柔性显示器及其形成方法与流程

本申请涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种柔性显示器及其形成方法。

背景技术：

柔性显示器是一种制作在柔性载体(也称为柔性基板)上可折叠或可弯曲的显示装置，其以柔性衬底材料为器件的承载基板，要求电极层、tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)、显示部件以及封装层均有一定的弯曲半径，从而来实现全柔性化。由于柔性显示器具有轻薄便携、耐冲击性强的特点，并且具有设计美感，对于其技术的研究和创新越来越受到人们的重视。

通常，柔性显示器弯折时，包括tft在内的多个功能层会受到不同程度的拉力或者压力，而由于例如tft膜层承受压缩的能力高于承受拉伸的能力，故柔性显示器在不同弯折方向上的弯折能力(即能够实现的最大可弯曲程度)不同。目前对于具有两个相反弯折方向的柔性显示器存在的一种问题是在一个弯折方向上达到或超过弯折要求，例如具有较强的抗压缩能力、而在另一个弯折方向上不满足弯折要求，例如具有较弱的抗拉伸能力，即存在着一种“抗压而不抗拉”的问题。目前，在柔性显示器的结构设计中，通过将tft设置在中性面处，可以减少弯折时tft上所承受的拉力和压力，从而提高tft膜层的抗拉伸和抗压缩能力，进而提升柔性显示器在不同弯折方向上的弯折能力，但是此种设计仍有缺点：首先，tft仍是一个有厚度的结构，在弯折时仍会受到一定的弯折力，例如拉力；其次，在柔性显示器中可能存在比tft的弯折能力，例如抗拉伸能力更差的膜层，使得需要把中性面设置在偏离tft的膜层。因此，如何通过一种新的设计来提升柔性显示器中例如薄膜晶体管等膜层的抗拉伸能力，亦即抗弯折能力成为现阶段亟需解决的技术问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请有如下技术方案：

第一方面，本申请提供一种柔性显示器，其特征在于，包括：

第一柔性基板，薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层位于所述第一柔性基板的第一侧；

多个第二柔性基板，所述第二柔性基板位于所述有源层与所述第一柔性基板之间；

所述有源层包括沟道区，所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影至少覆盖所述沟道区在所述第一柔性基板所在平面的正投影；

所述第一柔性基板的热膨胀系数小于所述第二柔性基板的热膨胀系数。

可选地，其中：

所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影与所述有源层在所述第一柔性基板所在平面的正投影完全重叠。

可选地，其中：

在显示区内，所述第一柔性基板的所述第一侧设置有，多条沿第一方向排列且沿第二方向延伸的栅极线，多条沿所述第二方向排列且沿所述第一方向延伸的数据信号线；

所述第一方向与所述第二方向交叉，所述栅极线与所述数据信号线绝缘；

设定相邻的两条所述栅极线与相邻的两条所述数据信号线之间限定的区域为像素区域，所述薄膜晶体管位于所述像素区域内，所述像素区域内设置有多个所述薄膜晶体管。

可选地，其中：

位于同一个所述像素区域内的所有所述薄膜晶体管的所述沟道区在所述第一柔性基板所在平面的正投影被同一个所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。

可选地，其中：

所述显示区包括多个所述像素区域，所述像素区域在所述显示区内呈阵列排布；

在所述显示区内，同一列和/或同一行的所述薄膜晶体管的所述沟道区在所述第一柔性基板所在平面的正投影被同一个所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。

可选地，其中：

所述第一柔性基板的所述第一侧设置有第一凹槽，所述第二柔性基板设置于所述第一凹槽内。

可选地，其中：

所述第二柔性基板在垂直方向的厚度等于所述第一凹槽的深度。

可选地，其中：

所述第二柔性基板在水平方向的宽度等于所述第一凹槽的宽度。

可选地，其中：

所述第二柔性基板的热膨胀系数比所述第一柔性基板的热膨胀系数至少大5ppm/k。

可选地，其中：

所述第一柔性基板的热膨胀系数为cte1，1ppm/k≤cte1≤30ppm/k，所述第二柔性基板的热膨胀系数为cte2，10ppm/k≤cte2≤50ppm/k。

可选地，其中：

所述第一柔性基板包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯。

可选地，其中：

所述第二柔性基板包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯。

可选地，其中：

所述柔性显示器还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述沟道区与所述第二柔性基板之间；

所述缓冲层的热膨胀系数小于所述第二柔性基板的热膨胀系数。

可选地，其中：

所述缓冲层在所述第一柔性基板所在平面的正向投影与所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影完全重叠。

可选地，其中：

所述缓冲层的热膨胀系数为cte3，0.5ppm/k≤cte3≤10ppm/k。

可选地，其中：所述第一柔性基板的热膨胀系数cte1＝5ppm/k，所述第二柔性基板的热膨胀系数cte2＝15ppm/k，所述缓冲层的热膨胀系数cte3＝3ppm/k。

可选地，其中：所述第一柔性基板的厚度为10um，所述第二柔性基板的厚度为5um，所述缓冲层的厚度为1um。

可选地，其中：所述第一柔性基板的厚度为10um，所述第二柔性基板的厚度为10um，所述缓冲层的厚度为1um。

可选地，其中：

所述缓冲层包括siox和/或sinx。

可选地，其中：

所述薄膜晶体管还包括栅极，所述栅极与所述有源层绝缘；

所述栅极位于所述有源层远离所述第一柔性基板的一侧；

或者所述栅极位于所述有源层靠近所述第一柔性基板的一侧。

可选地，其中：

所述柔性显示器为oled显示器。

可选地，其中：

所述柔性显示器还包括多个有机发光单元，每个所述有机发光单元包括由上至下依次设置的阴极层、有机发光材料层和阳极层；

所述薄膜晶体管与所述阳极层电连接。

第二方面，本申请还提供一种上述柔性显示器的形成方法，其特征在于，包括:

采用打印或者涂覆的方式形成第一柔性基板；

在所述第一柔性基板上采用打印或黄光微影制程形成第二柔性基板，所述第一柔性基板的热膨胀系数小于所述第二柔性基板的热膨胀系数；

在所述第二柔性基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括沟道区，所述沟道区在所述第一柔性基板所在平面的正投影被所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影覆盖。

可选地，其中：

在所述第二柔性基板上形成的所述薄膜晶体管的所述有源层在所述第一柔性基板所在平面的正投影与所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影完全重叠。

可选地，其中：

在形成所述薄膜晶体管前，在所述第一柔性基板上还形成有多条沿第一方向排列且沿第二方向延伸的栅极线；

在形成所述薄膜晶体管后，在所述第一柔性基板上还形成有多条沿所述第二方向排列且沿所述第一方向延伸的数据信号线；

所述第一方向与所述第二方向交叉，所述栅极线与所述数据信号线绝缘；

设定相邻的两条所述栅极线与相邻的两条所述数据信号线之间限定的区域为像素区域，所述薄膜晶体管位于所述像素区域内，所述像素区域内设置有多个所述薄膜晶体管。

可选地，其中：

在所述第一柔性基板上同一个所述像素区域内形成的所有所述薄膜晶体管的所述沟道区在所述第一柔性基板所在平面的正投影被同一个所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。

可选地，其中：

在所述第一柔性基板上形成有多个所述像素区域，所述像素区域呈阵列排布；

在第一柔性基板上，同一列和/或同一行的所述薄膜晶体管的所述沟道区在所述第一柔性基板所在平面的正投影被同一个所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。

可选地，其中：

在采用打印或黄光微影制程形成所述第二柔性基板之前，在所述第一柔性基板上通过刻蚀形成有第一凹槽，所述第二柔性基板形成于所述第一凹槽内。

可选地，其中：

在所述第一凹槽内采用打印或黄光微影制程形成的所述第二柔性基板在垂直方向的厚度等于所述第一凹槽的深度。

可选地，其中：

在所述第一凹槽内采用打印或黄光微影制程形成的所述第二柔性基板在水平方向的宽度等于所述第一凹槽的宽度。

可选地，其中：

在所述第一柔性基板上采用打印或黄光微影制程形成的第二柔性基板的热膨胀系数比采用打印或者涂覆的方式形成的第一柔性基板的热膨胀系数至少大5ppm/k。

可选地，其中：

采用打印或者涂覆的方式形成的第一柔性基板的热膨胀系数为cte1，1ppm/k≤cte1≤30ppm/k，在所述第一柔性基板上采用打印或黄光微影制程形成的第二柔性基板的热膨胀系数为cte2，10ppm/k≤cte2≤50ppm/k。

可选地，其中：

采用打印或者涂覆的方式形成的第一柔性基板包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯。

可选地，其中：

在所述第一柔性基板上采用打印或黄光微影制程形成的第二柔性基板包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯。

可选地，其中：

在所述第二柔性基板上形成所述薄膜晶体管之前，在所述第二柔性基板上形成缓冲层，所述缓冲层位于所述沟道区与所述第二柔性基板之间；

所述缓冲层的热膨胀系数小于所述第二柔性基板的热膨胀系数。

可选地，其中：

在所述第二柔性基板上形成的所述缓冲层在所述第一柔性基板所在平面的正投影与所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影完全重叠。

可选地，其中：

在所述第二柔性基板上形成的所述缓冲层的热膨胀系数为cte3，0.5ppm/k≤cte3≤10ppm/k。

可选地，其中：

在所述第二柔性基板上形成的所述缓冲层包括siox和/或sinx。

本申请所提供的柔性显示器及其形成方法中，在第一柔性基板和有源层之间引入了第二柔性基板，且第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，在高温环境下形成薄膜晶体管等功能膜层的过程中，第一柔性基板和第二柔性基板都会相应膨胀，且第二柔性基板的膨胀趋势要比第一柔性基板的膨胀趋势更加明显；在成膜结束、温度从较高温度恢复至使用温度或室温后，相当于温度降低，第一柔性基板和第二柔性基板均有收缩的趋势，由于第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，第二柔性基板的收缩趋势将大于第一柔性基板的收缩趋势，因此在使用温度或室温条件下，第二柔性基板将会对在其上设置的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生一定的压缩量，而由于第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，第二柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量将大于不设置第二柔性基板时第一柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量。在柔性显示器受到与其功能膜层所受的压力方向不同的弯折力，即，使相关功能膜层具有拉伸趋势的弯折力时，薄膜晶体管等多个膜层上具有的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力。因此，本申请通过引入第二柔性基板，增加了对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层所产生的压缩量，提高了柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，可有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请所提供的柔性显示器的截面的第一种结构示意图；

图2为本申请所提供的柔性显示器的截面的第二种结构示意图；

图3为本申请所提供的柔性显示器的第一种俯视图；

图4为本申请所提供的柔性显示器中一个像素区域的一种电路图；

图5为本申请所提供的柔性显示器中一个像素区域的一种像素示意图；

图6为图5所示像素示意图的c-c剖面图；

图7为图5所示像素示意图的d-d剖面图；

图8为本申请申请所提供的柔性显示器中一个像素区域的另一种像素示意图；

图9为本申请所提供的柔性显示器的第二种俯视图；

图10为图9所示俯视图的e-e剖面图；

图11为本申请所提供的柔性显示器的第三种俯视图；

图12为图11所示俯视图的f-f剖面图；

图13为本申请所提供的柔性显示器的第四种俯视图；

图14为图13所示俯视图的g-g剖面图；

图15为图13所示俯视图的h-h剖面图；

图16为本申请所提供的柔性显示器的截面的第三种结构示意图；

图17为本申请所提供的柔性显示器包括缓冲层时的截面的第一种结构示意图；

图18为本申请所提供的柔性显示器包括缓冲层时的截面的第二种结构示意图；

图19为本申请所提供的柔性显示器的截面的第四种结构示意图；

图20为本申请所提供的柔性显示器包括有机发光单元的一种结构示意图；

图21为本申请所提供的柔性显示器的形成方法的一种流程图；

图22为本申请涂覆形成的第一柔性基板的截面的一种结构示意图；

图23为本申请在第一柔性基板上形成第二柔性基板的截面的一种结构示意图；

图24为本申请在第二柔性基板上形成薄膜晶体管的截面的第一种结构示意图；

图25为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器的截面的第二种结构示意图；

图26为本申请所提供的柔性显示器的形成方法中在第一柔性基板上形成栅极线的示意图；

图27为本申请所提供的柔性显示器的形成方法中在第一柔性基板上形成薄膜晶体管和数据信号线的3*3矩阵的第一种俯视图；

图28为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器中一个像素区域的一种电路图；

图29为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器中一个像素区域的一种像素示意图；

图30为图29所示像素示意图的c-c剖面图；

图31为图29所示像素示意图的d-d剖面图；

图32为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器中一个像素区域的另一种像素示意图；

图33为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器的3*3矩阵的第二种俯视图；

图34为图33所示俯视图的e-e剖面图；

图35为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器的3*3矩阵的第三种俯视图；

图36为图35所示俯视图的f-f剖面图；

图37为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器的3*3矩阵的第四种俯视图；

图38为图37所示俯视图的g-g剖面图；

图39为图37所示俯视图的h-h剖面图；

图40为本申请所提供的方法中在第一柔性基板上形成第一凹槽的结构示意图；

图41为本申请所提供的方法中在第一凹槽中形成第二柔性基板的结构示意图；

图42为采用本申请所提供的方法所形成的柔性显示器的截面的第三种结构示意图；

图43为采用本申请所提供的方法形成的第一柔性基板的第一凹槽和第二柔性基板的尺寸示意图；

图44为采用本申请所提供的方法形成包括缓冲层的柔性显示器的截面的第一种结构示意图；

图45为采用本申请所提供的方法形成包括缓冲层的柔性显示器的截面的第二种结构示意图。

具体实施方式

如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

第一方面，本申请提供了一种柔性显示器，图1为本申请所提供的柔性显示器的截面的第一种结构示意图，该柔性显示器100包括：

第一柔性基板10，薄膜晶体管30，薄膜晶体管30包括有源层31，有源层31位于第一柔性基板10的第一侧；

多个第二柔性基板20，第二柔性基板20位于有源层31与第一柔性基板10之间；

有源层31包括沟道区32，第二柔性基板20在第一柔性基板10所在平面的正投影至少覆盖沟道区32在第一柔性基板10所在平面的正投影；

第一柔性基板10的热膨胀系数小于第二柔性基板20的热膨胀系数。

图1所示实施例中，在第一柔性基板10和有源层31之间引入了第二柔性基板20，且第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，在高温环境下形成薄膜晶体管30等功能膜层的过程中，第一柔性基板10和第二柔性基板20都会相应膨胀，且第二柔性基板20的膨胀趋势要比第一柔性基板10的膨胀趋势更加明显；在成膜结束、温度从较高温度恢复至使用温度或室温后，相当于温度降低，第一柔性基板10和第二柔性基板20均有收缩的趋势，由于第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，第二柔性基板20的收缩趋势将大于第一柔性基板10的收缩趋势，因此在使用温度或室温条件下，第二柔性基板10将会对在其上设置的包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生一定的a-a向的压缩量，而由于第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，第二柔性基板20对包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生的压缩量将大于不设置第二柔性基板时第一柔性基板10对包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生的压缩量。在柔性显示器100受到与其功能膜层所受的压力方向不同的弯折力，即，使相关功能膜层具有拉伸趋势的弯折力，例如受到图1中b-b向的弯折力时，第二柔性基板20对薄膜晶体管30等多个膜层产生的a-a向的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力，而第二柔性基板20在第一柔性基板10所在平面的正投影至少覆盖沟道区32在第一柔性基板10所在平面的正投影，能够至少保证有源层31中的关键组成部分沟道区32具有较强的抗拉伸能力。因此，本申请通过引入第二柔性基板，增加了对包括有源层的沟道区在内的多个功能膜层产生的压缩量，提高了柔性显示器包括有源层的沟道区在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，可有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能。需要说明的是，本申请中第二柔性基板对包括有源层的沟道区在内的多个功能膜层产生的压缩量的大小并不会超过包括有源层的沟道区在内的多个功能膜层的抗压缩能力范围上限，采用本申请实施例所提供的技术方案后包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层仍能够满足抗压缩弯折要求。对于现有技术中的那些抗压而不抗拉的柔性显示器件可通过本申请实施例所提供的技术方案，提升相关功能层，例如薄膜晶体管膜层的抗拉伸能力，在具有抗压缩能力的同时提升其抗拉伸能力，进而提柔性显示器件的抗弯折能力。需要说明的是，图1所示实施例中第一柔性基板10上还可以设置层间绝缘层37。

可选地，图2为本申请所提供的柔性显示器的截面的第二种结构示意图。图2所示实施例中，第二柔性基板20在第一柔性基板10所在平面的正投影与有源层31在第一柔性基板10所在平面的正投影完全重叠。

具体地，如图2所示，将第二柔性基板20的大小设计的与有源层31的大小相同，在涂布完第一柔性基板10和第二柔性基板20的基材后，去除有源层31正下方以外区域的第二柔性基板的基材即可形成第二柔性基板20，通过有源层31的尺寸即可确定第二柔性基板20的尺寸，无需再通过其他方法来确认第二柔性基板的20的尺寸，此种方式有利于简化制程。另外，考虑到第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，将有源层31正下方以外区域的第二柔性基板20的基材去除，仅保留有源层31正下方的第二柔性基板20，使得在使用温度或室温下，第二柔性基板20在收缩过程中对设置在其上的例如薄膜晶体管30产生的a-a向压缩量达到最大，如此，在柔性显示器100受到与a-a向压缩量方向不同的弯折力时，a-a向的压缩量将会对该弯折力所产生的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能。而且，将第二柔性基板20在第一柔性基板10所在平面的正投影设计得与有源层31在第一柔性基板10所在平面的正投影完全重叠，在有效提升薄膜晶体30包括沟道区32在内的整体抗拉伸能力的同时，能够有效避免当采用较大面积的第二柔性基板20时，第二柔性基板20在使用温度或室温下收缩而导致出现边缘上翘的现象。

可选地，图3为本申请所提供的柔性显示器的第一种俯视图，该俯视图中示出了柔性显示器中3*3矩阵的一种俯视图，本申请中的柔性显示器100包括显示区和围绕显示区的非显示区，薄膜晶体管位于显示区内。在显示区内，参见图3，第一柔性基板(未示出)的第一侧设置有多条沿第一方向排列且沿第二方向延伸的栅极线41，多条沿第二方向排列且沿第一方向延伸的数据信号线42；第一方向与第二方向交叉，栅极线41与数据信号线42绝缘；设定相邻的两条栅极线41与相邻的两条数据信号线42之间限定的区域为像素区域43，薄膜晶体管位于像素区域43内，每个像素区域内可设置多个薄膜晶体管，图3中每个像素区域内设置有两个薄膜晶体管，分别是开关薄膜晶体管61和驱动薄膜晶体管62。

对于图3中每个像素区域43内薄膜晶体管的连接方式及具体构成请参见图4和图5，图4为本申请所提供的柔性显示器中一个像素区域的一种电路图，图5为本申请所提供的柔性显示器中一个像素区域的一种像素示意图。从图3、图4和图5所示实施例可看出，像素区域43由栅极线41和数据信号线42交叉界定，像素区域43内还包括与数据信号线42平行布置的电源线44，电源线44与数据信号线42绝缘，电源线44用于提供供电电压。每个像素区域43包括开关薄膜晶体管61、驱动薄膜晶体管62、存储电容c1和有机发光二极管o。开关薄膜晶体管61的栅极与栅极线41电连接，源极与数据信号线42电连接，漏极与驱动薄膜晶体管62的栅极电连接，驱动薄膜晶体管62的栅极与电源线44之间还设置有存储电容c1；驱动薄膜晶体管62的源极电连接电源线44，驱动薄膜晶体管62的漏极电连接有机发光二极管o中的像素电极71。电源线44将供电电压提供给有机发光二极管o。

图4和图5所示实施例中，当通过栅极线41施加的选通信号使开关薄膜晶体管61导通时，来自数据信号线42的数据信号被施加到驱动薄膜晶体管62的栅极和存储电容c1。当数据信号使驱动薄膜晶体管62导通时，电流从电源线44被供应给有机发光二极管o，使有机发光二极管o发光。在这种情况下，当驱动薄膜晶体管62导通时，从电源线44施加到有机发光二极管o的电流的电平被确定为使得有机发光二极管o可生成灰度的电平。存储电容c1用于在开关薄膜晶体管61截止时维持驱动薄膜晶体管62的栅极的电压。因此，即使开关薄膜晶体管61截止，也能维持从电源线44施加到有机发光二极管o的电流的电平直至下一帧。

图6为图5所示像素示意图的c-c剖面图，图7为图5所示像素示意图的d-d剖面图。从图6和图7所示实施例可看出，开关薄膜晶体管61和驱动薄膜晶体管62的沟道区32和32'在第一柔性基板10所在平面的正投影分别被两个第二柔性基板(分别为第二柔性基板205和第二柔性基板206)在第一柔性基板10所在平面的正投影覆盖。从图6和图7所示实施例可看出，开关薄膜晶体管61的源极36与数据信号线42电连接，开关薄膜晶体管61的漏极35与电容c1和驱动薄膜晶体管62的栅极33’电连接，驱动薄膜晶体管62的源极36’与电源线44电连接。

可选地，图8为本申请申请所提供的柔性显示器中一个像素区域的另一种像素示意图，从图8所示实施例可看出，本申请中位于同一个像素区域内的所有薄膜晶体管的沟道区32在第一柔性基板所在平面的正投影被同一个第二柔性基板20在第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。

具体地，位于同一个像素区域内的所有薄膜晶体管对应一个第二柔性基板20，这些薄膜晶体管的沟道区32在第一柔性基板所在平面的正投影不超出对应的第二柔性基板20在第一柔性基板所在平面的正投影所限定的范围。采用如此结构设计，使得位于同一个像素区域内的所有薄膜晶体管共用一个第二柔性基板，避免了为每个薄膜晶体管单独设计一个第二柔性基板时的繁琐工序，有利于简化柔性显示器的制程。

可选地，图9为本申请所提供的柔性显示器的第二种俯视图，图10为图9所示俯视图的e-e剖面图。从图9和图10所示实施例可看出，本申请所提供的柔性显示器中的显示区包括多个像素区域43，各像素区域43在显示区内呈阵列排布；在显示区内，同一列的薄膜晶体管的沟道区在第一柔性基板所在平面的正投影被同一个第二柔性基板201在第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖，参见图10。也就是说，位于同一列的所有薄膜晶体管共用一个第二柔性基板，例如图9中位于同一列的开关薄膜晶体管611、612和613的沟道区32、32'和32”共用同一个第二柔性基板201。同一列的所有薄膜晶体管共用一个第二柔性基板的方式，大大减小了柔性显示器中第二柔性基板的数量，无需为每个薄膜晶体管单独设置一个对应的第二柔性基板，简化了生产工艺，有利于减少柔性显示器生产过程中的制程，提高柔性显示器的生产效率。

图11为本申请所提供的柔性显示器的第三种俯视图，图12为图11所示俯视图的f-f剖面图。从图11和图12所示实施例可看出，在显示区内，同一行的薄膜晶体管的沟道区在第一柔性基板所在平面的正投影被同一个第二柔性基板在第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。也就是说，位于同一行的所有薄膜晶体管共用同一个第二柔性基板，例如图11中位于同一行的开关薄膜晶体管611、612和613的沟道区32、32'和32”共用同一个第二柔性基板202。同一行的所有薄膜晶体管共用一个第二柔性基板的方式，大大减小了柔性显示器中第二柔性基板的数量，无需为每个薄膜晶体管单独设置一个对应的第二柔性基板，简化了生产工艺，有利于减少柔性显示器生产过程中的制程，提高柔性显示器的生产效率。

图13为本申请所提供的柔性显示器的第四种俯视图，图14为图13所示俯视图的g-g剖面图，图15为图13所示俯视图的h-h剖面图。从图13-15所示实施例可看出，在显示区内，所有开关薄膜晶体管61和所有驱动薄膜晶体管62的沟道区32在第一柔性基板所在平面的正投影被同一个第二柔性基板203在第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。也就是说，显示区内的所有薄膜晶体管共用同一个第二柔性基板203，此种方式进一步减小了柔性显示器中第二柔性基板的数量，只需制作一个第二柔性基板203即可，无需为每个薄膜晶体管单独设置一个对应的第二柔性基板，大大简化了生产工艺，减少了柔性显示器的生产过程中的制程，大大提高了柔性显示器的生产效率。

可选地，图16为本申请所提供的柔性显示器的截面的第三种结构示意图，从图16所示实施例可看出，第一柔性基板10的第一侧设置有第一凹槽11，第二柔性基板20设置于第一凹槽11内。

具体地，如图16所示，在第一柔性基板10上设置第一凹槽11，将第二柔性基板20设置于第一凹槽11内，采用此种设计，将第二柔性基板20的形成过程限定在第一凹槽11内，无需考虑其他位置及尺寸的因素，节省工艺，还便于设置在其表面的其他膜层的形成。此外，在第一柔性基板10的凹槽11内设置第二柔性基板12，且第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，在高温环境下在第二柔性基板20表面形成薄膜晶体管等膜层的过程中，第一柔性基板10和第二柔性基板20都会相应膨胀，且第二柔性基板20的膨胀趋势要比第一柔性基板10的膨胀趋势更加明显；在成膜结束、温度从较高温度恢复至使用温度或室温后，相当于温度降低，第一柔性基板10和第二柔性基板20均有收缩的趋势，由于第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，第二柔性基板20的收缩趋势将大于第一柔性基板10的收缩趋势，因此在使用温度或室温条件下，第二柔性基板10将会对在其表面上设置的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生一定的a-a向的压缩量，由于第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，第二柔性基板20对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量将大于不设置第二柔性基板20时第一柔性基板10对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量。在柔性显示器100受到与其功能膜层所受的压力方向不同的弯折力即，使相关功能膜层具有拉伸趋势的弯折力，例如受到图16中b-b向的弯折力时，第二柔性基板20对薄膜晶体管30等多个膜层产生的a-a向的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力。因此，本申请通过引入第二柔性基板，增加了对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量，提高了柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，可有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力过大而发生损坏的可能。

可选地，参见图16，本申请中第二柔性基板20在垂直方向即第一基板10所在平面法线方向上的厚度h1等于第一凹槽11的深度，以使得第二柔性基板20的表面和第一柔性基板10的表面处于同一水平面，此种方式更加有利于在第二柔性基板20表面形成其他的膜层。需要说明的是，此处所说的第二柔性基板在垂直方向的厚度h1指的是在制作完成第一柔性基板和第二柔性基板后、尚未在第二柔性基板上形成包括薄膜晶体管在内的其他膜层时第二柔性基板在垂直方向的厚度。

可选地，请继续参见图16，本申请中第二柔性基板20在水平方向的宽度d1等于第一凹槽11的宽度。

具体地，将第二柔性基板20在水平方向的宽度设计的与第一凹槽11的宽度相等，即第二柔性基板20在水平方向上与第一凹槽11的垂直截面具有相同的宽度，在形成第二柔性基板20的过程中，无需考虑第二柔性基板20的具体宽度要求，只要按照第一凹槽11所限制的空间范围进行涂布即可，简化了制作工艺。需要说明的是，此处所说的第二柔性基板在水平方向的宽度d1指的是在制作完成第一柔性基板和第二柔性基板后、尚未在第二柔性基板上形成包括薄膜晶体管在内的其他膜层时第二柔性基板在水平方向的宽度。

可选地，如图16所示，第二柔性基板20在垂直方向即第一基板10所在平面法线方向上的厚度h1等于第一凹槽11的深度，第二柔性基板20在水平方向的宽度d1等于第一凹槽11的宽度即第二柔性基板20在水平方向上与第一凹槽11的垂直截面具有相同的宽度。需要说明的是，此处所说的第二柔性基板在垂直方向的厚度以及在水平方向的宽度指的是在制作完成第一柔性基板和第二柔性基板后、尚未在第二柔性基板上形成包括薄膜晶体管在内的其他膜层时第二柔性基板在垂直方向的厚度以及在水平方向的宽度。此种结构设计，使得第一凹槽11所限定的区域正好为第二柔性基板20所处的区域，在涂覆第二柔性基板20的过程中，只需在第一凹槽所限定的区域中形成第二柔性基板20即可，无需再考虑其他尺寸，简化了第二柔性基板20的制程，而且还能使得第二柔性基板20和第一柔性基板10共同形成了一个完整的平面，在一个完整的平面上形成其他膜层的方式有利于简化生产工艺，提高本申请柔性显示器100的生产效率。

可选地，本申请中第二柔性基板的热膨胀系数比第一柔性基板的热膨胀系数至少大5ppm/k。

具体地，在本申请中，第一柔性基板和第二柔性基板上包括薄膜晶体管中的有源层在内的等多个功能膜层在形成时会经历一个从“室温加热到高温，由高温冷却再到室温”的过程，其中，在从室温加热到高温时，第一柔性基板和第二柔性基板均会膨胀，而从较高温度冷却至室温时，第一柔性基板和第二柔性基板均会收缩。当设计第二柔性基板的热膨胀系数比第一柔性基板的热膨胀系数至少大5ppmk时，第二柔性基板的收缩趋势将会比第一柔性基板的收缩趋势更加明显，因此第二柔性基板对其上设置的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的收缩量将比不设置第二柔性基板时第一柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的收缩量更加明显。因此，当柔性显示器受到使其具有拉伸趋势的的弯折力时，薄膜晶体管等多个膜层上具有的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力。因此，本申请通过设计第二柔性基板的热膨胀系数比第一柔性基板的热膨胀系数至少大5ppmk，能够明显增加对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层所产生的压缩量，明显提高柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，同时可明显有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能。

可选地，本申请中第一柔性基板的热膨胀系数为cte1，1ppm/k≤cte1≤30ppm/k，第二柔性基板的热膨胀系数为cte2，10ppm/k≤cte2≤50ppm/k。

具体地，将第一柔性基板的热膨胀系数cte1和第二柔性基板的热膨胀系数cte2分别设置在1ppm/k≤cte1≤30ppm/k和10ppm/k≤cte2≤50ppm/k的范围内，同时保证第一柔性基板的热膨胀系数cte1小于第二柔性基板的热膨胀系数cte2。在高温环境下在第二柔性基板表面形成薄膜晶体管等膜层的过程中，第一柔性基板和第二柔性基板都会相应膨胀，且第二柔性基板的膨胀趋势要比第一柔性基板的膨胀趋势更加明显；在成膜结束、温度从较高温度恢复至使用温度或室温后，相当于温度降低，第一柔性基板和第二柔性基板均有收缩的趋势，由于第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，第二柔性基板的收缩趋势将大于第一柔性基板的收缩趋势，因此在使用温度或室温条件下，第二柔性基板将会对在其表面上设置的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生一定的压缩量，由于第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，第二柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量将大于不设置第二柔性基板时第一柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量。在柔性显示器受到与其功能膜层所受的压力方向不同的弯折力即使相关功能膜层具有拉伸趋势的弯折力时，第二柔性基板对薄膜晶体管等多个膜层产生的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力。因此，将第一柔性基板和第二柔性基板的热膨胀系数设定在上述范围并保证第一柔性基板的热膨胀系数小于第二柔性基板的热膨胀系数时，热膨胀系数较大的第二柔性基板增加了对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量，提高了柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，可有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力过大而发生损坏的可能。

可选地，本申请中第一柔性基板可包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯等有机物。采用上述材料制成本申请的第一柔性基板，这些材料的热膨胀系数相比常规的有机材料均较低，而且均具有耐高温的特性，更加适合于制作柔性显示器，而且还能够满足本申请对第一柔性基板热膨胀系数的要求，有利于提高本申请柔性显示器的抗弯折能力。

可选地，本申请中的第二柔性基板可包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯等有机物。采用上述材料制成本申请的第二柔性基板，能够满足本申请对第二柔性基板的热膨胀系数的要求，有利于提高本申请柔性显示器的抗弯折能力。

可选地，图17为本申请所提供的柔性显示器包括缓冲层时的截面的第一种结构示意图，图18为本申请所提供的柔性显示器包括缓冲层时的截面的第二种结构示意图，从图17和图18所示实施例可看出，柔性显示器100还包括缓冲层70，缓冲层70位于沟道区32与第二柔性基板20之间；缓冲层70的热膨胀系数小于第二柔性基板20的热膨胀系数。图17和图18所示实施例中，在沟道区32和第二柔性基板20之间引入了缓冲层70，一方面，缓冲层70起到了隔热的作用，避免在高温形成薄膜晶体管30等其他功能膜层时对第二柔性基板20和/或第一柔性基板10造成不可修复的损伤；另一方面，由于缓冲层70的热膨胀系数小于与其紧邻的第二柔性基板20的热膨胀系数，从较高温度形成薄膜晶体管30等功能膜层的过程恢复到室温的过程中，缓冲层70和第二柔性基板20都有收缩的趋势，而且缓冲层70的收缩趋势小于第二柔性基板20的收缩趋势，又由于缓冲层70位于沟道区32和第二柔性基板20之间，收缩趋势较小的缓冲层70减弱了第二柔性基板20对包括薄膜晶体管30在内的其他功能膜层的压缩量，因此，该缓冲层70的引入，避免了第二柔性基板20对包括薄膜晶体管30在内的其他功能膜层产生的压缩量超过这些功能膜层的抗压缩能力范围，以确保这些功能膜层不会因为受到过大的收缩压力而发生损坏现象，同时还能确保第二柔性基板20对这些功能膜层产生的压缩量大于不设置第二柔性基板20时第一柔性基板10对这些功能膜层产生的收缩量，即在提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能性的同时，确保包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层不会因为受到过大的收缩压力而发生损坏现象。

可选地，图17和图18所示实施例中，缓冲层70在第一柔性基板10所在平面的正向投影与第二柔性基板20在第一柔性基板10所在平面的正投影完全重叠。

具体地，缓冲层70的尺寸与第二柔性基板20的尺寸完全相同，采用此种设计，可以在涂覆完第二柔性基板20和缓冲层70之后，将二者进行统一刻蚀成相应的尺寸即可，无需单独对第二柔性基板20和缓冲层70进行分别刻蚀，因此，同样能够简化本申请柔性显示器的制程。

可选地，本申请中缓冲层的热膨胀系数为cte3，0.5ppm/k≤cte3≤10ppm/k。

具体地，将缓冲层的热膨胀系数设为0.5ppm/k≤cte3≤10ppm/k时，同时保证缓冲层的热膨胀系数小于第二柔性基板的热膨胀系数。缓冲层的热膨胀系数小于与其紧邻的第二柔性基板的热膨胀系数，从较高温度形成薄膜晶体管等功能膜层的过程恢复到室温的过程中，缓冲层和第二柔性基板都有收缩的趋势，且缓冲层的收缩趋势小于第二柔性基板的收缩趋势，而由于缓冲层位于第二柔性基板与沟道区之间，收缩趋势较小的缓冲层将会在一定程度上减弱第二柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的压缩量，避免了第二柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量超过这些功能膜层的抗压缩能力范围，以确保这些功能膜层不会因为受到过大的收缩压力而发生损坏现象，同时，当将缓冲层的热膨胀系数取为上述范围时，还能确保第二柔性基板对上述功能膜层产生的压缩量大于不设置第二柔性基板时第一柔性基板对这些功能膜层产生的收缩量，即，在提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能性的同时，确保包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层不会因为受到过大的收缩压力而发生损坏现象。

可选地，本申请中的缓冲层包括siox和/或sinx等无机膜。采用这些无机膜材料构成的缓冲层，能够有效阻挡第一柔性基板和第二柔性基板的构成材料(例如分子、原子等)扩散到形成于缓冲层之上的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层中，避免对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的正常工作造成影响，而且还能够满足本申请对缓冲层热膨胀系数的要求，有利于提高本申请柔性显示器的抗弯折能力。

可选地，图1、图2所示实施例中，薄膜晶体管还包括栅极33，栅极33与有源层31绝缘；栅极位于有源层31远离第一柔性基板10的一侧，形成顶栅结构，薄膜晶体管的栅极采用此种结构，更易于设计并具有较长的使用寿命。

可选地，图19为本申请所提供的柔性显示器的截面的第四种结构示意图，图19所示实施例中，薄膜晶体管的栅极34可位于有源层31靠近第一柔性基板10的一侧，形成底栅结构，薄膜晶体管的栅极采用此种结构能够达到密封的高稳定性和制造工序的高度灵活性。

可选地，本申请中的柔性显示器为oled(organiclight-emittingdiode)显示器，即有机发光二极管显示器。oled显示器具有自发光、轻薄、可视角度大、节能以及应用范围广的特点。

进一步地，本申请中的柔性显示器还包括多个有机发光单元，图20为本申请所提供的柔性显示器包括有机发光单元的一种结构示意图，该图中的晶体管为驱动薄膜晶体管62，从该图所提供的实施例可看出，每个有机发光单元包括由上至下依次设置的阴极层81、有机发光材料层82和阳极层83；本申请中驱动薄膜晶体管62的漏极35'与阳极层83电连接。本申请中的驱动薄膜晶体管62导通后，在通过电源线所提供的外加电压的驱动下，空穴和电子分别从阳极层83和阴极层81注入到有机发光材料层82中，空穴和电子在有机发光材料层82中相遇、复合，释放出能量，然后将能量传递给有机发光材料中有机发光物质的分子，使其从基态跃迁到激发态。激发态很不稳定，受激分子从激发态回到基态，辐射跃迁产生发光现象，基于此发光现象，可借由有机发光二极管实现画面的显示。

可选地，第一柔性基板的热膨胀系数cte1＝5ppm/k，第二柔性基板的热膨胀系数cte2＝15ppm/k，缓冲层的热膨胀系数cte3＝3ppm/k。

可选地，第一柔性基板的厚度为10um，第二柔性基板的厚度为5um，缓冲层的厚度为1um。

可选地，第一柔性基板的厚度为10um，第二柔性基板的厚度为10um，缓冲层的厚度为1um。

具体地，本申请提供以下两组柔性显示器的仿真试验情况，对应仿真参数如下：

第一柔性基板：cte1＝5ppm/k，杨氏模量为7gpa，烘烤温度为475℃。

第二柔性基板：cte2＝15ppm/k，杨氏模量为7gpa，烘烤温度为475℃。

缓冲层：cte3＝3ppm/k，杨氏模量为120gpa，烘烤温度为400℃。

柔性显示器的实际使用温度为20℃。

第一组试验中，第一柔性基板的厚度为10um，第二柔性基板的厚度为5um，缓冲层的厚度为1um；

第二组试验中，第一柔性基板的厚度为10um，第二柔性基板的厚度为10um，缓冲层的厚度为1um；

第一组试验和第二组试验的区别在于第二柔性基板的厚度不同，第一组试验中第二柔性基板的厚度较小，第二组试验中第二柔性基板的厚度较大。

通过仿真试验发现，从在较高温度中形成设置在第二柔性基板之上的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的过程到降温至实际使用环境温度或室温时，第一组试验和第二组试验中，相较于不设置第二柔性基板时第一柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层功能膜层产生的收缩量，第二柔性基板对于设置在其上的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量均有所增加，而且第二组试验中第二柔性基板对其上的功能膜层产生的压缩量的大小比第一组试验中第二柔性基板对其上的功能膜层所产生的压缩量要更加明显。因此，上述仿真试验初步表明，第二柔性基板对设置在其上的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层所产生的压缩量的大小与第二柔性基板的厚度还有关系，厚度越大，所产生的压缩量越大，对提高柔性显示器弯折能力的作用更加明显，因此，在不影响柔性显示器整体厚度以及不超过设置在第二柔性基板上包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗压缩能力范围的情况下，可通过适当增加第二柔性基板的厚度来提升柔性显示器的抗弯折能力。

第二方面，图21为本申请所提供的柔性显示器的形成方法的一种流程图，本申请还提供一种上述实施例中柔性显示器的形成方法，参见图21，该方法包括：

步骤101、采用打印或者涂覆的方式形成第一柔性基板10，图22为本申请涂覆形成的第一柔性基板的截面的一种结构示意图；

步骤102、在第一柔性基板10上采用打印或黄光微影制程形成第二柔性基板20，第一柔性基板10的热膨胀系数小于第二柔性基板20的热膨胀系数，图23为本申请在第一柔性基板上形成第二柔性基板的截面的一种结构示意图；

步骤103、在第二柔性基板20上形成薄膜晶体管30，图24为本申请在第二柔性基板上形成薄膜晶体管的截面的第一种结构示意图，从图24可看出，薄膜晶体管30包括有源层31，有源层31包括沟道区32，沟道区32在第一柔性基板10所在平面的正投影被第二柔性基板20在第一柔性基板10所在平面的正投影覆盖。

采用上述方法形成的柔性显示器100中，在第一柔性基板10和有源层31之间引入了第二柔性基板20，且第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，在高温环境下形成薄膜晶体管30等膜层的过程中，第一柔性基板10和第二柔性基板20都会相应膨胀，且第二柔性基板20的膨胀趋势要比第一柔性基板10的膨胀趋势更加明显；在成膜结束、环境温度从较高温度恢复至使用温度或室温后，相当于温度降低，第一柔性基板10和第二柔性基板20均有收缩的趋势，由于第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，第二柔性基板20的收缩趋势将大于第一柔性基板10的收缩趋势，因此在使用温度或室温条件下，第二柔性基板10将会对在其上设置的包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生一定的a-a向的压缩量，由于第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，第二柔性基板20对包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生的压缩量将大于不设置第二柔性基板时第一柔性基板10对包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生的压缩量。在柔性显示器100受到与其功能膜层所受的压力方向不同的弯折力即，使相关功能膜层具有拉伸趋势的弯折力，例如受到图24中b-b向的弯折力时，第二柔性基板20对薄膜晶体管30等多个膜层产生的a-a向的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力，而第二柔性基板20在第一柔性基板10所在平面的正投影至少覆盖沟道区32在第一柔性基板10所在平面的正投影，能够至少保证有源层31中的关键组成部分沟道区32具有较强的抗拉伸能力。因此，本申请通过引入第二柔性基板，增加了对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量，提高了柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，可有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能。需要说明的是，本申请中第二柔性基板20对包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生的压缩量的大小并不会超过包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层的抗压缩能力范围上限，采用本申请实施例所提供的技术方案后包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层仍能够满足抗压缩弯折要求。对于现有技术中的那些抗压而不抗拉的柔性显示器件可通过本申请实施例所提供的技术方案，提升相关功能层例如薄膜晶体管膜层的抗拉伸能力，在具有抗压缩能力的同时提升其抗拉伸能力，进而提柔性显示器件的抗弯折能力。

可选地，图25为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器的截面的第二种结构示意图。图25所示实施例中，在第二柔性基板上形成的薄膜晶体管的有源层在第一柔性基板所在平面的正投影与第二柔性基板在第一柔性基板所在平面的正投影完全重叠。

具体地，如图25所示，将第二柔性基板20的大小设计的与有源层31的大小相同，在涂布完第一柔性基板和第二柔性基板的基材后，去除有源层31正下方以外区域的第二柔性基板的基材即可形成第二柔性基板20，通过有源层31的尺寸即可确定第二柔性基板20的尺寸，无需再通过其他方法来确认第二柔性基板的20的尺寸，此种方式有利于简化制程。另外，考虑到第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，将有源层31正下方以外区域的第二柔性基板20的基材去除，仅保留有源层31正下方的第二柔性基板20，使得在使用温度或室温下，第二柔性基板20在收缩过程中对其上的包括薄膜晶体管30在内的各功能膜层产生的a-a向压缩量达到最大，如此，在柔性显示器100受到与a-a向压缩量方向不同的弯折力时，a-a向的压缩量将会对该弯折力所产生的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能。而且，将第二柔性基板20在第一柔性基板10所在平面的正投影设计得与有源层31在第一柔性基板10所在平面的正投影完全重叠，在有效提升薄膜晶体30包括沟道区32在内的整体抗拉伸能力的同时，能够有效避免采用较大面积的第二柔性基板20时第二柔性基板20在使用温度下收缩而导致出现边缘上翘的现象。

可选地，如图26所示，图26为本申请所提供的柔性显示器的形成方法中在第一柔性基板上形成栅极线的示意图，本申请所提供的柔性显示器的形成方法中，在形成薄膜晶体管前，在第一柔性基板10上还形成有多条沿第一方向排列且沿第二方向延伸的栅极线41，；在形成薄膜晶体管后，在第一柔性基板上还形成有多条沿第二方向排列且沿第一方向延伸的数据信号线(图中未示出)；第一方向与第二方向交叉，栅极线41与数据信号线绝缘。如图27所示，图27为本申请所提供的柔性显示器的形成方法中在第一柔性基板上形成薄膜晶体管和数据信号线的3*3矩阵的第一种俯视图，设定相邻的两条栅极线41与相邻的两条数据信号线42之间限定的区域为像素区域43，薄膜晶体管位于像素区域内，像素区域内设置有多个薄膜晶体管，例如图27所示的薄膜晶体管61和62。

对于每个像素区域43内薄膜晶体管的连接方式及具体构成请参见图28和图29，图28为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器中一个像素区域的一种电路图，图29为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器中一个像素区域的一种像素示意图。从图27、图28和图29所示实施例可看出，像素区域43由栅极线41和数据信号线42交叉界定，像素区域43内还包括与数据信号线42平行布置的电源线44，电源线44与数据信号线42绝缘，电源线44用于提供供电电压。每个像素区域43包括开关薄膜晶体管61、驱动薄膜晶体管62、存储电容c1和有机发光二极管o。开关薄膜晶体管61的栅极与栅极线41电连接，源极与数据信号线42电连接，漏极与驱动薄膜晶体管62的栅极电连接，驱动薄膜晶体管62的栅极与电源线之间还设置有存储电容c1；驱动薄膜晶体管62的源极电连接电源线44，驱动薄膜晶体管62的漏极连接有机发光二极管o中的像素电极71。电源线44将供电电压提供给有机发光二极管o。

图28和图29所示实施例中，当通过栅极线41施加的选通信号使开关薄膜晶体管61导通时，来自数据信号线42的数据信号被施加到驱动薄膜晶体管62的栅极和存储电容c1。当数据信号使驱动薄膜晶体管62导通时，电流从电源线44被供应给有机发光二极管o，使有机发光二极管o发光。在这种情况下，当驱动薄膜晶体管62导通时，从电源线44施加到有机发光二极管o的电流的电平被确定为使得有机发光二极管o可生成灰度的电平。存储电容c1用于在开关薄膜晶体管61截止时维持驱动薄膜晶体管62的栅极的电压。因此，即使开关薄膜晶体管61截止，也维持从电源线44施加到有机发光二极管o的电流的电平直至下一帧。

图30为图29所示像素示意图的c-c剖面图，图31为图29所示像素示意图的d-d剖面图。从图30和图31所示实施例可看出，开关薄膜晶体管61的沟道区32和驱动薄膜晶体管62的沟道区32'在第一柔性基板10所在平面的正投影分别被两个第二柔性基板(分别为第二柔性基板205和第二柔性基板206)在第一柔性基板10所在平面的正投影覆盖。

可选地，图32为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器中一个像素区域的另一种像素示意图。从图32所示实施例可看出，在第一柔性基板上同一个像素区域内形成的所有薄膜晶体管的沟道区32在第一柔性基板所在平面的正投影被同一个第二柔性基板在第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。

具体地，位于同一个像素区域内的所有薄膜晶体管对应一个第二柔性基板，这些薄膜晶体管的沟道区32在第一柔性基板所在平面的正投影不超出对应的第二柔性基板20在第一柔性基板所在平面的正投影所限定的范围。采用如此结构设计，使得位于同一个像素区域内的所有薄膜晶体管共用一个第二柔性基板，避免了为每个薄膜晶体管单独设计一个第二柔性基板时的繁琐工序，有利于简化柔性显示器的制程。

可选地，图33为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器的3*3矩阵的第二种俯视图，图34为图33所示俯视图的e-e剖面图。从图33和图34所示实施例可看出，采用本申请所提供的方法在第一柔性基板上(图中未示出)形成有多个像素区域43，像素区域43呈阵列排布；在第一柔性基板上，同一列的薄膜晶体管的沟道区在第一柔性基板所在平面的正投影被同一个第二柔性基板201在第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖，参见图34。也就是说，位于同一列的所有薄膜晶体管的沟道区共用一个第二柔性基板，例如图33中位于同一列的开关薄膜晶体管611、612和613的沟道区32、32'和32”共用同一个第二柔性基板201。同一列的所有薄膜晶体管共用一个第二柔性基板的方式，大大减小了柔性显示器中第二柔性基板的数量，无需为每个薄膜晶体管单独设置一个对应的第二柔性基板，简化了生产工艺，有利于减少柔性显示器生产过程中的制程，提高柔性显示器的生产效率。

可选地，图35为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器的3*3矩阵的第三种俯视图，图36为图35所示俯视图的f-f剖面图。从图35和图36所示实施例可看出，在第一柔性基板(图中未示出)上，同一行的薄膜晶体管的沟道区在第一柔性基板所在平面的正投影被同一个第二柔性基板202在第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖，参见图35。也就是说，位于同一行的所有薄膜晶体管的沟道区共用一个第二柔性基板，例如图35中位于同一行的开关薄膜晶体管611、612和613的沟道区32、32'和32”共用同一个第二柔性基板202。同一行的所有薄膜晶体管共用一个第二柔性基板的方式，大大减小了柔性显示器中第二柔性基板的数量，无需为每个薄膜晶体管单独设置一个对应的第二柔性基板，简化了生产工艺，有利于减少柔性显示器生产过程中的制程，提高柔性显示器的生产效率。

可选地，图37为采用本申请所提供的方法形成的柔性显示器的3*3矩阵的第四种俯视图，图38为图37所示俯视图的g-g剖面图，图39为图37所示俯视图的h-h剖面图。从图37-39所示实施例可看出，在第一柔性基板(图中未示出)上，所有开关薄膜晶体管61和所有驱动薄膜晶体管62的沟道区32在第一柔性基板所在平面的正投影被同一个第二柔性基板203在第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。也就是说，显示区内的所有薄膜晶体管共用同一个第二柔性基板203，此种方式进一步减小了柔性显示器中第二柔性基板的数量，只需制作一个第二柔性基板203即可，无需为每个薄膜晶体管单独设置一个对应的第二柔性基板，大大简化了生产工艺，减少了柔性显示器的生产过程中的制程，大大提高了柔性显示器的生产效率。

可选地，本申请所提供的柔性显示器的形成方法中，在采用打印或黄光微影制程形成第二柔性基板之前，在第一柔性基板上通过刻蚀形成有第一凹槽，参见图40，图40为本申请所提供的方法中在第一柔性基板上形成第一凹槽的结构示意图，第二柔性基板20形成于第一凹槽11内，参见图41，图41为本申请所提供的方法中在第一凹槽中形成第二柔性基板的结构示意图。图42为采用本申请所提供的方法所形成的柔性显示器的截面的第三种结构示意图。图40-42所示实施例中，在第一柔性基板10上设置第一凹槽11，将第二柔性基板20设置于第一凹槽11内，采用此种设计，将第二柔性基板20的形成过程限定在第一凹槽11内，无需考虑其他位置及尺寸的因素，节省工艺，还便于设置在其表面的其他膜层的形成。此外，在第一柔性基板10的凹槽11内设置第二柔性基板12，且第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，在高温环境下在第二柔性基板20表面形成薄膜晶体管30膜层的过程中，第一柔性基板10和第二柔性基板20都会相应膨胀，且第二柔性基板20的膨胀趋势要比第一柔性基板10的膨胀趋势更加明显；在成膜结束、温度从较高温度恢复至使用温度或室温后，相当于温度降低，第一柔性基板10和第二柔性基板20均有收缩的趋势，由于第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，第二柔性基板20的收缩趋势将大于第一柔性基板10的收缩趋势，因此在使用温度或室温条件下，第二柔性基板10将会对在其表面上设置的包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生一定的a-a向的压缩量，由于第二柔性基板20的热膨胀系数大于第一柔性基板10的热膨胀系数，第二柔性基板20对包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生的压缩量将大于不设置第二柔性基板20时第一柔性基板10对包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生的压缩量。在柔性显示器100受到与其功能膜层所受的压力方向不同的弯折力即使相关功能膜层具有拉伸趋势的弯折力，例如受到图42中b-b向的弯折力时，第二柔性基板20对薄膜晶体管30等多个膜层产生的a-a向的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力。因此，本申请通过引入第二柔性基板，增加了对包括薄膜晶体管30在内的多个功能膜层产生的压缩量，提高了柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，可有效降低柔性显示器100上的薄膜晶体管30在内的多个功能膜层由于外界弯折力过大而发生损坏的可能。。

可选地，图43为采用本申请所提供的方法形成的第一柔性基板的第一凹槽和第二柔性基板的尺寸示意图。从图43可看出，本申请所提供的柔性显示器的形成方法中，在第一凹槽11内采用打印或黄光微影制程形成的第二柔性基板20在垂直方向即第一基板10所在平面法线方向上的厚度h1等于第一凹槽11的深度h2。以使得第二柔性基板20的表面和第一柔性基板10的表面处于同一水平面，此种方式更加有利于在第二柔性基板20表面形成其他的膜层。需要说明的是，此处所说的第二柔性基板在垂直方向的厚度h1指的是在制作完成第一柔性基板10和第二柔性基板20后、尚未在第二柔性基板20上形成包括薄膜晶体管在内的其他膜层时第二柔性基板在垂直方向的厚度。

可选地，继续参见图43，在第一凹11内采用打印或黄光微影制程形成的第二柔性基板20在水平方向的宽度d1等于第一凹槽11的宽度d2。将第二柔性基板20在水平方向的宽度设计的与第一凹槽11的宽度相等，即第二柔性基板20在水平方向上与第一凹槽11的垂直截面具有相同的宽度，在形成第二柔性基板20的过程中，无需考虑第二柔性基板20的具体宽度要求，只要按照第一凹槽11所限制的空间范围进行涂布即可，简化了制作工艺。需要说明的是，此处所说的第二柔性基板在水平方向的宽度d1指的是在制作完成第一柔性基板10和第二柔性基板20后、尚未在第二柔性基板20上形成包括薄膜晶体管在内的其他膜层时第二柔性基板在水平方向的宽度。

图43所示实施例中，第二柔性基板20在垂直方向即第一基板10所在平面法线方向上的厚度h1等于第一凹槽11的深度h2，第二柔性基板20在水平方向的宽度d1等于第一凹槽11的宽度d2即第二柔性基板20在水平方向上与第一凹槽11的垂直截面具有相同的宽度。需要说明的是，此处所说的第二柔性基板20在垂直方向的厚度以及在水平方向的宽度指的是在制作完成第一柔性基板10和第二柔性基板20后、尚未在第二柔性基板20上形成包括薄膜晶体管在内的其他膜层时第二柔性基板在垂直方向的厚度以及在水平方向的宽度。此种结构设计，使得第一凹槽11所限定的区域正好为第二柔性基板20所处的区域，在涂覆第二柔性基板20的过程中，只需在第一凹槽所限定的区域中形成第二柔性基板20即可，无需再考虑其他尺寸，简化了第二柔性基板20的制程，而且还能使得第二柔性基板20和第一柔性基板10共同形成了一个完整的平面，在一个完整的平面上形成其他膜层的方式有利于简化生产工艺，提高本申请柔性显示器100的生产效率。

可选地，本申请所提供的柔性显示器的形成方法中，在第一柔性基板上采用打印或黄光微影制程形成的第二柔性基板的热膨胀系数比采用打印或者涂覆的方式形成的第一柔性基板的热膨胀系数至少大5ppm/k。

具体地，在本申请中，第一柔性基板和第二柔性基板上包括薄膜晶体管中有源层在内的等多个功能膜层在形成时会经历一个从“室温加热到高温，由高温冷却再到室温”的过程，其中，在从室温加热到高温时，第一柔性基板和第二柔性基板均会膨胀，而从较高温度冷却至室温时，第一柔性基板和第二柔性基板均会收缩。当设计第二柔性基板的热膨胀系数比第一柔性基板的热膨胀系数至少大5ppmk时，第二柔性基板的收缩趋势将会比第一柔性基板的收缩趋势更加明显，因此第二柔性基板对其上设置的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的收缩量将比不设置第二柔性基板时第一柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的收缩量更加明显。因此，当柔性显示器受到使其具有拉伸趋势的弯折力时，薄膜晶体管等多个膜层上具有的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力。因此，本申请通过设计第二柔性基板的热膨胀系数比第一柔性基板的热膨胀系数至少大5ppmk，能够明显增加对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层所产生的压缩量，明显提高柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，同时可明显有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能。

可选地，本申请所提供的柔性显示器的形成方法中，采用打印或者涂覆的方式形成的第一柔性基板的热膨胀系数为cte1，1ppm/k≤cte1≤30ppm/k，在第一柔性基板上采用打印或黄光微影制程形成的第二柔性基板的热膨胀系数为cte2，10ppm/k≤cte2≤50ppm/k。

具体地，将第一柔性基板的热膨胀系数cte1和第二柔性基板的热膨胀系数cte2分别设置在1ppm/k≤cte1≤30ppm/k和10ppm/k≤cte2≤50ppm/k的范围内，同时保证第一柔性基板的热膨胀系数cte1小于第二柔性基板的热膨胀系数cte2。在高温环境下在第二柔性基板表面形成薄膜晶体管等膜层的过程中，第一柔性基板和第二柔性基板都会相应膨胀，且第二柔性基板的膨胀趋势要比第一柔性基板的膨胀趋势更加明显；在成膜结束、温度从较高温度恢复至使用温度或室温后，相当于温度降低，第一柔性基板和第二柔性基板均有收缩的趋势，由于第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，第二柔性基板的收缩趋势将大于第一柔性基板的收缩趋势，因此在使用温度或室温条件下，第二柔性基板将会对在其表面上设置的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生一定的压缩量，由于第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，第二柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量将大于不设置第二柔性基板时第一柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量。在柔性显示器受到与其功能膜层所受的压力方向不同的弯折力即使相关功能膜层具有拉伸趋势的弯折力时，第二柔性基板对薄膜晶体管等多个膜层产生的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力。因此，将第一柔性基板和第二柔性基板的热膨胀系数设定在上述范围并保证第一柔性基板的热膨胀系数小于第二柔性基板的热膨胀系数时，热膨胀系数较大的第二柔性基板增加了对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量，提高了柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，可有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力过大而发生损坏的可能。

进一步地，本申请采用打印或者涂覆的方式形成的第一柔性基板包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯等有机物。采用上述材料制成本申请的第一柔性基板，这些材料的热膨胀系数相比常规的有机材料均较低，而且均具有耐高温的特性，更加适合于制作柔性显示器，而且还能够满足本申请对第一柔性基板热膨胀系数的要求，有利于提高本申请柔性显示器的抗弯折能力。

在第一柔性基板上采用打印或黄光微影制程形成的第二柔性基板包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯等有机物。采用上述材料制成本申请的第二柔性基板，能够满足本申请对第二柔性基板的热膨胀系数的要求，有利于提高本申请柔性显示器的抗弯折能力。

可选地，图44为采用本申请所提供的方法形成包括缓冲层的柔性显示器的截面的第一种结构示意图，图45为采用本申请所提供的方法形成包括缓冲层的柔性显示器的截面的第二种结构示意图；参见图44和图45，本申请所提供的柔性显示器的形成方法中，在第二柔性基板20上形成薄膜晶体管30之前，在第二柔性基板20上形成缓冲层70，缓冲层70位于沟道区32与第二柔性基板20之间；缓冲层70的热膨胀系数小于第二柔性基板20的热膨胀系数。图44和图45所示实施例中，在沟道区32和第二柔性基板20之间引入了缓冲层70，一方面，缓冲层70起到了隔热的作用，避免在高温形成薄膜晶体管30等其他功能膜层时对第二柔性基板20和/或第一柔性基板10造成不可修复的损伤；另一方面，由于缓冲层70的热膨胀系数小于与其紧邻的第二柔性基板20的热膨胀系数，从较高温度形成薄膜晶体管30等功能膜层的过程恢复到室温的过程中，缓冲层70和第二柔性基板20都有收缩的趋势，而且缓冲层70的收缩趋势小于第二柔性基板20的收缩趋势，又由于缓冲层70位于沟道区32和第二柔性基板20之间，收缩趋势较小的缓冲层70减弱了第二柔性基板20对包括薄膜晶体管30在内的其他功能膜层的压缩量，因此，该缓冲层70的引入，避免了第二柔性基板20对包括薄膜晶体管30在内的其他功能膜层产生的压缩量超过这些功能膜层的抗压缩能力范围，以确保这些功能膜层不会因为受到过大的收缩压力而发生损坏现象，同时还能确保第二柔性基板20对这些功能膜层产生的压缩量大于不设置第二柔性基板20时第一柔性基板10对这些功能膜层产生的收缩量，即在提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能性的同时，确保包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层不会因为受到过大的收缩压力而发生损坏现象。

可选地，继续参见图44和图45，本申请所提供的柔性显示器的形成方法中，在第二柔性基板20上形成的缓冲层70在第一柔性基板10所在平面的正投影与第二柔性基板20在第一柔性基板10所在平面的正投影完全重叠。

具体地，缓冲层70的尺寸与第二柔性基板20的尺寸完全相同，采用此种设计，在涂覆完第二柔性基板20和缓冲层70之后，将二者进行统一刻蚀成相应的尺寸即可，无需单独对第二柔性基板20和缓冲层70进行分别刻蚀，因此，同样能够简化本申请柔性显示器的制程。

可选地，本申请所提供的柔性显示器的形成方法中，在第二柔性基板上形成的缓冲层的热膨胀系数为cte3，0.5ppm/k≤cte3≤10ppm/k。

具体地，当将缓冲层的热膨胀系数设为0.5ppm/k≤cte3≤10ppm/k时，同时保证缓冲层的热膨胀系数小于第二柔性基板的热膨胀系数。由于缓冲层的热膨胀系数小于与其紧邻的第二柔性基板的热膨胀系数，从较高温度形成薄膜晶体管等功能膜层的过程恢复到室温的过程中，缓冲层和第二柔性基板都有收缩的趋势，且在室温或使用温度下，缓冲层的收缩趋势小于第二柔性基板的收缩趋势，由于缓冲层位于第二柔性基板与沟道区之间，收缩趋势较小的缓冲层将会在一定程度上减弱第二柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的压缩量，避免了第二柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量超过这些功能膜层的抗压缩能力范围，以确保这些功能膜层不会因为受到过大的收缩压力而发生损坏现象，同时，当将缓冲层的热膨胀系数取为上述范围时，还能确保第二柔性基板对上述功能膜层产生的压缩量大于不设置第二柔性基板时第一柔性基板对这些功能膜层产生的收缩量，即，在提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能性的同时，确保包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层不会因为受到过大的收缩压力而发生损坏现象。

可选地，本申请所提供的柔性显示器的形成方法中，在第二柔性基板上形成的缓冲层包括siox和/或sinx等无机膜。采用这些无机膜材料构成的缓冲层，能够有效阻挡第一柔性基板和第二柔性基板的构成材料(例如分子、原子等)扩散到形成于缓冲层之上的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层中，避免对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的正常工作造成影响，而且还能够满足本申请对缓冲层热膨胀系数的要求，有利于提高本申请柔性显示器的抗弯折能力。

通过以上各实施例可知，本申请存在的有益效果是：

本申请所提供的柔性显示器及其形成方法中，在第一柔性基板和有源层之间引入了第二柔性基板，且第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，在高温环境下形成薄膜晶体管等功能膜层的过程中，第一柔性基板和第二柔性基板都会相应膨胀，且第二柔性基板的膨胀趋势要比第一柔性基板的膨胀趋势更加明显；在成膜结束、温度从较高温度恢复至使用温度或室温后，相当于温度降低，第一柔性基板和第二柔性基板均有收缩的趋势，由于第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，第二柔性基板的收缩趋势将大于第一柔性基板的收缩趋势，因此在使用温度或室温条件下，第二柔性基板将会对在其上设置的包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生一定的压缩量，而由于第二柔性基板的热膨胀系数大于第一柔性基板的热膨胀系数，第二柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量将大于不设置第二柔性基板时第一柔性基板对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层产生的压缩量。在柔性显示器受到与其功能膜层所受的压力方向不同的弯折力即使相关功能膜层具有拉伸趋势的弯折力时，薄膜晶体管等多个膜层上具有的压缩量将会对其相应的拉伸趋势进行抵消，从而提高柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力。因此，本申请通过引入第二柔性基板，增加了对包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层所产生的压缩量，提高了柔性显示器包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层的抗拉伸能力亦即抗弯折能力，可有效降低柔性显示器中包括薄膜晶体管在内的多个功能膜层由于外界弯折力(例如拉力)过大而发生损坏的可能。

上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。