本发明属于电子领域，具体涉及一种高性能电子发射材料。
背景技术：
热电子发射是通过加热的方式使固体内部电子的动能增加,以致有一部分电子的动能大到足以克服表面势垒而逸出体外,形成电子发射。最初的热阴极材料是纯金属阴极,后来出现了原子膜阴极,再后来发展到氧化物阴极。氧化物阴极由于其高发射率而得到广泛应用,但随着科学技术的发展,氧化物阴极由于自身的缺陷而不再满足科技发展的需要,这就迫使人们开始寻求发射效率更高、工作温度更低、稳定性更好、寿命更长的热阴极材料。许多其他类型的热阴极材料如储备式阴极和稀土金属氧化物阴极得到了发展和应用。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种高性能电子发射材料。
本发明通过下面技术方案实现：
一种高性能电子发射材料，由锌、镁和氮化硅制成。
优选地，所述锌、镁和氮化硅的重量份之比为50-60:10-20:9-13。
优选地，所述锌、镁和氮化硅的重量份之比为55:15:11。
上述高性能电子发射材料用于制备电子发射材料的用途。
本发明技术效果：
本发明提供的高性能电子发射材料性能优异，可以用于制备电子发射材料。
具体实施方式
下面结合实施例具体介绍本发明的实质性内容。
实施例1
一种高性能电子发射材料，由锌、镁和氮化硅制成。
所述锌、镁和氮化硅的重量份之比为55:15:11。
实施例2
一种高性能电子发射材料，由锌、镁和氮化硅制成。
所述锌、镁和氮化硅的重量份之比为50:10:9。
实施例3
一种高性能电子发射材料，由锌、镁和氮化硅制成。
所述锌、镁和氮化硅的重量份之比为60:20:13。
实施例4
一种高性能电子发射材料，由锌、镁和氮化硅制成。
所述锌、镁和氮化硅的重量份之比为50:10:11。
实施例5
一种高性能电子发射材料，由锌、镁和氮化硅制成。
所述锌、镁和氮化硅的重量份之比为60:20:11。
本发明提供的高性能电子发射材料性能优异，可以用于制备电子发射材料。