本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种顶发射显示面板、显示装置及其制作方法。
背景技术：
在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示装置的重要性在进一步加强。为了在未来占据主导地位，显示装置正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
其中，顶发射型显示器件由于可以获得更大的开口率，已成为近些年研究的热点。但是，传统的顶发射件由于需要增加光的透过率，透明顶电极的厚度一般较薄，导致电极方阻较大，导电性不足，电压降严重，容易引起件的发光不均匀现象。
技术实现要素：
基于此，有必要提供一种能够提高发光均匀性的顶发射显示面板、显示装置及其制作方法。
一种顶发射显示面板，包括
具有驱动TFT阵列的基板；
反射底电极，所述反射底电极设于所述基板上；
像素界定层，所述像素界定层设于所述基板上并位于相邻所述反射底电极之间以用于限定相邻子像素单元的发光区域，所述像素界定层上设有电接孔；
发光功能层，所述发光功能层至少包括发光层，所述发光功能层设于所述反射底电极上并位于相邻的所述像素界定层之间；
透明顶电极，所述透明顶电极设于所述像素界定层和所述发光功功能层上，且所述透明顶电极通过所述电接孔与所述驱动TFT阵列连接。
在其中一个实施例中，所述顶发射显示面板还包括隔离柱；
所述隔离柱设于所述像素界定层上以用于隔断相邻所述子像素单元上的所述透明顶电极，并且在每个所述子像素单元内的所述透明顶电极均通过所述电接孔与所述驱动TFT阵列连接。
在其中一个实施例中，所述顶发射显示面板还包括平坦层，所述平坦层设于所述基板和所述反射底电极之间。
在其中一个实施例中，所述发光功能层为有机电致发光功能层、量子点发光功能层或有机电致发光功能层和量子点发光功能层所形成的混合发光功能层。
在其中一个实施例中，所述发光功能层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、所述发光层、空穴阻挡层、激子限定层和电子注入层。
在其中一个实施例中，所述电接孔的横截面呈倒梯形。
在其中一个实施例中，所述反射底电极的材质为铝、银、铝合金或银合金。
一种显示装置，其特征在于，包括上述任一实施例所述的顶发射显示面板。
一种上述所述的顶发射显示面板的制作方法，包括如下步骤：
提供具有驱动TFT阵列的基板；
在所述基板上制作反射底电极；
在所述基板上相邻的所述反射底电极之间制作像素界定层，在所述像素界定层上开设电接孔；
在相邻的所述像素界定层之间形成发光功能层；
在所述像素界定层和所述发光功能层上制作所述透明顶电极，并使所述透明顶电极通过所述电接孔与所述驱动TFT阵列连接。
在其中一个实施例中，在在所述像素界定层和所述发光功能层上制作所述透明顶电极步骤之前，还包括在所述像素界定层上制作用于隔断相邻子像素单元上的所述透明顶电极的隔离柱。
上述顶发射显示面板包括具有驱动TFT阵列的基板、设于基板上的反射底电极和像素界定层、位于相邻像素界定层之间的发光功能层以及位于像素界定层和发光功能层上的透明顶电极，其中像素界定层上设有电接孔，透明顶电极和驱动TFT阵列通过该电接孔直接导电连接，可显著减小电流注入路径，显著提高透明顶电极的导电性，继而能够有效消除透明顶电极导电性不足引起的电压降，能够显著改善显示面板的发光均匀性。
进一步地，上述顶发射显示面板通过在像素界定层上设置隔离柱，隔离柱隔断相邻子像素单元的透明顶电极并使每个子像素单元内形成与驱动TFT阵列一一直接独立导电连接的透明顶电极单元，能够进一步有效减少电流注入路径，从而有效消除透明顶电极因导电性不足引起的电压降，进而提高显示面板和显示装置的发光不均匀性。
传统的顶发射显示面板通过设置在像素界定层上的辅助电极来提高透明顶电极的导电性，但是由于辅助电极通常不透光，并不能制作在发光区域上，减少透明顶电极的电压降的能力有限，并需要引入额外的制程工艺，增加了制作成本。与传统上采用辅助电极提高透明顶电极的导电性和显示均匀性的顶发射显示面板相比，上述顶发射显示面板的制作方法中，由于像素界定层上隔离柱的设置，在制作透明顶电极时，无需采用高制作的精细mask(掩膜板)对位沉积，仅采用低成本的开口mask制作即可，无需引入额外的制程工艺，整体上能够减少制作成本。
附图说明
图1为一实施方式的顶发射显示面板的整体结构示意图；
图2为图1中的顶发射显示面板的结构示意简图；
图3为图2中的顶发射显示面板的制作方法的步骤流程示意图；
图4为图3的顶发射显示面板的制作方法中形成图1的顶发射显示面板的驱动TFT阵列和平坦层的结构示意图；
图5为图3的顶发射显示面板的制作方法中形成图1的顶发射显示面板的反射底电极的结构示意图；
图6为图3的顶发射显示面板的制作方法中形成图1的顶发射显示面板的像素界定层的结构示意图；
图7为图3的顶发射显示面板的制作方法中形成图1的顶发射显示面板的隔离柱的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1和图2，一实施方式的顶发射显示面板10，包括基板100、驱动TFT阵列210、平坦层220、反射底电极230、像素界定层240、隔离柱241、发光功能层250和透明顶电极260。
在本实施方式中，基板100上具有驱动TFT阵列，用于驱动发光元器件，实现图像显示。其中，基板100可以是刚性基板或柔性基板。刚性基板可以是陶瓷材质或各类玻璃材质等。柔性基板可以是聚酰亚胺薄膜(PI)及其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、磷酸烯醇式丙酮酸(PEP)或二亚苯基醚树脂等。驱动TFT阵列可以包括非晶硅TFT阵列、多晶TFT阵列以及金属氧化物TFT阵列等。
在实施方式中，优选地，平坦层220设于基板100上，钝化的平坦层220用于平坦驱动TFT阵列210制作时产生的凹凸不平表面并在后续制作其他结构时保护驱动TFT阵列210不受破坏损伤。同时平坦层220具有用于使驱动TFT阵列210与透明顶电极260相连接的连接孔。
在本实施方式中，反射底电极230设于基板100的平坦层220上，并呈图案化。反射底电极230的材质为铝、银、铝合金或银合金等具有高导电性金属材质，采用导电性较好的反射底电极230作用共同电极，能够有效减少电流从现实显示面板边缘注入到显示面板中间的电压降，从而可以减少因反射底电极230因导电性不足引起的电压降，避免发光不均匀的现象。
进一步地，反射底电极230的高导电性金属材质也可以填充平坦层220的连接孔内使透明顶电极260通过高导电性材质与驱动TFT阵列210连接，减少工艺制程。在其他实施方式中，透明顶电极260也可以直接穿过像素界定层240上的电接孔和平坦层220上的连接孔与驱动TFT阵列210连接，进一步减少透明顶电极260的电压降，提高发光均匀性。
在本实施方式中，像素界定层240设于基板100的平坦层220上，并位于相邻的反射底电极230之间，相邻像素界定层240和反射底电极230围成成像素坑内以用于限定相邻子像素单元200的发光区域。优选地，像素界定层240覆盖反射底电极230的边缘位置。
像素界定层240上设有电接孔，该电接孔用于使透明顶电极260直接与驱动TFT阵列210连接。透明顶电极260和驱动TFT阵列210通过该电接孔直接导电连接，可显著减小电流注入路径，显著提高透明顶电极260的导电性，继而能够有效消除透明顶电极260导电性不足引起的电压降，能够显著改善显示面板的发光均匀性。
优选地，电接孔的横截面呈倒梯形，以便于透明顶电极260在电接孔的内壁上的沉积厚度，以保证透明顶电极260的导电效果。
进一步地，像素界定层240上设有隔离柱241。隔离柱241设于像素界定层240上以用于隔断相邻子像素单元200上的透明顶电极260，并使在每个子像素单元200内透明顶电极260均通过电接孔与驱动TFT阵列210独立连接，以实现每个子像素单元200内的透明顶电极260独立驱动该子像素单元200内的发光显示，能够进一步有效减少电流注入路径，从而有效消除透明顶电极260因导电性不足引起的电压降，进而提高显示面板和显示装置的发光不均匀性。
优选地，隔离柱241的横截面可以呈梯形、长方形等，只要便于制作并能够保证隔离柱241能够有效的隔断透明顶电极260。
在本实施方式中，发光功能层250设于像素坑内。发光功能层250至少包括发光层(光发射层)。优选地，发光功能层为有机电致发光功能层，包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、激子限定层和电子注入层。另外，有机电致发光功能层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、激子限定层和电子注入层中的一层或多层。在其他实施方式中，发光功能层250还可以为量子点发光功能层或有机电致发光功能层和量子点发光功能层所形成的混合发光功能层。
在本实施方式中，透明顶电极260设于像素界定层240和发光功功能层250上，且透明顶电极260通过电接孔与驱动TFT阵列210连接，由于该透明顶电极260直接与驱动TFT阵列210连接，能够有效可显著减小电流注入路径，显著提高透明顶电极260的导电性，继而能够有效消除透明顶电极260导电性不足引起的电压降，能够显著改善显示面板的发光均匀性。透明顶电极260可以为ITO、IZO、AZO等材质制作形成的金属氧化物导电膜层，也可以为石墨烯、导电聚合物等材质制作形成的有机导电膜层。
另外，基板100上的子像素单元200可以为红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和/或白色发光区域。可以理解，多个相同颜色的发光区域还可以集中设置，可有效减少各子像素单元200的面积，进而提高显示面板及显示装置的分辨率。
请进一步参阅图3，本实施方式的顶发射显示面板10的制作方法20，包括如下步骤：
S1，请进一步结合图4，提供具有驱动TFT阵列210的基板100，并制作用于平坦驱动TFT阵列210的平坦层220，平坦层220上保留用于使透明顶电极260与驱动TFT阵列210相连接的连接孔。
S2，请进一步结合图5，在基板100的平坦层220上沉积形成图案化的反射底电极230，并同时在连接孔内及连接孔的上方制作用于连接透明顶电极260的导电区。
S3，在基板100上相邻反射底电极230之间制作像素界定层240，在像素界定层240上开设电接孔。
S4，在像素界定层240上制作用于隔断相邻子像素单元200上的透明顶电极260的隔离柱241。通过像素界定层240上的隔离柱241将透明顶电极260分隔成一个个独立的电极单元，从而实现对各子像素单元的单独有源控制。
S5，采用印刷工艺在像素界定层240围成的像素坑内形成发光功能层250，且各子像素单元的电接孔一一分布在隔离柱241围绕的区域。采用印刷工艺制备发光功能层250，能够精确控制在像素坑内成膜，防止采用蒸镀工艺制备时对像素界定层240上电接孔发生的堵塞，避免电接孔堵塞导致透明顶电极260无法与驱动TFT阵列无法相连的情况。
S6，采用开口mask在像素界定层240和发光功能层250上制作透明顶电极260，并使透明顶电极260通过电接孔与驱动TFT阵列210连接。
S7，对整个显示面板进行封装。
本实施方式的顶发射显示面板的制作方法20中，由于像素界定层240上隔离柱241的设置，在制作透明顶电极时，无需采用高制作的精细mask对位沉积，仅采用低成本的开口mask制作即可，无需引入额外的制程工艺，整体上能够减少制作成本。
一种显示装置，包括上述任一实施方式的顶发射显示面板。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。