开关元件的制作方法

本说明书所公开的技术涉及一种开关元件。

背景技术：

在专利文献1中公开了一种具有半导体基板的开关元件，所述半导体基板的上表面通过焊锡而与散热块连接。

此外，专利文献2中公开了一种具有在半导体基板的上表面上以网眼状延伸的沟槽的开关元件。沟槽的内表面被栅绝缘膜覆盖。在沟槽内配置有栅电极。层间绝缘膜对半导体基板的上表面与栅电极进行覆盖。在半导体基板中的被沟槽包围的各个部分(以下称为单元区)的上部，于层间绝缘膜上设置有接触孔。上部电极对层间绝缘膜进行覆盖，并且在接触孔内与半导体基板相接。各个单元区具有第一导电型(在此为n型)的第一区域(发射区)和第二导电型(在此为p型)的体区。第一区域与上部电极和栅绝缘膜相接。体区与上部电极相接，并且在第一区域的下侧与栅绝缘膜相接。此外，半导体基板具有第一导电型的第二区域(漂移区)。第二区域在体区的下侧与栅绝缘膜相接，并且通过体区而与第一区域分离。在该开关元件中，当将栅电极的电位控制为预定的电位时，会在体区内形成沟道。通过沟道而使第一区域与第二区域被连接。因此，在第二区域与第一区域之间流通有电流。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-116963号公报

专利文献2：日本特开2015-225872号公报

技术实现要素：

发明所要解决的问题

如专利文献1那样的开关元件的上部电极通常具有第一金属层与第二金属层。第一金属层为与半导体基板的上表面接触的金属层。第一金属层由不容易污染半导体基板并且以低电阻与半导体基板接触的材料构成。第二金属层为被配置在第一金属层上并且与焊锡接触的金属层。第二金属层由易于与焊锡连接的材料构成。

在如专利文献2那样具有以网眼状延伸的沟槽的开关元件中，存在为了通过焊锡而使上部电极与外部连接，从而使上部电极由第一金属层和第二金属层构成的情况。例如，图7图示了具有如图6所示那样以网眼状(该情况下为格子状)延伸的沟槽140的开关元件的ⅶ-ⅶ线的截面。在图7中，上部电极150由第一金属层151和第二金属层152构成。当对第一金属层151进行成膜时，在层间绝缘膜162的接触孔162a的上部，于第一金属层151的表面上形成有凹部151a。因此，第一金属层151的上表面具有多个凹部151a。第二金属层152被配置在第一金属层151上。因此，第二金属层152被填充到各个凹部151a内。此外，在如专利文献2那样的开关元件中，通常，如图7所示，半导体基板118的外周部的上表面被绝缘保护膜160覆盖。绝缘保护膜160被设置为，以不与第一金属层151之间产生间隙的方式对第一金属层151的外周侧的部分进行覆盖。绝缘保护膜160具有开口180。在开口180内，第二金属层152对第一金属层151进行覆盖。此外，第二金属层152被设置为，以不与绝缘保护膜160之间产生间隙的方式与绝缘保护膜160的内周侧的侧面160a(开口180的侧面)相接。另外，虽然在图7中第二金属层152的一部分越至绝缘保护膜160上，但并不一定要越至绝缘保护膜160上。

当图7的开关元件工作时，半导体基板118的温度将上升。于是，第一金属层151、第二金属层152以及绝缘保护膜160的温度也会上升。一般情况下，第二金属层152的线膨胀系数小于第一金属层151的线膨胀系数。此外，一般情况下，绝缘保护膜160的线膨胀系数与第一金属层151的线膨胀系数为同等程度，或者与第一金属层151的线膨胀系数相比较大。在第一金属层151与第二金属层152接触的范围内，第一金属层151与第二金属层152一起热膨胀。在该范围内，由于第二金属层152的线膨胀系数较小，因此第一金属层151的热膨胀被抑制。尤其是由于第二金属层152被填充在第一金属层151的上表面的各个凹部151a内，因此第一金属层151被第二金属层152较强地束缚。因此，在第一金属层151与第二金属层152接触的范围内，第一金属层的热膨胀量较小。另一方面，在第一金属层151与绝缘保护膜160接触的范围内，第一金属层151与绝缘保护膜160一起热膨胀。在该范围内，由于绝缘保护膜160的线膨胀系数比较大，因此第一金属层151的热膨胀量比较大。绝缘保护膜160的内周侧的侧面160a的正下方的第一金属层151位于热膨胀量较小的范围(第一金属层151与第二金属层152相接的范围)与热膨胀量较大的范围(第一金属层151与绝缘保护膜160相接的范围)的边界处。因此，当开关元件的温度变化时，应力集中在侧面160a的正下方的第一金属层151处，从而在该部分处第一金属层151容易产生裂纹。

对此，考虑到如图8所示那样在绝缘保护膜160的内周侧的侧面160a的附近，通过层间绝缘膜162而对各个单元区142(被沟槽140包围的区域)的上表面整体进行覆盖(即，在侧面160a附近的层间绝缘膜162上不设置接触孔162a)。在未设置接触孔162a的范围内，层间绝缘膜162的上表面变得平坦。因此，在该范围的层间绝缘膜162上，第一金属层151的上表面也变得平坦。即，在该范围内，在第一金属层151的上表面上不存在凹部151a。因此，在该范围内，第一金属层151以平坦面与第二金属层152接触。在平坦面上第二金属层152对第一金属层151的束缚较弱。因此，在平坦面的范围内，与存在凹部151a的范围相比，第一金属层151的热膨胀量较大(但是，在该平坦面的范围内，与第一金属层151同绝缘保护膜160相接的范围相比热膨胀量仍较小)。其结果为，在绝缘保护膜160的侧面160a的正下方，第一金属层151的热膨胀量较小的范围(与第二金属层152相接的范围)与第一金属层151的热膨胀量较大的范围(与绝缘保护膜160相接的范围)之间的第一金属层151的热膨胀量之差变小。因此，根据该结构，在侧面160a的正下方的第一金属层151中产生的应力被抑制，从而在该部分处第一金属层151产生裂纹的情况被抑制。

但是，在图8的结构中会产生如下问题，即，当开关元件导通时，第二区域126的电阻会升高。以下详细地进行说明。在图8中，在不存在接触孔162a的范围内的层间绝缘膜162的下部的各个单元区142内，体区124不与上部电极150连接，从而体区124的电位浮置。当开关元件断开时，第二区域126与体区124之间的电位差变大。于是，耗尽层从第二区域126与体区124的界面的pn结向其周围延伸。由于该耗尽层，第二区域126的较宽的范围被耗尽化。此外，由于该耗尽层，体区124也部分地被耗尽化。当耗尽层扩张至体区124时，存在于体区124内的电荷(例如空穴)的一部分通过与存在于第二区域126内的电荷(例如电子)的复合而消失。因此，当耗尽层扩张时，存在于体区124内的电荷将减少。

之后，当栅电极130的电位被控制为栅极导通电位时，在体区124内的与栅绝缘膜132相邻的区域内将形成沟道。于是，第二区域126成为与第一区域122大致相同的电位。如此，在体区124与上部电极150连接的范围内，电荷从上部电极150被供给至体区124。由此，从体区124与第二区域126的界面的pn结延伸的耗尽层消失。因此，在电极154与上部电极150之间流通有电流。

与此相对，在体区124浮置的范围(不存在接触孔162a的范围)内，电荷不会从上部电极150供给至体区124。因此，即使形成有沟道，也会维持耗尽层向浮置的体区124的下部的第二区域126延伸的状态。即，即使处于导通状态，也会如图8所示那样，耗尽层159从浮置的体区124扩张至第二区域126内。因此，在该开关元件中，在导通状态下第二区域126内的电流路径较窄，从而第二区域126的电阻较高。如此，在该开关元件中，在导通时第二区域126的电阻较高。

另外，虽然在图6～8中以具有集电区128的开关元件(即，igbt：insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极性晶体管)为例而进行了说明，但在不具有集电区128的fet(fieldeffecttransistor，场效应晶体管)中也存在同样的问题。在fet中，无论为n沟道型还是p沟道型，均会产生上述的问题。此外，在图7、8中，电极154被设置在半导体基板118的下表面上。然而，也存在电极154被设置在其他的位置处的情况。

在图8中，只要从不具有接触孔162a的层间绝缘膜162的下部去除沟槽140，便能够解决体区124的浮置的问题。然而，当局部地去除沟槽140时，电场将在与去除了沟槽140的区域相邻的沟槽140的周边集中，从而产生开关元件的耐压降低的问题。

在本说明书中，提供一种能够抑制绝缘保护膜的开口的侧面的下部处的第一金属层的裂纹，并能够确保开关元件的耐压，且能够降低开关元件导通时的第二区域的电阻的技术。

用于解决问题的方法

本说明书所公开的开关元件具备半导体基板、栅绝缘膜、栅电极、层间绝缘膜、第一金属层、第二金属层和绝缘保护膜。在所述半导体基板的上表面上设置有以网眼状延伸的沟槽。所述栅绝缘膜对所述沟槽的内表面进行覆盖。所述栅电极被配置在所述沟槽内，并且通过所述栅绝缘膜而与所述半导体基板绝缘。将在俯视观察所述上表面时被所述沟槽包围的所述半导体基板的各个部分设为单元区。将在俯视观察所述上表面时包含多个所述单元区的范围设为第一元件范围。将在俯视观察所述上表面时包围所述第一元件范围的周围并且包含多个所述单元区的范围设为围绕范围。所述层间绝缘膜在从所述第一元件范围跨至所述围绕范围的范围内对所述上表面与所述栅电极进行覆盖。在所述第一元件范围内，在各个所述单元区的上部，于所述层间绝缘膜上设置有接触孔。在所述围绕范围内，所述层间绝缘膜在所述单元区的上部对所述上表面的整个区域进行覆盖。所述第一金属层对所述层间绝缘膜进行覆盖，并通过所述层间绝缘膜而与所述栅电极绝缘，并且在所述接触孔内与所述上表面相接。在所述第一金属层的表面上，且在所述接触孔的上部设置有凹部。所述绝缘保护膜对所述围绕范围内的所述第一金属层的外周侧的部分进行覆盖。在所述绝缘保护膜上，于包含所述第一元件范围在内的与所述第一元件范围相比较宽的范围内设置有开口。所述第二金属层在所述开口内与所述第一金属层的所述表面相接且与所述开口的侧面相接，并且具有与所述第一金属层相比较小的线膨胀系数。所述第一元件范围内的各个所述单元区具备：第一区域，其为第一导电型，并且与所述第一金属层和所述栅绝缘膜相接；体区，其为第二导电型，并且与所述第一金属层相接，且在所述第一区域的下侧与所述栅绝缘膜相接。所述围绕范围内的各个所述单元区具备第二导电型的周边第二导电型区域，所述周边第二导电型区域延伸至所述围绕范围内的所述沟槽的下侧并且与所述体区导通。所述半导体基板具备第一导电型的第二区域，所述第二区域以跨及所述体区的下部和所述周边第二导电型区域的下部的方式而被配置，并在所述体区的下侧与所述栅绝缘膜相接，且通过所述体区而与所述第一区域分离。

另外，本说明书中“外周侧”是指，距第一元件范围较远的一侧，“内周侧”是指距第一元件范围较近的一侧。

在该开关元件中，围绕范围内的单元区的上表面整体被层间绝缘膜覆盖。即，在围绕范围内的层间绝缘膜上未设置接触孔。因此，围绕范围内的层间绝缘膜的上表面是平坦的。因此，在围绕范围内，层间绝缘膜上的第一金属层的表面也是平坦的。在该开关元件中，绝缘保护膜的开口的侧面(绝缘保护膜的内周侧端部)位于围绕范围内(即，第一金属层的上表面平坦的范围内)。此外，在第一元件范围内对第一金属层的上表面进行覆盖的第二金属层与绝缘保护膜的开口的侧面相接。即，在该开关元件中，绝缘保护膜的开口的侧面(即，第一金属层同第二金属层相接的范围与第一金属层同绝缘保护膜相接的范围的边界)位于第一金属层的上表面平坦的围绕范围内。因此，与图8的情况相同地，在绝缘保护膜的开口的侧面的正下方，施加于第一金属层上的应力得到缓和。因此，在该开关元件中，在绝缘保护膜的开口的侧面的正下方，第一金属层不容易产生裂纹。

此外，在该开关元件中，在围绕范围内的半导体基板中设置有周边第二导电型区域。周边第二导电型区域从各个单元区内延伸至围绕范围内的沟槽的下侧并且与体区连接。即，不具有接触孔的层间绝缘膜的下部的各个单元区的电位不是浮置的，而是与体区的电位(即，第一金属层的电位)连接。在开关元件断开时，耗尽层从周边第二导电型区域与第二区域的界面的pn结延伸。此时，周边第二导电型区域内的电荷减少。在开关元件导通时，电荷经由体区而被供给到周边第二导电型区域。因此，当开关元件导通时，从周边第二导电型区域与第二区域的界面的pn结延伸的耗尽层消失。因此，能够在第二区域的较宽的范围内流通有电流。因此，该开关元件在导通时，第二区域的电阻较低。

此外，当以此方式在围绕范围内形成延伸至与沟槽相比靠下侧的周边第二导电型区域时，能够缓和与周边第二导电型区域相邻的沟槽的周边的电场。因此，能够确保开关元件的耐压。

如上文所说明的那样，根据本说明书中公开的开关元件，能够抑制绝缘保护膜的开口的侧面的正下方的第一金属层的裂纹。此外，根据该开关元件，由于缓和了与周边第二导电型区域相邻的沟槽的周边的电场，因此能够维持开关元件的耐压。此外，根据该开关元件，能够降低导通时的第二区域的电阻。

附图说明

图1为实施例的igbt10的俯视图。

图2为半导体基板18的上表面18a的放大图。

图3为igbt10的纵剖视图(图1、2的ⅲ-ⅲ线处的纵剖视图)。

图4为周边p型区域29周边的放大剖视图。

图5为改变例的igbt10的纵剖视图。

图6为比较例1的开关元件的俯视图。

图7为比较例1的开关元件的纵剖视图(图6的ⅶ-ⅶ线处的纵剖视图)。

图8为比较例2的开关元件的纵剖视图。

具体实施方式

图1～3所示的实施例的igbt10具有半导体基板18和被设置在半导体基板18的上表面18a以及下表面18b上的电极、绝缘膜。另外，在图1、2中，为了方便说明而省略了半导体基板18的上表面18a上的电极、绝缘膜的图示。此外，以下将与半导体基板18的上表面18a平行的方向称为x方向，将与上表面18a平行且与x方向正交的方向称为y方向。

如图1所示，在半导体基板18的上表面18a上设置有沟槽40。沟槽40具有与x方向平行地延伸的多个第一沟槽40a和与y方向平行地延伸的多个第二沟槽40b。多个第一沟槽40a以在y方向上隔开间隔的方式而被配置。在相邻的第一沟槽40a之间的间隔部分处分别配置有多个第二沟槽40b。通过第二沟槽40b而使相邻的第一沟槽40a相互连接。多个第二沟槽40b以在y方向上相邻的第二沟槽40b彼此不直接连接的方式而被配置。通过沟槽40(即，第一沟槽40a与第二沟槽40b)而使半导体基板18的上表面18a被划分为多个矩形的区域。即，沟槽40以对多个矩形区域进行划分的方式而以网眼状延伸。以下将被沟槽40包围的矩形的半导体区域称为单元区42。此外，以下将在俯视观察半导体基板18的上表面18a时沟槽40所分布的范围称为沟槽范围14。此外，将沟槽范围14中的位于半导体基板18的中央的范围称为第一元件范围11。第一元件范围11包含多个单元区42。此外，将沟槽范围14中的与第一元件范围11相邻并且包围第一元件范围11的环状的范围称为围绕范围13。围绕范围13包含与第一元件范围11相邻的多个单元区42。此外，将沟槽范围14中的与围绕范围13相邻并且包围围绕范围13的环状的范围称为第二元件范围12。第二元件范围12包含与围绕范围13相邻的多个单元区42。在图1中，第一元件范围11与第二元件范围12由点状阴影表示。第一元件范围11与第二元件范围12之间的范围为围绕范围13。在第一元件范围11与第二元件范围12内设置有用于实施开关的元件结构。此外，以下将与沟槽范围14相比靠外周侧(距半导体基板18的外周端面较近的一侧)的范围称为外周耐压范围15。

如图2、3所示，沟槽40的内表面被栅绝缘膜32覆盖。此外，在沟槽40内配置有栅电极30。当俯视观察半导体基板18的上表面18a时，栅电极30仿照沟槽40而以网眼状延伸。栅电极30通过栅绝缘膜32而与半导体基板18绝缘。

如图2、3所示，第一元件范围11内的各个单元区42具有发射区22与体区24。

发射区22为n型区域。在第一元件范围11内的各个单元区42内设置有两个发射区22。发射区22被配置在露出于半导体基板18的上表面18a的范围内。发射区22在沟槽40的最上部与栅绝缘膜32相接。

体区24为p型区域。体区24在两个发射区22之间露出于半导体基板18的上表面18a。体区24从露出于上表面18a的位置起延伸至发射区22的下侧的位置。体区24具有高浓度区域24a和与高浓度区域24a相比p型杂质浓度较低的低浓度区域24b。高浓度区域24a被配置在露出于上表面18a的范围内。低浓度区域24b被配置在与发射区22相比靠下侧。低浓度区域24b在发射区22的下侧与栅绝缘膜32相接。

第二元件范围12内的各个单元区42也具有发射区22与体区24。第二元件范围12内的发射区22以及体区24具有与第一元件范围11内的发射区22以及体区24相同的结构。

如图3所示，在围绕范围13内设置有周边p型区域29。周边p型区域29在围绕范围13内被设置在露出于半导体基板18的上表面18a的范围内。在从上侧俯视观察半导体基板18时，周边p型区域29以包围第一元件范围11的方式而以环状延伸。周边p型区域29分布在围绕范围13内的各个单元区42的整个区域内，并且从各个单元区42延伸至围绕范围13内的沟槽40的下侧。各个单元区42内的周边p型区域29经由沟槽40的下侧的区域而相互连接。此外，周边p型区域29的一部分延伸至第一元件范围11内以及第二元件范围12内。周边p型区域29与第一元件范围11内的体区24连接并且与第二元件范围12内的体区24连接。

如图1、3所示，在外周耐压范围15内设置有终端区域34和多个护圈36。

终端区域34被配置在露出于半导体基板18的上表面18a的范围内。终端区域34从上表面18a起延伸至与沟槽40的下端相比靠下侧。终端区域34以包围沟槽范围14的方式而以环状延伸。终端区域34与体区24相接。

各个护圈36被配置在露出于半导体基板18的上表面18a的范围内。各个护圈36从上表面18a起延伸至与沟槽40的下端相比靠下侧。终端区域34被各个护圈36多重包围。各个护圈36与体区24以及终端区域34分离。此外，各个护圈36相互分离。

如图3所示，半导体基板18具有漂移区26、缓冲区27以及集电区28。

漂移区26为n型杂质浓度较低的n型区域。漂移区26以跨及第一元件范围11、围绕范围13、第二元件范围12以及外周耐压范围15的方式分布。漂移区26在第一元件范围11内被配置在体区24的下侧，并从下侧与体区24相接。在第一元件范围11内，漂移区26通过体区24而与发射区22分离。在第一元件范围11内，漂移区26在体区24的下侧与栅绝缘膜32相接。漂移区26在围绕范围13内被配置在周边p型区域29的下侧，并从下侧与周边p型区域29相接。漂移区26在第二元件范围12内被配置在体区24的下侧，并从下侧与体区24相接。在第二元件范围12内，漂移区26通过体区24而与发射区22分离。在第二元件范围12内，漂移区26在体区24的下侧与栅绝缘膜32相接。漂移区26在外周耐压范围15内与终端区域34和各个护圈36相接。通过漂移区26而使终端区域34与护圈36分离。此外，通过漂移区26而使各个护圈36相互分离。

缓冲区27为与漂移区26相比n型杂质浓度较高的n型区域。缓冲区27以跨及第一元件范围11、围绕范围13、第二元件范围12以及外周耐压范围15的方式分布。缓冲区27被配置在漂移区26的下侧，并且从下侧与漂移区26相接。

集电区28为p型区域。集电区28以跨及第一元件范围11、围绕范围13、第二元件范围12以及外周耐压范围15的方式分布。集电区28被配置在缓冲区27的下侧，并从下侧与缓冲区27相接。集电区28在半导体基板18的下表面18b上露出。

如图3所示，在半导体基板18上配置有层间绝缘膜62、欧姆金属层51、多个环状电极53、绝缘保护膜60以及表面金属层52。

层间绝缘膜62被配置在半导体基板18的上表面18a上。层间绝缘膜62以从沟槽范围14跨至外周耐压范围15的方式而延伸。栅电极30的上表面整体被层间绝缘膜62覆盖。在第一元件范围11以及第二元件范围12内的各个单元区42的上部设置有在上下方向上贯穿层间绝缘膜62的接触孔62a。在围绕范围13内的各个单元区42的上部未设置有接触孔。即，围绕范围13内的各个单元区42的上表面的整体被层间绝缘膜62覆盖。在外周耐压范围15内的层间绝缘膜62上，于终端区域34的上部与各个护圈36的上部等设置有接触孔。

欧姆金属层51在第一元件范围11、围绕范围13、第二元件范围12内对层间绝缘膜62进行覆盖。欧姆金属层51沿着层间绝缘膜62的表面与半导体基板18的上表面18a延伸，并且具有大致固定的厚度。因此，在第一元件范围11以及第二元件范围12内，欧姆金属层51的上表面仿照接触孔62a而凹陷。即，在各个接触孔62a的上部的欧姆金属层51的表面上设置有凹部51a。欧姆金属层51在各个接触孔62a内与半导体基板18的上表面18a相接。欧姆金属层51在各个接触孔62a内与发射区22和体区24的高浓度区域24a欧姆接触。由于在围绕范围13内的层间绝缘膜62上未设置有接触孔62a，因此围绕范围13内的欧姆金属层51的上表面是平坦的。此外，欧姆金属层51的一部分延伸至终端区域34上。欧姆金属层51在终端区域34的上部的接触孔内与终端区域34欧姆接触。欧姆金属层51由alsi(铝和硅的合金)构成。

多个环状电极53被配置在各个护圈36的上部。各个环状电极53沿着护圈36而以环状延伸。各个环状电极53在各个护圈36的上部的接触孔内与护圈36欧姆接触。

绝缘保护膜60在第二元件范围12与外周耐压范围15内被配置在欧姆金属层51、层间绝缘膜62以及环状电极53的上部。第二元件范围12与外周耐压范围15的表面整体被绝缘保护膜60覆盖。绝缘保护膜60的一部分延伸至围绕范围13。在围绕范围13内，绝缘保护膜60被配置在金属层51上。绝缘保护膜60对围绕范围13内的欧姆金属层51的外周侧的部分进行覆盖。在绝缘保护膜60上，于半导体基板18的上表面18a的中央部处设置有开口80。开口80被设置在包含第一元件范围11在内的与第一元件范围11相比较宽的范围内。即，第一元件范围11的整体与围绕范围13的内周侧的部分位于开口80内。绝缘保护膜60的内周侧的端部60a(即开口80的侧面)位于围绕范围13内。绝缘保护膜60由树脂(例如，聚酰亚胺)构成。绝缘保护膜60的线膨胀系数与欧姆金属层51(即alsi)的线膨胀系数相比稍大。

表面金属层52对未被绝缘保护膜60覆盖的范围的欧姆金属层51(即，围绕范围13内的欧姆金属层51的内周侧的部分与第一元件范围11内的欧姆金属层51)的表面进行覆盖。表面金属层52在第一元件范围11内被填充到各个凹部51a内。表面金属层52的外周侧的一部分越至绝缘保护膜60上。因此，在绝缘保护膜60的内周侧的侧面60a(即，开口80的侧面)，表面金属层52与绝缘保护膜60相接。表面金属层52由镍构成。表面金属层52(即，镍)的焊锡润湿性较高。表面金属层52(即，镍)的线膨胀系数小于欧姆金属层51(即，alsi)的线膨胀系数。在表面金属层52上接合有焊锡层55。通过焊锡层55而使表面金属层52与未图示的金属块连接。

在半导体基板18的下表面18b上配置有下部电极54。下部电极54与集电区28欧姆接触。

接下来，对igbt10的动作进行说明。igbt10在欧姆金属层51与下部电极54之间被施加有使下部电极54侧成为高电位的电压的状态下被使用。当向栅电极30施加与阈值相比较高的电位时，在与栅绝缘膜32相邻的范围内，于体区24内会形成有沟道。通过沟道而使发射区22与漂移区26连接。其结果为，电子从欧姆金属层51起经由发射区22、沟道、漂移区26、缓冲区27以及集电区28而向下部电极54流动。此外，空穴从下部电极54起经由集电区28、缓冲区27、漂移区26、体区24而向欧姆金属层51流动。即，igbt10导通，从而电流从下部电极54起向欧姆金属层51流通。

当使栅电极30的电位降低至与阈值相比较低的电位时，沟道消失。如此，在第一元件范围11与第二元件范围12内，反向电压被施加在体区24与漂移区26的界面的pn结25a上。因此，耗尽层从pn结25a向体区24与漂移区26扩张。由于漂移区26的n型杂质浓度极低，因此漂移区26在较宽的范围内被耗尽化。此外，当耗尽层扩张至体区24时，存在于被耗尽化的区域内的空穴与漂移区26内的电子复合而消失。因此，当耗尽层扩张时，存在于体区24内的空穴减少。

此外，在围绕范围13内，反向电压被施加在周边p型区域29与漂移区26的界面的pn结25b上。因此，耗尽层从pn结25b向周边p型区域29与漂移区26扩张。漂移区26也通过从pn结25b扩张的耗尽层而被耗尽化。此外，当耗尽层扩张到周边p型区域29时，存在于被耗尽化的区域内的空穴与漂移区26内的电子复合而消失。因此，当耗尽层扩张时，存在于周边p型区域29内的空穴减少。

此外，在外周耐压范围15内，反向电压被施加在终端区域34与漂移区26的界面的pn结25c上。因此，耗尽层从pn结25c向终端区域34与漂移区26扩张。当从pn结25c扩张至漂移区26的耗尽层到达最内周侧的护圈36时，耗尽层将从该护圈36向周围的漂移区26扩张。当从最内周侧的护圈36扩张至漂移区26的耗尽层到达相邻的护圈36时，耗尽层将从该护圈36向周围的漂移区26扩张。以此方式，在外周耐压范围15内，耗尽层经由多个护圈36而向外周侧延伸。因此，在外周耐压范围15内，漂移区26被耗尽化至半导体基板18的外周端面附近。

如上文所说明的那样，当使栅电极30的电位降低至与阈值相比较低的电位时，沟道消失，并且漂移区26在较宽的范围内被耗尽化。通过耗尽层而使体区24与缓冲区27分离。因此，当使栅电极30的电位降低至与阈值相比较低的电位时，在igbt10中流通的电流停止。即，igbt10断开。

图4图示了igbt10处于断开的状态下的周边p型区域29周边的耗尽层的分布。在图4中，虚线92表示耗尽层的上端。在图4中，与虚线92相比靠上侧的半导体区域(被施以点状阴影的区域)为未耗尽化的半导体区域(以下称为非耗尽化区域)，与虚线92相比靠下侧的区域为被耗尽化的区域。在图4所示的范围内，漂移区26整体被耗尽化。此外，如图4所示，虽然周边p型区域29与体区24在其下端部的附近被部分地耗尽化，但大部分成为非耗尽化区域。由于周边p型区域29的p型杂质浓度与体区24的低浓度区域24b的p型杂质浓度相比较高，因此在周边p型区域29内与在低浓度区域24b内相比，耗尽层不易延伸。因此，周边p型区域29内的耗尽层的宽度与体区24内的耗尽层的宽度相比变得较窄。此外，图4的虚线94为表示耗尽层内的电位分布的等电位线。由于周边p型区域29扩大至与沟槽40的下端相比靠下侧，因此在围绕范围13内，与在第一元件范围11内以及第二元件范围12内相比，等电位线分布于靠下侧。因此，电场在最接近围绕范围13的沟槽40的下端的周边被缓和。因此，在周边p型区域29的周边产生较高的电场的情况被抑制。

当igbt10从断开的状态(图4的状态)起再次使栅电极30的电位被提升至与阈值相比较高的电位时，在体区24内会形成有沟道，从而漂移区26的电位降低。如此，空穴从欧姆金属层51被供给到体区24。由此，从体区24与漂移区26的界面的pn结25a延伸的耗尽层收缩并消失。因此，电子以及空穴能够在漂移区26内流通，从而使igbt10导通。

此外，当漂移区26的电位降低时，空穴从欧姆金属层51起经由体区24而被供给到周边p型区域29。由此，从周边p型区域29与漂移区26的界面的pn结25b延伸的耗尽层收缩并消失。因此，电子以及空穴也能够在周边p型区域29的下部的漂移区26内流通。由此，漂移区26内的电子以及空穴能够流通的区域的宽度变宽，从而使漂移区26的电阻变小。因此，在该igbt10中，不容易产生稳态损耗，从而导通电压较小。

另外，在图4中，假设周边p型区域29内的耗尽层的上端(即，虚线92)到达沟槽40的下端时，周边p型区域29内的非耗尽化区域将因耗尽层而与体区24分离。于是，周边p型区域29内的各个非耗尽化区域变为浮置，因此当igbt10开启时，空穴难以被供给到周边p型区域29内的各个非耗尽化区域。因此，当igbt10导通时，从周边p型区域29与漂移区26的界面的pn结25b延伸的耗尽层几乎不收缩。在该情况下，尽管igbt10导通，但依然成为耗尽层扩张到周边p型区域29的下部的漂移区26的状态，从而电子以及空穴无法在周边p型区域29的下部的漂移区26内流通。因此，在该情况下，漂移区26的电阻变高。对此，在实施例的igbt10中，周边p型区域29的p型杂质浓度高于低浓度区域24b的p型杂质浓度。因此，耗尽层不易扩张到周边p型区域29。由此，防止了耗尽层到达沟槽40的下端的情况。因此，在实施例的igbt10中，能够在igbt10导通时使耗尽层从周边p型区域29的下部可靠地消失。因此，实施例的igbt10能够可靠地以低损耗进行工作。

此外，由于igbt10反复导通与断开，从而半导体基板18的温度反复变化。因此，半导体基板18的上部的欧姆金属层51、表面金属层52以及绝缘保护膜60的温度反复变化。

在欧姆金属层51与表面金属层52接触的范围(即，第一元件范围11与围绕范围13的内周侧)内，欧姆金属层51与表面金属层52一起热膨胀。如上所述，表面金属层52(即，镍)的线膨胀系数小于欧姆金属层51(即，alsi)的线膨胀系数。因此，在该范围内，欧姆金属层51的热膨胀被抑制。由于在第一元件范围11内，表面金属层52被填充到欧姆金属层51的上表面的各个凹部51a内，因此欧姆金属层51被表面金属层52较强地束缚。因此，在第一元件范围11内，欧姆金属层的热膨胀量较小。另一方面，在围绕范围13内，于欧姆金属层51与表面金属层52接触的范围内(即，围绕范围13的内周侧)，在欧姆金属层51的上表面上未形成有凹部51a，从而该上表面是平坦的。因此，在围绕范围13的内周侧，与在第一元件范围11内相比，表面金属层52对欧姆金属层51的束缚力较弱。因此，在该范围内，与在第一元件范围内相比，欧姆金属层51的热膨胀量较大。

在欧姆金属层51与绝缘保护膜60接触的范围(即，围绕范围13的外周侧、第二元件范围12以及外周耐压范围15)内，欧姆金属层51与绝缘保护膜60一起热膨胀。如上所述，绝缘保护膜60(即，聚酰亚胺)的线膨胀系数与欧姆金属层51(即，alsi)的线膨胀系数相比稍大。因此，在该范围内，欧姆金属层51的热膨胀量在图3所示的范围内最大。

如上所述，在实施例的igbt10中，绝缘保护膜60的内周侧的侧面60a(即，开口80的侧面)被配置在围绕范围13内(即，上表面平坦的欧姆金属层51上)。因此，欧姆金属层51的热膨胀量比较大的范围(围绕范围13的内周侧)与欧姆金属层51的热膨胀量最大的范围(围绕范围13的外周侧)相邻。因此，在绝缘保护膜60的内周侧的侧面60a的周边，欧姆金属层51的热膨胀量之差并不那么大。因此，在侧面60a的下部，在欧姆金属层51中不易产生极大的应力。因此，在侧面60a的下部，欧姆金属层51产生裂纹的情况被抑制。实施例的igbt10具有较高的可靠性。

另外，在实施例的igbt10中，表面金属层52通过经由模板掩膜(与半导体基板18以分体的形式被准备的掩膜板)的溅射(以下，称为掩膜溅射)而形成。由于掩膜溅射的精度并不那么高，因此表面金属层52的外周侧的端部52b的位置的偏差较大。当表面金属层52的外周侧的端部52b突出至与欧姆金属层51的外周侧的端部52c相比靠外周侧时，外周耐压范围15内的漂移区26内的电位分布将混乱，从而使igbt10的耐压降低。此外，当表面金属层52的外周侧的端部52b位于与绝缘保护膜60的内周侧的端部60a相比靠内周侧时，欧姆金属层51露出于最表面，因此可靠性降低。因此，优选为，将欧姆金属层51的外周侧的端部52c与绝缘保护膜60的内周侧的端部60a之间的间隔设置为较宽，从而在该间隔之间配置表面金属层52的外周侧的端部52b。在该情况下，通过在欧姆金属层51的外周侧的端部52c与围绕范围13之间配置第二元件范围12(即，作为开关元件而进行工作的范围)，从而能够有效地利用半导体基板18，由此能够将igbt10的电流容量形成为较大。

另外，在上述的实施例中，通过掩膜溅射而形成了表面金属层52。然而，也可以通过电镀来形成表面金属层52。在该情况下，如图5所示，表面金属层52的外周侧的端部52b未越至绝缘保护膜60上，而是与绝缘保护膜60的内周侧的端部60a(即，开口80的侧面)接触。在这种结构中，也能获得与上述的实施例相同的效果。

此外，虽然在上述的实施例中对igbt进行了说明，但也可以将本说明书中公开的技术应用到mosfet(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等其他的开关元件中。通过代替实施例的集电区28而设置与下部电极54欧姆接触的n型区域(漏极区)，从而能够获得n沟道型的mosfet。此外，在n沟道型的mosfet中，通过使n型区域与p型区域反转，从而能够获得p沟道型的mosfet。

此外，在上述的实施例中，沟槽40以各个单元区42成为矩形的方式延伸。然而，沟槽40也可以以各个单元区42成为六角形的方式延伸。此外，沟槽40还可以以各个单元区42成为其他的形状的方式延伸。

对上述的实施例的结构要素与权利要求的结构要素之间的关系进行说明。实施例的欧姆金属层51为权利要求的第一金属层的一个示例。实施例的表面金属层52为权利要求的第二金属层的一个示例。实施例的发射区22为权利要求的第一区域的一个示例。实施例的漂移区26为权利要求的第二区域的一个示例。实施例的周边p型区域29为权利要求的周边第二导电型区域的一个示例。

以下对于本说明书公开的技术要素进行列述。另外，以下的各个技术要素为各自独立有用的技术要素。

在本说明书所公开的一个示例的结构中，周边第二导电型区域的第二导电型杂质浓度高于体区的位于第一区域的下侧的部分的第二导电型杂质浓度。

当开关元件处于断开时，耗尽层扩展到周边第二导电型区域内。当耗尽层到达沟槽的下端时，位于与沟槽的下端相比靠上侧的周边第二导电型区域将浮置，从而产生问题。如上所述，通过将周边第二导电型区域的第二导电型杂质浓度设为较高，从而耗尽层不易延伸到周边第二导电型区域内。由此，能够防止浮置的问题。

在本说明书所公开的一个示例的结构中，在设置有沟槽的范围的外侧设置有护圈。护圈为，露出于半导体基板的上表面，并包围设置有沟槽的范围，且与第一金属层电分离的第二导电型的区域。

根据该结构，能够提高开关元件的耐压。

在本说明书所公开的一个示例的结构中，开关元件具备第二元件范围，所述第二元件范围在俯视观察半导体基板的上表面时包围围绕范围的周围并且包含多个单元区。在第二元件范围内，在各个单元区的上部，于层间绝缘膜上设置有接触孔。第一金属层在第二元件范围内的接触孔内与半导体基板的上表面相接。绝缘保护膜对第二元件范围内的第一金属层进行覆盖。第二金属层以从开口内的第一金属层上跨至绝缘保护膜上的方式而被配置。第二金属层的外周侧端部位于与第一金属层的外周侧端部相比靠内周侧。第二元件范围内的各个单元区具有第一区域和体区。

为了确保开关元件的可靠性，优选为，在绝缘保护膜的内周侧端部与第一金属层的外周侧端部之间设置间隔，并且在该间隔之中配置第二金属层的外周侧端部。通过在该间隔部分处设置第二元件范围(作为开关元件而发挥功能的范围)，从而能够增加开关元件的电流容量。

以上，虽然对实施方式进行了详细说明，但这些只不过是示例，并不对权利要求书进行限定。在权利要求书所记载的技术中，包括对上文所例示的具体示例进行了各种改变、变更的内容。在本说明书或附图中所说明的技术要素以单独或各种组合的方式来发挥技术上的有用性，并不限定于申请时权利要求所记载的组合。此外，本说明书或附图中所例示的技术同时实现多个目的，并且实现其中一个目的本身便具有技术上的有用性。

符号说明

11：第一元件范围；12：第二元件范围；13：围绕范围；14：沟槽范围；15：外周耐压范围；18：半导体基板；22：发射区；24：体区；26：漂移区；27：缓冲区；28：集电区；29：周边p型区域；30：栅电极；32：栅绝缘膜；34：终端区域；36：护圈；40：沟槽；42：单元区；51：欧姆金属层；51a：凹部；52：表面金属层；55：焊锡层；60：绝缘保护膜；62：层间绝缘膜；62a：接触孔。