一种同频合路器的制作方法

本发明涉及一种同频合路器。

背景技术：

同频合路器内为3db电桥，宽频率带3db电桥一直是功分器类努力的方向，缩短空间距离，实现宽频3db电桥是目前迫切需要的。

技术实现要素：

本发明的目的在于克服以上所述的缺点，提供一种同频合路器。

为实现上述目的，本发明的具体方案如下：同频合路器，包括有底壳以及盖子，所述底壳内设有一个3db电桥，所述3db电桥，包括有主耦合线带以及次耦合线带；所述主耦合线带包括有第一矩形主带，第一矩形主带的两端分别向两侧延伸出有l形的第一曲带，第一曲带的自由端延伸出l形第二曲带，一侧的第二曲带延伸出第一输入端，另一侧的第二曲带延伸出第一输出端；第一矩形主带的顶侧设有t形去耦带，底侧设有矩形的延展带，延展带向下设有半圆形的第一耦合片；次耦合线带包括有第二矩形主带，第二矩形主带底侧设有半圆形的第二耦合片，第二矩形主带两端均连接有倾斜设置的第一波导臂，还包括有与第一波导臂同一平面、大小相同、且边平行设置的第二波导臂和第三波导臂；第二波导臂底部与第一波导臂的底部通过直通带相连，第二波导臂的顶部与第三波导臂的中部通过直通带相连；与第一输入端同侧的第三波导臂向外延伸出第二输入端，与第一输出端同侧的第三波导臂向外延伸出第二输出端；所述主耦合线带与次耦合线带平行设置且高度差为3-7mm，第一耦合片位于第二耦合片垂直投影内。所述底壳内设有隔离墙，隔离墙位于第二曲带与第二波导臂之间以及第一曲带与第一波导带之间。

其中，所述主耦合线带与次耦合线带平行设置且高度差为5mm。

其中，所述直通带上设有顶柱孔，所述第一矩形主带两侧也设有顶柱孔，顶柱孔套设支撑柱。

其中，所述第一矩形主带的两侧的底侧向次耦合线带一侧延伸出有框带。

本发明的有益效果为：同频合路器，包括有底壳以及盖子，所述底壳内设有一个3db电桥，所述3db电桥可实现较为优化的耦合，其在频率0.8ghz至2.8ghz内可实现较好的耦合效果，其s21通路和s31通路的相位差，不超过±5°，符合3db电桥的90度相位差的要求。

附图说明

图1是本发明的主耦合线带的俯视图；

图2是本发明的次耦合线带的俯视图；

图3是本发明的电桥俯视图；

图4是本发明的电桥侧视图；

图5是本发明去掉盖子的俯视图；

图6是本发明底壳的俯视图；

图7是本发明的s21通路和s31通路的相位差图；

图8中为电平值图。

图1至图8中的附图标记说明：

1-次耦合线带；2-主耦合线带；10-支撑柱；3-底壳；4-隔离墙；

r1-第一矩形主带；r2-延展带；r3-第一耦合片；r4-t形去耦带；r5-第一曲带；r6-第二曲带；r7-框带；r8-第一输出端；r9-第一输入端；

a1-第二矩形主带；a2-第一波导臂；a3-第二波导臂；a4-第三波导臂；a5-第二输入端；a6-第二输出端。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明，并不是把本发明的实施范围局限于此。

如图1至图8所示，以图3方向，本实施例所述的为实现上述目的，本发明的具体方案如下：同频合路器，包括有底壳以及盖子，所述底壳内设有一个3db电桥，包括有主耦合线带2以及次耦合线带1；所述主耦合线带2包括有第一矩形主带r1，第一矩形主带r1的两端分别向两侧延伸出有l形的第一曲带r5，第一曲带r5的自由端延伸出l形第二曲带r6，一侧的第二曲带r6延伸出第一输入端r9，另一侧的第二曲带r6延伸出第一输出端r8；第一矩形主带r1的顶侧设有t形去耦带r4，底侧设有矩形的延展带r2，延展带r2向下设有半圆形的第一耦合片r3；次耦合线带1包括有第二矩形主带a1，第二矩形主带a1底侧设有半圆形的第二耦合片，第二矩形主带a1两端均连接有倾斜设置的第一波导臂a2，还包括有与第一波导臂a2同一平面、大小相同、且边平行设置的第二波导臂a3和第三波导臂a4；第二波导臂a3底部与第一波导臂a2的底部通过直通带相连，第二波导臂a3的顶部与第三波导臂a4的中部通过直通带相连；与第一输入端r9同侧的第三波导臂a4向外延伸出第二输入端a5，与第一输出端r8同侧的第三波导臂a4向外延伸出第二输出端a6；所述主耦合线带2与次耦合线带1平行设置且高度差为3-7mm，第一耦合片r3位于第二耦合片垂直投影内。所述底壳3内设有隔离墙4，隔离墙位于第二曲带与第二波导臂之间以及第一曲带与第一波导带之间。

同频合路器中的电桥可实现较为优化的耦合，其在频率0.8ghz至2.8ghz内可实现较好的耦合效果，如图7，其s21通路和s31通路的相位差，不超过±5°，符合3db电桥的90度相位差的要求。图8中，实线表示耦合口电平值，虚线表示直通口电平值，可以看到其基本保持在3.5db以下。本电桥的端口驻波比小于1.2。主耦合线带2与次耦合线的厚度均为3mm-4mm，其承载功率可达400w。未达到最优化的耦合效果，其具体尺寸可以优化为：以图3方向，并且以虚线为界限，第一矩形主带r1、第一曲带r5、第二曲带r6以及第一输入端r9和第二输入端a5的带宽为：6.5mm，第一曲带r5的靠近第一矩形主带r1的一边最长为：13mm，另一边最长为：13.5mm；第二曲带r6的靠近第一曲带r5的边最长为：17mm，另一边最长为：12.4mm；第一输入端r9和第二输出端a6不限。t形去耦带r4的纵向杆的带宽为12.5mm高为3.2mm，横向杆的带宽为2.8mm，长为：12.5mm；延展带r2的高和宽分别为：23mm和25mm。第一耦合片r3的半径为12.5mm。框带r7的带宽为：0.5mm；内框高为74mm，宽为：11mm。第二矩形主带a1的线宽为6.5mm，第二耦合片的12.5mm。第一波导臂a2的线宽为10mm，长为：58mm；直通带宽和长均不超过10mm，第二输出端a6和第二输入端a5不需限定，可跟临近臂带等宽。本发明所述一种3db电桥，所述主耦合线带2与次耦合线带1平行设置且高度差为5mm。本发明所述一种3db电桥，所述直通带上设有顶柱孔，所述第一矩形主带r1两侧也设有顶柱孔，顶柱孔套设支撑柱10。支撑柱10为绝缘介质，用于固定带线。本发明所述一种3db电桥，所述第一矩形主带r1的两侧的底侧向次耦合线带1一侧延伸出有框带r7。该结构，通过仿真和实际测试可以发现，其提高耦合度，有效降低相位差的偏差。所述底壳内设有隔离墙，隔离墙位于第二曲带与第二波导臂之间以及第一曲带与第一波导带之间，隔离墙用于增加隔离度，增加性能。

以上所述仅是本发明的一个较佳实施例，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，包含在本发明专利申请的保护范围内。

技术特征：

技术总结
本发明公开了同频合路器，包括有底壳以及盖子，所述底壳内设有一个3dB电桥，所述3dB电桥，包括有主耦合线带以及次耦合线带；所述主耦合线带包括有第一矩形主带，第一矩形主带的两端分别向两侧延伸出有L形的第一曲带，第一曲带的自由端延伸出L形第二曲带，一侧的第二曲带延伸出第一输入端，另一侧的第二曲带延伸出第一输出端；其在频率0.8Ghz至2.8Ghz内可实现较好的耦合效果，其S21通路和S31通路的相位差，不超过±5°，符合3dB电桥的90度相位差的要求。

技术研发人员：商顺超
受保护的技术使用者：东莞质研工业设计服务有限公司
技术研发日：2017.05.25
技术公布日：2017.08.29