技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括制作接触孔时，在字线带状接触区两侧的初始层间介电层中形成保护接触孔，并在去除存储单元器件区中的初始层间介电层时以保护层覆盖所述字线带状接触区，从而避免字线带状接触区中的初始层间介电层被去除。该制作方法可以避免NOR器件接触孔制作中在字线带状接触区出现光刻胶坍塌、控制栅硬掩膜损伤，或者层间介电层在控制栅两层上残余而导致控制栅与源/漏击穿电压降低等问题，提高了器件的性能和良率。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。
技术研发人员：王胜名;邹陆军;李绍彬;仇圣棻
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.05.05
技术公布日：2018.11.13