸或被拉伸得比预定的拉伸程度小的状态下，不作为显示像素进行操作，并且在可伸展基底被以预定的拉伸程度或更大的拉伸程度拉伸的状态下，作为显示像素进行操作。

在实施例中，显示设备还可以包括可伸展膜，可伸展膜位于可伸展基底上并且与突起中的每个的上平坦表面和两个侧表面接触，led可以设置在可伸展膜上。

附图说明

通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它特征将变得清楚和更容易理解，在附图中：

图1是根据实施例的显示设备的示意性剖视图；

图2是图1的显示设备的部分的放大视图；

图3a和图3b是示出当图1的显示设备被拉伸时亮度的变化的概念图；

图4a至图4f是示出制造图1的显示设备的方法的示例性实施例的图；

图5是根据可选实施例的显示设备的示意性剖视图；

图6是根据另一可选实施例的显示设备的示意性剖视图；

图7a至图7e是示出制造图6的显示设备的方法的示例性实施例的图；

图8是根据另一可选实施例的显示设备的示意性剖视图；

图9是根据另一可选实施例的显示设备的示意性剖视图；

图10a和图10b是基于图9的显示设备的拉伸的用于示出包括在显示设备中的作为像素进行操作的发光二极管(“led”)的示图；

图11是根据另一可选实施例的显示设备的示意性剖视图；

图12是根据另一可选实施例的显示设备的示意性剖视图；

图13a至图13c是基于图12的显示设备的拉伸用于示出在显示设备中的作为像素进行操作的led以及包括在每个像素中的led的数量的变化的图；

图14是根据另一可选实施例的显示设备的示意性剖视图；

图15是根据另一可选实施例的显示设备的示意性剖视图；

图16是根据另一可选实施例的显示设备的示意性剖视图。

具体实施方式

现在将详细参照实施例，在附图中示出了其示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可具有不同的形式并且不应被解释为受限于在此阐述的具体实施方式。因此，以下仅通过参照附图来描述本实施例，以解释本具体实施方式的多个方面。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)而非修饰所述列的个别元件(要素)。

在下文中，将通过参照附图解释本发明构思的优选实施例来详细描述本公开。在附图中同样的附图标记表示同样的元件。

将理解的是，当元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者在该元件和所述另一元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

将要理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅仅用于将一个组件与另一个组件区分开。

如这里使用的，单数形式的“一个(种/者)”和“该/所述”也意图包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。“或”意指“和/或”。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。

还将理解的是，在此使用的术语“包括”和/或“包含”表明存在所述特征或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征或组件。

为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。

图1是根据实施例的显示设备1001的示意性剖视图，图2是图1的显示设备1001的部分的放大视图。

显示设备1001包括可伸展基底100和在可伸展基底100上的多个发光二极管(led)150。可伸展基底100包括平坦部110和具有从平坦部110突出并弯曲的表面的多个突起120。平坦部110和突起120通过基于可伸展基底100的形状而划分可伸展基底100的区域来限定。突起120是其突出程度根据可伸展基底100的伸长或缩小而变化的区域，即，包括具有可变的倾斜角度的倾斜表面120a和120b的区域，其余区域被称为平坦部110。

显示设备1001还包括控制led150的驱动的薄膜晶体管tft。如图2中所示，薄膜晶体管tft可以设置在可伸展基底100上。在一个实施例中，例如，薄膜晶体管tft设置在包括可伸展材料的基底111上，包括可伸展材料的可伸展绝缘层125可以设置在薄膜晶体管tft上。在图2中，薄膜晶体管tft嵌入在平坦部110中，但一个或更多个实施例不限于此。可伸展基底100可以包括在其中任何位置的薄膜晶体管tft。

参照图2，下面将描述显示设备1001的组件。

基底111可以包括可伸展材料。在一个实施例中，例如，基底111可以包括弹性硅树脂，弹性聚氨酯，弹性聚异戊二烯和弹性聚氨酯丙烯酸酯中的至少一种。基底111可以包括透明材料或不透明材料。在显示设备1001为透明显示设备的实施例中，基底111可以包括透明或半透明材料。在显示设备1001为顶部发射型的可选实施例中，基底111可以包括不透明材料。

在实施例中，缓冲层112可以设置在基底111上以形成薄膜晶体管tft。缓冲层112可以在基底111上提供平坦化的表面，并且可以有效地防止杂质或湿气渗入基底111中。在一个实施例中，例如，缓冲层112可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和氮化钛的无机材料或者诸如聚酰亚胺、聚酯和丙烯酸树脂的有机材料，并且可以具有包括以上列出的材料中的至少一种的多层结构。

薄膜晶体管tft可以包括沟道层ch、栅电极ge、源电极s和漏电极d。在实施例中，薄膜晶体管tft可以是栅电极ge设置在沟道层ch上的顶栅型，但不限于此。可选地，薄膜晶体管tft可以是底栅型。

沟道层ch可以包括例如非晶硅或多晶硅的半导体材料，但不限于此。例如，沟道层ch可以包括有机半导体材料。在实施例中，沟道层ch可以包括半导体氧化物材料。例如，在一个实施例中，沟道层ch可以包括从诸如锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、镉(cd)和锗(ge)以及它们的组合的xii族、xiii族和xiv族金属元素中选择的至少一种材料的氧化物。

栅极绝缘层113设置在缓冲层112上，以覆盖在缓冲层112上的沟道层ch。栅极绝缘层113使沟道层ch与栅电极ge绝缘。栅极绝缘层113可以具有包括包含诸如氧化硅和/或氮化硅的无机材料的层的单层结构或者多层结构。

栅电极ge设置在栅极绝缘层113上。栅电极ge可以连接到将导通/截止信号发送到薄膜晶体管tft的栅极线(未示出)。

栅电极ge可以包括低电阻金属材料。栅电极ge可以具有包括从例如铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)中选择的至少一种的单层或多层结构。栅电极ge的材料可以考虑到与相邻层的附着、堆叠层的表面平坦度和加工性来确定。

层间绝缘层114设置在栅电极ge上。层间绝缘层114使源电极s和漏电极d与栅电极ge绝缘。层间绝缘层114可以具有包括无机材料的单层结构或多层结构。例如，在一个实施例中，无机材料可以是金属氧化物或金属氮化物，具体地说，无机材料可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锆(zro2)。

源电极s和漏电极d设置在层间绝缘层114上。源电极s和漏电极d可以均具有包括从al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和cu中选择的至少一种的单层结构或多层结构。源电极s和漏电极d接触沟道层ch。

可伸展绝缘层125设置在薄膜晶体管tft上。可伸展绝缘层125覆盖薄膜晶体管tft以去除由薄膜晶体管tft引起的水平差或台阶，并且具有倾斜的表面120a，其中，倾斜的表面120a的倾斜角度基于可伸展基底100的伸长或缩小而变化。可伸展绝缘层125包括与基底111的材料相同的可伸展材料。然而，实施例不限于此。在可选实施例中，可伸展绝缘层125包括与基底111的材料不同的可伸展材料。例如，可伸展绝缘层125可以包括从弹性硅树脂，弹性聚氨酯，弹性聚异戊二烯和弹性聚氨酯丙烯酸酯中选择的至少一种。可伸展绝缘层125可以包括透明材料或不透明材料。

第一电极127和第二电极128设置在倾斜的表面120a上。第一电极127的一部分可以延伸通过可伸展绝缘层125，以电连接到薄膜晶体管tft的漏电极d。当用于在led150中产生电场的电压施加在第二电极128与第一电极127之间时，第二电极128用作提供参考电压的共电极。例如，在一个实施例中，电连接到led150的第二电极128可以彼此电连接，从而可以将参考共电压施加到led150，第一电极127可以分别连接到彼此单独设置的薄膜晶体管tft。led150设置在倾斜的表面120a上，led150的第一电极焊盘156和第二电极焊盘157可以分别电接触第一电极127和第二电极128。

led150可以发射红光、绿光或蓝光，并且可以通过利用荧光材料或通过组合颜色来发射白光。led150可以包括第一半导体层153、第二半导体层151以及位于第一半导体层153与第二半导体层151之间的活性层152。

例如，第一半导体层153可以包括p型半导体层。第一半导体层153可以包括具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，例如，从gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan和inaln中选择的至少一种，并且可以掺杂有诸如mg、zn、ca、sr和ba的p型掺杂剂。

例如，第二半导体层151可以是n型半导体层。第二半导体层151可以包括具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，例如，从gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan和inaln中选择的至少一种，并且可以掺杂有诸如si、ge和sn的n型掺杂剂。

以上描述的第一半导体层153和第二半导体层151的掺杂类型仅是示例性的，并不限于此。可选地，第一半导体层153可以是n型半导体层，第二半导体层151可以是p型半导体层。

活性层152是电子和空穴复合的区域，当电子和空穴复合时，能级转变到较低能级，以产生具有与转变的能级对应的波长的光。在实施例中，例如，活性层152可以包括具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，并且可以具有单量子阱结构或者多量子阱(“mqw”)结构。在实施例中，活性层152可以具有量子线结构或量子点结构。

led150可以是翻盖式(fliptype)，即，第一电极焊盘156和第二电极焊盘157彼此平行地设置，但不限于此。可选地，led150可以是竖直式(verticaltype)。

第一电极127和第二电极128可以是透明电极或反射电极。反射电极可以包括反射层以及在反射层上的透明或半透明电极，所述反射层包括从ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir和cr中选择的至少一种材料的化合物。透明或半透明电极可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化锌(“zno”)、氧化铟(“in2o3”)、氧化铟镓(“igo”)或氧化铝锌(“azo”)。

在下文中，为便于描述，将详细描述led150为无机led(“iled”)的实施例，但不限于此。可选地，led150可以包括有机发光二极管(“oled”)。

图3a和图3b是示出当图1的显示设备被拉伸时亮度的变化的概念图。更具体地，图3a和图3b示出了当显示设备1001被拉伸时亮度变化较小。

图3a示出了处于初始阶段的显示设备1001，即，可伸展基底100未被拉伸或收缩。由两个相邻的倾斜的表面120a和120b形成的角度为θ1，在倾斜的表面120a和120b中的每个上的led150在显示表面ds上限定了具有宽度pw1的像素。这里，显示表面ds为虚拟表面，所述虚拟表面被识别为犹如从led150输出的图像位于其上，所述led150响应于图像信息通过被导通或截止来输出图像。可伸展且透明的盖构件可以位于显示表面ds的位置处。

图3b示出其中可伸展基底100被拉伸的显示设备1001。因为可伸展基底100沿相反方向拉伸，所以像素具有增加的宽度pw2，每英寸的像素(“ppi”)(即，每单位长度的像素数量)减少。在这样的实施例中，因为可伸展基底100被拉伸，所以由两个相邻的倾斜表面120a和120b形成的角度θ1改变为(例如，增加到)角度θ2，两个相邻的倾斜表面120a和120b中的每个相对于显示表面ds的倾斜角度减小。因此，当可伸展基底100被拉伸时，从led150朝向显示表面ds发射的光的强度增大。

如果当可伸展基底100被拉伸时从led150朝向显示表面ds发射的光的强度为常量，那么亮度因减少的ppi而降低。在实施例中，显示设备1001具有led150位于其上的倾斜表面120a和120b的倾斜角度根据可伸展基底100的拉伸程度而变化的结构，因此，当可伸展基底100被拉伸时，从led150朝向显示表面ds发射的光的强度增大。这里，可伸展基底的拉伸程度可以由可伸展基底的拉伸比或者可伸展基底的长度减去可伸展基底的最小长度的量相对于可伸展基底的最大长度减去可伸展基底的最小长度的量的比来限定。因此，可以基本上最小化或有效地防止因ppi减少导致的亮度降低。

图4a至图4f是示出制造图1的显示设备1001的方法的示例性实施例的示图。

显示设备1001的实施例可以通过下面的制造方法的实施例的工艺来制造。

在实施例中，如图4a中所示，准备可伸展基底100。可伸展基底100包括平坦部110和从平坦部110突出且均包括两个倾斜的表面120a和120b的突起120。在这样的实施例中，可伸展基底100可以包括薄膜晶体管tft，如图2中所示，并且可以在每个倾斜的表面120a和120b上设置将要与led150结合的第一电极127和第二电极128。

在这样的实施例中，如图4b中所示，可以沿相反方向拉伸可伸展基底100。在图4b中，随着拉伸可伸展基底100，突出部完全地消失，并且为了便于示出，可伸展基底100被示出为平坦的。然而，可伸展基底100的上表面可以在一定程度上是不平坦的。

在这样的实施例中，如图4c和图4d中所示，可以使用转移基底ts将led150转移到可伸展基底100上。转移基底ts可以包括例如弹性共聚物材料，以通过使用表面力附着led150或与led150分离。

如图4e中所示，将led150转移到可伸展基底100上。可以将led150结合到预先设置在已经拉伸的可伸展基底100上的电极图案。

在这样的实施例中，转移led150然后将处于拉伸状态下的可伸展基底100返回到其原始状态，从而制造如图4f中示出的显示设备1001。

图5是根据可选实施例的显示设备1002的示意性剖视图。

除了在相邻的led150之间还设置了阻挡壁181和182之外，图5中示出的显示设备1002与图1的显示设备1001基本相同。图5中示出的相同或相似的元件已经用与上面使用的用于描述以上参照图1描述的显示设备的实施例相同的附图标记来标记，在下文中将省略或简化对其的任何重复性的详细描述。

在这样的实施例中，阻挡壁181和182可被设置以有效地防止相邻的led150之间的颜色混合。阻挡壁181和182可以是反射光的反射板或者吸收光的吸收板。阻挡壁181和182位于每两个相邻的led150之间，但是不限于此。可选地，阻挡壁181可以仅设置在每两个相邻的突起120之间，或者阻挡壁182可以仅设置在每个突起120的中心处。

图6是根据另一可选实施例的显示设备1003的示意性剖视图。

除了沿突起120的倾斜表面120a和120b还设置了可伸展膜170并且led150在可伸展膜170上之外，图6的显示设备1003与图1的显示设备1001基本相同。图6示出的相同或相似的元件已经用与上面使用的用于描述以上参照图1描述的显示设备的实施例相同的附图标记来标记，在下文中将省略或简化对其的任何重复性的详细描述。

在实施例中，如图6中所示，显示设备1003还可以包括可伸展膜170以改善制造工艺的便利性。在这样的实施例中，实现相对于显示设备1003的拉伸程度具有较少亮度变化的显示器的效果与以上描述的显示设备1001的实施例的效果基本相同。

图7a至图7e是示出制造图6的显示设备1003的方法的示例性实施例的图。

在实施例中，如图7a中所示，准备将要设置在显示设备中的具有倾斜表面的可伸展膜170。在这样的实施例中，可伸展膜170具有恒定的厚度，使得通过如图7b示出的拉伸操作可以使可伸展膜170完全地平坦化。可以预先在可伸展膜170上设置用于与led150导电的电极图案。

在这样的实施例中，如图7c中所示，将led150转移到可伸展膜170上。

在这样的实施例中，如图7d中所示，可伸展膜170恢复到其原始状态，随后，如图7e中所示，将可伸展膜170附着到具有均包括倾斜表面120a和120b的突起120的可伸展基底100。

图8是根据另一可选实施例的显示设备1004的示意性剖视图。

除了为防止颜色混合还设置了阻挡壁181和182之外，图8的显示设备1004与图6的显示设备1003基本相同。

图9是根据另一可选实施例的显示设备1005的示意性剖视图。

除了突起130的形状之外，显示设备1005与图1的显示设备1001基本相同。在实施例中，如图9中所示，显示设备1005包括平坦部110和从平坦部110突出并包括弯曲的表面的突起130。突起130可以均包括相对于平坦部110具有预定倾斜角度并彼此间隔开的两个侧表面130a和130b、以及将两个侧表面130a和130b彼此连接的上平坦表面130c。在这样的实施例中，第一led161设置在上平坦表面130c上，第二led162分别设置在两个侧表面130a和130b上。

在这样的实施例中，如图9中所示，例如，两个侧表面130a和130b以相对于上平坦表面130c将近直角或约90度来设置，但不限于此。两个侧表面130a和130b的角度可被确定为在初始阶段有效地隐藏设置在两个侧表面130a和130b上的第二led162。在一个实施例中，例如，上述角度可以比直角稍小，即，突起130的截面形状可以是倒梯形形状。

在这样的实施例中，第一led161与可伸展基底101的拉伸程度无关地暴露。在这样的实施例中，第二led162不被暴露，而是在初始阶段被隐藏，然后，当可伸展基底101被拉伸时可以被暴露。

在这样的显示设备1005的实施例中，第一led161作为响应于图像信息而导通或截止的显示像素来操作，而与可伸展基底101的拉伸程度无关，第二led162基于可伸展基底101的拉伸程度而作为显示像素选择性地进行操作。

图10a和图10b示例性地示出了在显示设备1005中的根据图9的可伸展基底101的拉伸而作为显示像素进行操作的第一led161和第二led162。

参照图10a，当可伸展基底101处于初始状态时(即，未被拉伸)，仅将第一led161作为像素进行操作。在初始状态下，仅第一led161可以响应于图像信息而导通或截止，从而处于有效状态。在初始状态下，第二led162被隐藏，因此，不进行操作，从而处于非有效状态。

图10a示出了在可伸展基底101未被拉伸的初始状态下，第二led162不作为像素进行操作。然而，第二led162不确切地在拉伸可伸展基底101之时作为像素进行操作，即，在可伸展基底101以比预定拉伸程度小的程度进行拉伸的情况下，第二led162也不作为像素进行操作。

参照图10b，拉伸可伸展基底101，第二led162全部被暴露。当拉伸可伸展基底101时，将第一led161和第二led162作为像素进行操作。即，第一led161和第二led162中的每个处于有效状态，并且响应于图像信息而导通或截止。

在实施例中，当完全地拉伸可伸展基底101时，第一led161和第二led162中的每个处于有效状态，即，图9中示出的侧表面130a和130b以及上平坦表面130c处于同一行，但不限于此。可选地，当以预定拉伸程度或更大的拉伸程度拉伸可伸展基底101且充分暴露第二led162以用作像素时，可以将第二led162切换到有效状态。

在显示设备1005的实施例中，隐藏的像素基于如上描述的可伸展基底101的拉伸和收缩而被暴露和再次隐藏，ppi基本上不随拉伸状态的改变而改变。因此，亮度基本不随拉伸状态的改变而改变。

在下文中，将描述具有隐藏的像素的显示设备的可选实施例。

图11是根据另一可选实施例的显示设备1006的示意性剖视图。

除了在突起130之间的平坦部110的下平坦表面110a上还设置了第三led163之外，图11的显示设备1006与图9的显示设备1005基本相同。

在这样的实施例中，与第一led161类似，第三led163也与可伸展基底101的拉伸程度无关地暴露，第三led163作为响应于图像信息而导通或截止的显示像素进行操作，而与可伸展基底101的拉伸程度无关。当可伸展基底101以预定拉伸程度或更大的拉伸程度来拉伸时，第二led162可以作为显示像素进行操作。

图12是根据另一可选实施例的显示设备1007的示意性剖视图。

除了侧表面140a和140b的倾斜角度(即，每个突起140的截面形状)之外，图12的显示设备1007与图9的显示设备1005基本相同。在实施例中，突起140的截面形状可以是图9中示出的矩形形状。可选地，突起140的截面形状可以是图12中示出的梯形形状。在这样的突起140的截面形状具有图12示出的梯形形状的实施例中，可以容易地执行制造工艺(例如，转移led的工艺)。在这样的实施例中，通过拉伸可伸展基底102至较小的程度，可以有效地暴露隐藏的led。

位于突起140的上平坦表面140c上的第一led161作为响应于图像信息而导通或截止的显示像素进行操作，而与可伸展基底102的拉伸程度无关。

在可伸展基底102未被拉伸或者被拉伸得比预定的拉伸程度小的状态下，位于突起140的侧表面140a和140b上的第二led162被截止且不作为显示像素进行操作；在可伸展基底102被以预定的拉伸程度或更大的程度拉伸的状态下，第二led162作为响应于图像信息而导通或截止的显示像素进行操作。

根据显示设备1007的实施例，作为像素进行操作的第二led162的数量可以根据可伸展基底102的拉伸程度而变化。

图13a至图13c示例性地示出了包括在显示设备1007中的基于图12的可伸展基底102的拉伸作为像素进行操作的led以及包括在每个像素中的led的数量的变化。

参照图13a，在可伸展基底102未被拉伸的初始状态下，可以仅将第一led161作为像素或显示像素进行操作。在这样的实施例中，第一led161处于有效状态，其中，第一led161响应于图像信息而导通或截止，第二led162被隐藏且不操作，即，处于非有效状态。

参照图13b，以预定拉伸程度或更大的拉伸程度来拉伸可伸展基底102，且没有充分地暴露每个第二led162，因此，还可以将led162用作像素来操作。然而，由于第二led162布置的角度，使得从第二led162朝向显示表面ds发射的光的强度比从第一led161发射的光的强度相对地低。在这样的实施例中，一组第二led162限定了一个像素或者作为一个像素共同地操作，例如，两个相邻的第二led162可以限定一个像素或者作为一个像素共同地操作。

参照图13c，拉伸可伸展基底102，例如，充分地或完全地拉伸可伸展基底102，并且第二led162被全部暴露。当第二led162被全部暴露时，将全部的第一led161和第二led162作为像素进行操作。因此，第一led161和第二led162中的每个处于有效状态，即，响应于图像信息而导通或截止。当第二led162被全部暴露时，从第一led161发射并到达显示表面ds的光的强度与从第二led162发射并到达显示表面ds的光的强度几乎相同，可以将第一led161和第二led162中的每个作为一个像素进行操作。

在图13c中，可伸展基底102被完全地拉伸，即，图12中示出的侧表面140a和140b以及上平坦表面140c是平行的，但是一个或更多个实施例不限于此。当以预定的拉伸程度或更大的拉伸程度拉伸可伸展基底102且充分地暴露每个第二led162以作为一个像素进行操作时，第二led162可以在有效状态下操作。

图14是根据另一可选实施例的显示设备1008的示意性剖视图。

除了在突起140之间的平坦部110的下平坦表面110a上设置第三led163之外，图14的显示设备1008与图12的显示设备1007基本相同。

在这样的实施例中，与第一led161类似，第三led163与可伸展基底102的拉伸程度无关地暴露，使得第三led163作为响应于图像信息而导通或截止的显示像素进行操作，而与可伸展基底102的拉伸程度无关。当可伸展基底102以预定拉伸程度或更大的拉伸程度来拉伸时，第二led162作为显示像素进行操作。

图15是根据另一可选实施例的显示设备1009的示意性剖视图。

除了在可伸展基底103上的突起150的形状以及第一led161和第二led164的布置之外，图15的显示设备1009与以上描述的显示设备的实施例基本相同。

在实施例中，如图15中所示，每个突起150具有倒梯形截面，所述倒梯形截面的上表面大于下表面，每个第一led161设置在上平坦表面150a上，每个第二led164设置在突起150之间的平坦部110的下平坦表面110a上。

即使当第二led164设置在平坦表面上而不设置在倾斜表面上时，第二led164也因突起150的形状而被隐藏。因此，第一led161作为显示像素进行操作，而与可伸展基底103的拉伸状态无关。在可伸展基底103未被拉伸或被拉伸得比预定的拉伸程度小的状态下，第二led164不作为显示像素进行操作，在可伸展基底103以预定的拉伸程度或更大的拉伸程度来拉伸的状态下，第二led164作为响应于图像信息而导通或截止的显示像素进行操作。

图16是根据另一可选实施例的显示设备1010的示意性剖视图。

除了沿突起120的表面和可伸展基底100的平坦部110的表面还设置了可伸展膜170之外，图16的显示设备1010与图12的显示设备1007基本相同。可伸展膜170是为了上述参照图7a至图7e描述的制造工艺的方便而设置的，并且可以应用到参照图9、图11、图14和图15示出的显示设备1005、1006、1008和1009。

根据依据发明的显示设备的实施例，led被三维地设置在可伸展基底上，因此，显示设备可以被容易地拉伸。

根据依据发明的显示设备的实施例，即使当拉伸状态或拉伸程度改变时，显示设备也具有基本恒定的亮度。

应该理解的是，在此描述的实施例应仅被视为描述性的含义，而非出于限制的目的。对每个实施例中的特征和方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它相似的特征或方面。

尽管已经参照附图描述了本发明的实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求限定的精神和范围的情况下，对其可做出形式和细节上的各种改变。